为 了提高 电力 电容器 的使 用率 ，延 长其 寿命 ，对 电力 电容 器进行 失效 分析是 十分必 要 的。与 传统 的电压 、 电流 表法和双电压表法相 比，现在测量 电容器 电容值大多采用 数字 电容表如 ：A I-6600 ，测量范 围宽 ，准 确度高 。通 过对一组 12 个滤波 电容器在 2003～2011 年期间运 行 中所 积 累的 电容值 数据 进行 比较 、分析 和讨论 ，指 出在轧 制 生产 线上谐波电流大 、环境 温度高是造成 电力 电容器 失效 的 主要原 因 ；并提 出 了切 实可 行 的预 防措 施 ，以抑制谐 波 、改善环境温度 、实现对 电力 电容器 的实 时监 测
上传时间： 2016-09-05
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开关电源中功率器件的失效原因分析及解决方案 开关电源各重要器件的失效分析
上传时间： 2022-04-16
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近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度热成像分析仪）等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1，对于栅极失效的情况，本论文先经过电特性测试完成预分析，并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路，找到最小点并进行失效原因分析，针对相应原因提出改进方案。2，针对开通与关断瞬态过电流失效，采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析，以文献为参考进行失效原因分析，利用saber仿真进行失效原因验证。3，针对通态过电流失效模式，采用解剖分析来评估损伤情况，探究失效原因，并采用电感钳位电路进行实验验证。4，针对过电压失效模式，采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况，基于文献归纳并总结出传统失效原因，并通过大量实验得出基于封装的失效原因，最后采用saber仿真加以验证。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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封装作为微电子产业的三大支柱之一，在微电子产业中的地位越来越重要。随着微电子产业不断的发展，轻型化，薄型化，小型化的微小间距封装成为发展需要。而封装的相关失效成为制约封装向前发展的瓶颈。本文通过大量的调研文献，对封装失效分析的目的，内容和现状进行总结，并对封装失效分析的未来发展进行展望。本文的主题是对封装中最重要的两个方面引线键合和塑料封装材料产生的相关失效进行归纳总结。本文从封装在微电子产业中的作用出发，引出对封装的失效进行分析的重要性，并说明了国内外封装产业的差距。对失效的基础概念，失效的分类进行了阐述；总结了进行失效分析的相关流程和进行失效分析最基本的方法和仪器。对封装中最普遍的引线键合工艺和塑封工艺分别进行了分析。对比了传统的Au线，Al线与Cu线键合工艺，说明了Cu引线键合技术代替传统的键合技术成为主流键合工艺的必然性；对Cu引线键合技术中出现的相关失效问题和国内外的研究结果进行了分析归纳。对塑料封装材料的发展进行了说明，指出环氧树脂为主流塑料封装材料的原因；对环氧树脂的组成以及在使用环氧树脂过程中出现的相关失效进行了归纳，并总结了环氧树脂未来的发展方向。
上传时间： 2022-06-24
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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从典型的表面贴装工厂的实践来看，半导体失效原因主要分为与材料有关的失效、与工艺有关的失效，以及电学失效。通常与材料和工艺有关的失效发生的较为频繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有经验的工艺工程师和失效分析工程师可以通过 射线焊点检测仪、扫描电子显微镜、能量分散谱、于同批产品交叉试验就可以确定失效与否，从而找到真正的原因。本文基于摩托罗拉汽车电子厂的实践简要介绍前两种失效形式，着重研究电学失效的特点和形式，前两种失效形式往往需要靠经验来判断，而电学失效更需要一定的理论知识给与指导分析。电学失效中，首先介绍芯片失效分析手段、分析程序，以及国内外失效分析实验室设备情况，在电学失效分析中所面临的最大挑战是失效点的定位和物理分析，在摩托罗拉汽车电子厂实践中发现，对产品质量影响最主要的是接孔（Via）失效，它是汽车整车装配厂客户的主要抱怨以及影响产品可靠性导致整车召回的主要原因之一。本文基于接孔失效实际案例中的统计数据，讨论了接孔失效的失效分布状态函数，回归了威布尔曲线，计算出分布参数m和c：在阿列里乌斯（Arhenius）失效模型的基础上建立了接孔失效模型，并计算模型参数温度寿命加速因子，从而估算出受器件影响的产品的寿命。本文目的旨在基于表面贴装工厂的具体芯片失效统计数据，进行实际工程的失效分析，探索企业建立失效分析以控制产品质量、提高产品可靠性的机制
标签： 半导体芯片
上传时间： 2022-06-26
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电子元器件失效分析与典型案例系统地介绍了电子元器件失效分析技术及典型分析案例。全书分为基础篇和案例篇。基础篇阐述电子元器件失效分析的目的和意义、失效分析程序、失效分析技术以及失效分析主要仪器设备与工具；案例篇按照元器件门类分为九章，即集成电路、微波器件、混合集成电路、分立器件、阻容元件、继电器和连接器、电真空器件、板极电路和其它器件，共计138个失效分析典型案例，各章节突出介绍了该类器件的失效特点、主要失效模式及相关失效机理，提出了预防和控制使用失效发生的必要措施。本书具有较强的实用性，可供失效分析专业工作者以及元器件和整机研制、生产单位的工程技术人员使用，也可作为高等学校半导体器件专业的教学参考书。
标签： 电子元器件
上传时间： 2022-07-24
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺：标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺，重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等；最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。本书可作为相关专业高年级本科生和研究生教材，对于专业版图设计人员也是一本极具价值的参考书。
上传时间： 2013-06-23
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线束导通检测与管线气密检测系统是一种保证线束质量和可靠性以及管线密闭性的最基本测试仪器，它可以剔除大量线束连接中出现的短路、断路、误配线和接触不良等故障，也可以用于检测管线的气密性是否符合实际生产要求，从而提高相关工业产品的质量及稳定性。 本文详细介绍了线束导通检测与管线气密检测系统的硬件制作及软件设计。论文首先阐述了课题背景和线束导通检测与管线气密检测装置发展的国内外现状，同时对线束测试的基本原理和几种常见的失效模式进行了分析。随后详细介绍本系统的总体设计方案和设计思路以及系统的结构组成。文章主体主要分为三大部分内容，第一部分为线束检测系统的设计，第二部分为管线气密检测系统的设计，第三部分为检测信息编辑PC机软件的设计。三大部分涵盖软、硬件的设计研究，但在设计及功能上相对独立，故分开进行介绍。 作为第一部分线束检测系统设计的开头篇，第二章详细介绍了系统的导通检测、数据读写、人机交互等各个模块的硬件设计。第三章以第二章所介绍的硬件结构为基础，从线束检测算法、数据通信、数据存取等方面逐层进行探讨，从而完成对线束检测系统软件部分的介绍。按照第一部分的模式，第二部分所包含的四、五两章对本系统中的管线气密检测部分分别从硬件和软件的角度进行详细介绍和深度剖析。第三部分主要介绍基于MFC的PC机信息编辑软件的开发，分别从开发工具、软件架构、算法等方面进行详尽的阐述。 本论文介绍的汽车线束检测系统可以支持最多1024个线束点，8路气密管线的检测，并且能管理并存储线束测试的大量数据，方便操作人员查看线束测试情况，同时线束检测部分具有自学习功能，应用前景十分广阔。
上传时间： 2013-04-24
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