5800C Fm芯片资料和驱动代码 技术特点： *国内首颗采用CMOS工艺的调频收音机芯片； *驱动能力强，可直接驱动耳机及放大器； *功耗低，比国外先进方案还低1mA； *频率覆盖从76M-108M的各国调频波段； *高度集成度，所需外围器件数为零； *强大的LOW-IF数字音频结构； *强大的数字信号处理技术（DSP）,实现自动频率控制和自动增益控制； *数字自适应噪声抑制 接受灵敏度高、音质出色、立体声效果优异； *支持重低音，可调式电台搜寻、柔软静音和混音等功能； *只需一个32.768K晶振作为参考时钟； *支持I2C和SPI数字接口，支持I2S音频接口，可以配合所有多媒体处理芯片； *可调去加重（50／75 us) ； *模拟和数字音量控制； *线性模拟输出电压； *两线和三线控制接口模式； *封装面积： 4×4mm，24-pin QFN
上传时间： 2017-06-21
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电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M电子设备结构设计标准手册 581页 14.1M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M电子设备的设计与结构 237页 5.8M.pdf
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电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M电子设备结构设计原理（第二册）356页 17.3M.pdf
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电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M@@ 电子设备结构设计 244页 12.2M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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选用4000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘接键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，采用该技术成功加工出具有三层结构的圆片级封装某种惯性压阻类传感器。依据标准GJB548A对其进行了剪切强度和检漏测试，测得封装样品漏率小于5×10pa·cm3／s，键合强度大于49 N，满足考核要求。
上传时间： 2016-07-26
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MEMS真空封装是提高MEMS惯性器件性能的主要手段。本文应用实验方法，在真空熔焊工艺设备上研究了MEMS器件金属外壳真空封装工艺。对不同镀层结构的外壳进行了封装实验比较和气密性测试，结果发现，金属外壳表面镀Ni和镀Au或管座表面镀Ni和Au、管帽表面镀Ni可有效的提高真空封装的气密性和可靠性，其气密性优于5×10-9 Pa·m3／s。封装样品的高低温循环实验和真空保持特性的测量结果说明，金属外壳真空熔焊工艺可基本满足MEMS器件真空封装工艺的要求，并测得真空度为5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺仪的封装应用也说明了工艺的可行性。
上传时间： 2016-07-26
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PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
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目前cPU+ Memory等系统集成的多芯片系统级封装已经成为3DSiP（3 Dimension System in Package，三维系统级封装）的主流，非常具有代表性和市场前景，SiP作为将不同种类的元件，通过不同技术，混载于同一封装内的一种系统集成封装形式，不仅可搭载不同类型的芯片，还可以实现系统的功能。然而，其封装具有更高密度和更大的发热密度和热阻，对封装技术具有更大的挑战。因此，对SiP封装的工艺流程和SiP封装中的湿热分布及它们对可靠性影响的研究有着十分重要的意义本课题是在数字电视（DTV）接收端子系统模块设计的基础上对CPU和DDR芯片进行芯片堆叠的SiP封装。封装形式选择了适用于小型化的BGA封装，结构上采用CPU和DDR两芯片堆叠的3D结构，以引线键合的方式为互连，实现小型化系统级封装。本文研究该SP封装中芯片粘贴工艺及其可靠性，利用不导电胶将CPU和DDR芯片进行了堆叠贴片，分析总结了SiP封装堆叠贴片工艺最为关键的是涂布材料不导电胶的体积和施加在芯片上作用力大小，对制成的样品进行了高温高湿试验，分析湿气对SiP封装的可靠性的影响。论文利用有限元软件 Abaqus对SiP封装进行了建模，模型包括热应力和湿气扩散模型。模拟分析了封装体在温度循环条件下，受到的应力、应变、以及可能出现的失效形式：比较了相同的热载荷条件下，改变塑封料、粘结层的材料属性，如杨氏模量、热膨胀系数以及芯片、粘结层的厚度等对封装体应力应变的影响。并对封装进行了湿气吸附分析，研究了SiP封装在85℃RH85%环境下吸湿5h、17h、55和168h后的相对湿度分布情况，还对SiP封装在湿热环境下可能产生的可靠性问题进行了实验研究。在经过168小时湿气预处理后，封装外部的基板和模塑料基本上达到饱和。模拟结果表明湿应力同样对封装的可靠性会产生重要影响。实验结果也证实了，SiP封装在湿气环境下引入的湿应力对可靠性有着重要影响。论文还利用有限元分析方法对超薄多芯片SiP封装进行了建模，对其在温度循环条件下的应力、应变以及可能的失效形式进行了分析。采用二水平正交试验设计的方法研究四层芯片、四层粘结薄膜、塑封料等9个封装组件的厚度变化对芯片上最大应力的影响，从而找到最主要的影响因子进行优化设计，最终得到更优化的四层芯片叠层SiP封装结构。
标签： sip封装
上传时间： 2022-04-08
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