盘式永磁同步电动机是一种性能优越、但结构特殊的电动机。作为一种理想的驱动装置,其应用范围遍及航天、国防、工农业生产和日常生活的各个领域。本文利用稀土永磁材料钕铁硼的高矫顽力,提出了一种省却了铁心的双转子、单定子结构盘式无铁心永磁同步电机,进一步减轻了电机的质量并消除转矩脉动。 对电机的设计、性能预测都离不开电机电磁场的计算。不同于传统的圆柱式径向磁通电机,盘式无铁心电机是轴向磁通电机,外加其无铁心的结构,决定了该电机的磁场呈三维、开域分布。对它的电磁场分析,不能采用对待径向磁通电机的化为二维磁场的分析方法。 本文研究的重点内容分为两部分:(1)在盘式无铁心永磁同步电机的结构上,建立其磁场三维模型,由三维有限元法计算三维电磁场,分析计算结果,并总结出盘式无铁心永磁同步电机的磁场分布规律。 (2)在磁场计算的基础上,将Halbach型永磁体阵列的理论应用到磁钢设计中来,提出磁钢结构优化方案,研究出适合于盘式无铁心永磁同步电机的磁钢结构,以获得理想的磁场波形和磁密值。 本文首先从磁路计算的方法入手,通过磁路计算分析出盘式无铁心永磁同步电机的磁场分布特点。其后直接运用三维有限元法求解该电机的电磁场,分析计算结果。为了获得低漏磁、高气隙磁密值、正弦形的气隙磁场分布,本文先后提出普通轴向充磁磁钢结构、不等厚轴向充磁磁钢结构并将Halbach阵列的理论应用到盘式无铁心永磁同步电机的磁刚结构优化中,讨论了三种不同角度的Halbach型永磁体阵列。最后为了简化磁钢的加工工艺,将不等厚永磁体阵列与Halbach永磁体阵列相结合,提出了最经济、有效的改进型Halbach永磁体阵列,给出具体磁钢尺寸,并运用ANSYS软件对各种磁钢结构产生的磁场进行结果仿真。
上传时间: 2013-06-23
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近些年来,FPGA已经成为现代电子、半导体行业的最重要组成部分之一,针对FPGA的综合技术的研究是电子设计自动化技术的重要研究方向。逻辑综合是FPGA综合的重要步骤,它包括逻辑优化和工艺映射。本文主要研究了针对一种新型ALM(Adaptive Logic Model)结构FPGA的工艺映射算法。 论文首先对已有FPGA逻辑综合技术进行了全面的总结,从逻辑优化和工艺映射两个方面分析了传统算法对ALM结构FPGA的适应性,通过分析我们得出结论,传统的逻辑优化算法仍然能够适用于ALM结构FPGA的逻辑综合,而工艺映射算法则需要进行改进。 在以上分析的基础上,根据ALM结构的特点,论文提出了一种以面积优化为主,同时考虑延迟的针对ALM结构FPGA的工艺映射算法——ALMmap。该算法包括几个子算法,递减迭代装箱算法能够很好的适应ALM结构的灵活性;通过ALM装箱算法并加入共享输入处理,将多个LUT装入一个ALM结构中;再汇聚路径的处理有助于提高效率和减少面积;算法在已有的多级分解算法基础上考虑了延迟因素,在不降低面积优化效果的同时降低了延迟;通过全局优化从全局范围对面积进行了进一步的优化。 最后,我们对ALMmap算法与传统算法进行了测试与比较,通过实验数据表明,ALMmap能够很好的发挥ALM结构的灵活性,考虑延迟的多级分解算法能够很好的降低延迟,与传统基于K-LUT的工艺映射算法相比,具有更好的面积与延迟综合性能。
上传时间: 2013-06-24
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资料->【F】机械结构->【F1】机械丛书->机械设计、制造工艺、质量检测与标准规范全书->机械设计、制造工艺、质量检测与标准规范全书(第一篇 至 第二篇).pdf
上传时间: 2013-06-02
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资料->【F】机械结构->【F1】机械丛书->机械设计、制造工艺、质量检测与标准规范全书->机械设计、制造工艺、质量检测与标准规范全书.pdf
上传时间: 2013-06-16
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资料->【F】机械结构->【F1】机械丛书->中国模具设计大典 (共5卷)->中国模具设计大典 第5卷 铸造工艺装备与压铸模设计 856页 22.1M.pdf
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资料->【F】机械结构->【F1】机械丛书->机械设计、制造工艺、质量检测与标准规范全书->机械设计、制造工艺、质量检测与标准规范全书(第七篇 至 第十一篇).pdf
上传时间: 2013-04-24
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EM78系列单片机是采用低功耗、高速CMOS工艺制造的8位单片机,本章将以EM78X56(包括EM78156、EM78256、EM78456)为例来讲述EM78系列单片机的内部结构、存贮器、中断、I/O、看门狗、振荡器和电压检测器等特点。
上传时间: 2013-10-11
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多绞屏蔽线处理及焊接工艺,屏蔽线的结构和组成,双绞线的处理焊接。
上传时间: 2013-11-17
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运放选型 运算放大器的结构形式主要有三种:模块、混合电路和单片集成电路。对于设计工程师来说,不仅是要知道所用产品的型号,而且还应熟悉生产这些产品的工艺,从而能够从一类放大器中选出一种放大器做特定的应用。
上传时间: 2015-12-20
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使用0.18um 标准 CMOS 的工艺设计,内嵌ASIX CORE(32 位RISC 内核,兼容ARM720T,带8KB 指令数 据Cache 和全功能MMU),采用冯诺依曼结构
上传时间: 2016-09-07
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