由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有工作频率高、处理功率大和驱动简单等诸多优点,在电力电子设备、尤其是中大型功率的电力电子设备中的应用越来越广泛。但是,IGBT失效引发的设备故障往往会对生产带来巨大影响和损失,因此,对IGBT的失效研究具有十分重要的应用意义。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基础上,采用双极传输理论联立求解电子和空穴的传输方程,得到了稳态时电子和空穴电流的表达式,对造成IGBT失效的各种因素进行了详细分析。应用MATLAB软件,对硅参数的热导率、载流子浓度、载流子寿命、电子迁移率、空穴迁移率和双极扩散系数等进行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是发生擎住效应以及泄漏电流导致IGBT延缓失效的有用结论。并且,进行了IGBT动态模型的设计和仿真,对IGBT在短路情况下的失效机理进行了深入研究。 考虑到实际设备中的IGBT在使用中经常会发生反复过流这一问题,通过搭建试验电路,着重对反复过流对IGBT可能带来的影响进行了试验研究,探讨了IGBT因反复过流导致的累积失效的变化规律。本文研究结果对于正确判断IGBT失效以及失效程度、进而正确判断和预测设备的可能故障,具有一定的应用参考价值。
上传时间： 2013-08-04
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摘要:IC智能卡使用过程中出现的密码校验失效、数据丢失、应用区不能读写等一系列失效和可靠性问题,严重影响了其在社会生活各领域的广泛应用.分析研究了IC智能卡芯片碎裂、引线键合断裂、静电放电损伤等失效模式和失效机理,并结合IC卡制造工艺和失效IC卡的分析实例,对引起这些失效的根本原因作了深入探讨,就提升制造成品率、改善可靠性提出应对措施.关键词:IC卡;薄/超薄芯片;碎裂;键合
上传时间： 2013-11-09
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为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分别具有不同的失效机理，并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
上传时间： 2013-10-15
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芯片实效分析技术 1、失效分析方法和技术 2、失效机理和相应的分析技术 3、分析案例
上传时间： 2013-12-21
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电子元器件失效分析与典型案例系统地介绍了电子元器件失效分析技术及典型分析案例。全书分为基础篇和案例篇。基础篇阐述电子元器件失效分析的目的和意义、失效分析程序、失效分析技术以及失效分析主要仪器设备与工具；案例篇按照元器件门类分为九章，即集成电路、微波器件、混合集成电路、分立器件、阻容元件、继电器和连接器、电真空器件、板极电路和其它器件，共计138个失效分析典型案例，各章节突出介绍了该类器件的失效特点、主要失效模式及相关失效机理，提出了预防和控制使用失效发生的必要措施。本书具有较强的实用性，可供失效分析专业工作者以及元器件和整机研制、生产单位的工程技术人员使用，也可作为高等学校半导体器件专业的教学参考书。
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上传时间： 2022-07-24
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
上传用户：2404
作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺：标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺，重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等；最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。本书可作为相关专业高年级本科生和研究生教材，对于专业版图设计人员也是一本极具价值的参考书。
上传时间： 2013-06-23
上传用户：天大地大
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：二十八号
电子产品可靠性分析、评价的重点在于确定其高风险环节。基于充分考量失效机理的分析目的，采用了“元器件-失效模式-失效机理-影响因素”相关联的分析方法，通过相关物理模型和一个电子产品分析案例，实现了利用这一方式确定高风险环节和分析可靠性的全过程，得到了这一方法比采用FMEA等失效模式分析更为实际、准确的结论。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：fanxiaoqie
本文件包括了一系列应力测试失效机理、 最低应力测试认证要求的定义及集成电路认证的参考测试条件。 这些测试能够模拟跌落半导体器件和封装失效， 目的是能够相对于一般条件加速跌落失效。 这组测试应该是有区别的使用，每个认证方案应检查以下： a、任何潜在新的和独特的失效机理；b、任何应用中无显现但测试或条件可能会导致失效的情况；c、任何相反地会降低加速失效的极端条件和应用 。使用本文件并不是要解除 IC 供应商对自己内部认证项目的责任性， 其中的使用者被定义为所有按照规格书使用其认证器件的客户， 客户有责任去证实确认所有的认证数据与本文件相一致。 供应商对由其规格书里所陈述的器件温度等级的使用是非常值得提倡的。 此规格的目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。 如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果， 那么将允许供应商声称他们的零件通过了 AEC Q100认证。供应商可以与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些， 但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了 AEC Q100认证。
上传时间： 2022-05-08
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