虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

jxta-cms-src

  • 小波分析在信号降噪中的应用

    针对信号检测中经常存在的噪声污染问题,利用小波分解之后可以在各个层次选择阈值,对噪声成分进行抑制,手段更加灵活。本文介绍了小波变换的一般理论以及在信号降噪中的应用,分析了被噪声污染后的信号的特性;利用MATLAB软件进行了信号降噪的模拟仿真实验并在降噪光滑性和相似性两个方面体现出小波变换的优势。本文分别使用了不同类型的小波和相同类型小波下不同阈值对信号进行了降噪.仿真结果表明小波变换具有良好降噪的效果。

    标签: 小波分析 信号降噪 中的应用

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:alex wang

  • 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63°。

    标签: CMOS 增益 低功耗 轨到轨

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:xlcky

  • 板级模拟电路仿真收敛性技术研究

    电路仿真不仅应用于电路设计阶段,也用于电路故障诊断中。电路仿真结果能够为建立电路测试诊断知识库提供重要的参考信息。本文简要介绍了电路仿真收敛性的相关理论,分析了板级模拟电路直流分析和瞬态分析的仿真收敛性问题,深入探讨了电路仿真技术的原理和发展,重点研究了新的电路仿真算法,并将其应用于模拟电路仿真系统中。

    标签: 板级 仿真 收敛性 技术研究

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:hopy

  • 高线性度元件简化了直接转换接收器的设计

    凌力爾特公司的 LT®5575 直接轉換解調器實現了超卓線性度和噪聲性能的完美結合。

    标签: 高线性度 元件 直接转换 接收器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:mikesering

  • DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC

    LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC,具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能,因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。

    标签: Msps 494 1.6 ADC

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:mickey008

  • 工业监控和便携式仪器的6通道SAR型ADC

    14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC,具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源,並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。

    标签: SAR ADC 工业监控 便携式

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:dbs012280

  • 用于软件定义UHF RFID阅读器的可编程基带滤波器

    射頻識別 (RFID) 是一種自動識別技術,用於識別包含某個編碼標簽的任何物體

    标签: RFID UHF 软件定义 可编程基带

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:star_in_rain

  • DN463 - 将您的微控制器ADC升级至真正的12位性能

    LTC®2366 及其较慢速的版本提供了一种高性能的替代方案,如表 1 中的 AC 规格所示。您不妨将这些有保证的规格与自己现用微控制器内置的 ADC 进行一番比较。

    标签: 463 ADC DN 微控制器

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:15527161163

  • 10Gbits GPON系统的完整,紧凑型APD偏置解决方案

    雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器,但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路,包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器

    标签: Gbits GPON APD 10

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:zhangyigenius

  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:603100257