电子元器件可靠性和失效分析(共40篇)
上传时间： 2013-07-15
上传用户：eeworm
电子元器件失效分析技术与案例
上传时间： 2013-07-18
上传用户：eeworm
电子元器件可靠性和失效分析经典文章(共38篇) pdf
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子元器件失效分析技术与案例-31页-1.3M.pdf
上传时间： 2013-07-28
上传用户：lps11188
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子元器件可靠性和失效分析-共40篇-172页-4.0M.pdf
上传时间： 2013-06-21
上传用户：lwt123
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子元器件可靠性和失效分析经典文章-共40篇-pdf.zip
上传时间： 2013-07-04
上传用户：ghostparker
由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有工作频率高、处理功率大和驱动简单等诸多优点,在电力电子设备、尤其是中大型功率的电力电子设备中的应用越来越广泛。但是,IGBT失效引发的设备故障往往会对生产带来巨大影响和损失,因此,对IGBT的失效研究具有十分重要的应用意义。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基础上,采用双极传输理论联立求解电子和空穴的传输方程,得到了稳态时电子和空穴电流的表达式,对造成IGBT失效的各种因素进行了详细分析。应用MATLAB软件,对硅参数的热导率、载流子浓度、载流子寿命、电子迁移率、空穴迁移率和双极扩散系数等进行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是发生擎住效应以及泄漏电流导致IGBT延缓失效的有用结论。并且,进行了IGBT动态模型的设计和仿真,对IGBT在短路情况下的失效机理进行了深入研究。 考虑到实际设备中的IGBT在使用中经常会发生反复过流这一问题,通过搭建试验电路,着重对反复过流对IGBT可能带来的影响进行了试验研究,探讨了IGBT因反复过流导致的累积失效的变化规律。本文研究结果对于正确判断IGBT失效以及失效程度、进而正确判断和预测设备的可能故障,具有一定的应用参考价值。
上传时间： 2013-08-04
上传用户：lrx1992
永磁直流微电机作为一种机电能量转换器件，随着永磁新材料的开发，得到了迅猛的发展和广泛的应用。作为元器件，它的失效会关联到相应的工作系统和机构的正常运作，所以微电机的寿命可靠性分析和失效研究显得很重要，是准确估计其相关复杂工程系统稳定可靠性的基础。 论文基于永磁直流微电机产品是大批量且生产过程处于严格的统计质量控制状态下，而对其进行可靠性及失效分析。由于在影响微电机寿命的因素中，有很多属于随机性因素，因此可结合概率统计学原理，运用相关的数学工具，来探讨微电机失效分布函数的特征、类型和评价指标。论文针对微电机的特征，把一般的可靠性、失效分布类型函数进行整合、变换，运用到了微电机的可靠性分析上。 论文对微电机寿命可靠性及失效分析的数据处理也作了一些探讨。具体包括三个方面的内容：首先是根据试验测量结果，对预先假定的可靠性分布模式，即随机变量分布规律进行检验(假设检验)的方法作了探讨；其次是基于试验测量的样本值，估计随机分布参数的数值和推断这种估计的误差范围(一定置信水平下)；再次是在预先根本不知道或不确定分布函数类型情形下，而根据寿命试验的测量数据结果，从中寻找出失效的分布特征，或者寻找出某一数学函数表达式，在某一确定精度下，运用数值分析原理来逼近数据分布规律。还结合微电机寿命试验的结果，作了可靠性实例分析。 论文还针对微电机失效的常见主要形式、状态，对组成微电机的主要零部件从工程应用角度作了系统分析。内容包括结合个人护理应用微电机的开发实例，建立了电刷振动分析模型，使用计算机软件模拟分析技术和激光振动测试技术，对微电机电刷片振动作了模拟和实际测量的对比分析，探讨了微电机电刷失效问题及改善、优化途径；运用材料学分析方法系统地探索了杯士和换向器设计、材料选择及失效问题；运用可靠性理论对电机结构进行了优化设计；并运用设计编程的电磁场有限元软件，对微电机电磁场进行了模拟优化设计；样机的实际测量结果和理论模拟基本吻合，并略为有所提高；还探讨了微电机寿命改善和能力提高的方法。
上传时间： 2013-07-18
上传用户：龙飞艇
功率合成器是大功率固态高功放的重要组成器件。应用散射参数原理对功率合成器的合成效率进行了研究，对一路或者几路功率合成器输入失效时的合成效率进行了分析，并在某型大功率固态高功放功率合成器中进行了验证。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：nem567397
我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路，自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后，我们对其部分产品做了电老化试验，发现该款电路早期失效问题达不到我们要求，上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此，我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品（已发出的除外）全部进行了电老化筛选，通过这项工作发现了一些规律性的东西，对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多，从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因，作为电路的使用方不可能都顾及到，也不可控。通过分析，我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后，在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。，因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手，安排几种比对试验并取得试验数据，以期找出失效原因。
上传时间： 2014-12-28
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