关于射频(RF) 关于射频集成电路 无线通信与射频集成电路设计 课程相关信息 RFIC相关IEEE/IEE期刊和会议• 是什么推动了RFIC 的发展？• Why RFIC?– Why IC?– 体积更小，功耗更低，更便宜→ 移动性、个人化、低成本– 功能更强，适合于复杂的现代通信网络– 更广泛的应用领域如生物芯片、RFID 等• Quiz: why not fully integrated?• 射频集成电路设计最具挑战性之处在于,设计者向上必须懂得无线系统的知识,向下必须具备集成电路物理和工艺基础,既要掌握模拟电路的设计和分析技巧,又要熟悉射频和微波的理论与技术。(当然,高技术应该带来高收益:)
上传时间： 2014-05-08
上传用户：liuchee
采用大规模专用射频集成电路nRF2401A设计、实现短距离无线数据传输设备，基本性能指标为：通信距路不小于100米，传输速率不小于200kbps，发射功率可控，可实现点对点及点对多点通信。课题内容涉及基于nRF2401A射频集成电路及单片微机的硬件电路设计、系统控制软件及点对多点数据传输软件设计等。本课题侧重于基于nRF2401A射频集成电路及ATMEG16L单片微机的硬件电路设计。
上传时间： 2014-01-16
上传用户：sevenbestfei
做射频必备的一本书，非常经典，分享给大家
上传时间： 2022-03-22
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主要讲解CMOS工艺下射频电路的设计以及分析方法，从电路基础到电路元器件，到系统，到模块到集成都进行了详细的讲解介绍。
上传时间： 2022-06-30
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这是支持MF RC500 MIFARE 读写集成电路IC的有关射频设计的应用笔记。意在提供对MIFARE 射频接口（ISO 14443A）所需的理解来设计具体天线应用和匹配电路，为了使无接触MIFARE卡通信有最优表现。本文给出了系统的RF部分背景，以及如何为标准应用设计和调试天线的过程概述。详细说明了两种不同的天线和匹配概念以及它们的设计实例。还描述了完整的调试天线的步骤。作为附件的一部分，有兴趣的读者会发现RF接口的详细理论描述
上传时间： 2014-01-07
上传用户：ynsnjs
近年来，随着个人数据通信的发展，功能强大的便携式数据终端和多媒体终端得到了广泛的应用。为了实现用户在任何时间、任何地点均能实现数据通信的目标，要求传统的计算机网络由有线向无线、由固定向移动、由单一业务向多媒体发展，这一要求促进了无线局域网技术的发展。在互联网高速发展的今天，可以认为无线局域网将成为未来的发展趋势.本课题采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现用于IEEE 802.1la协议的5GHz无线局域网接收机射频前端集成电路一包括低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，LNA）和下变频器电路（Downconverter），低噪声放大器是射频接收机前端的主要部分，其作用是在尽可能少引入噪声的条件下对天线接收到的微弱信号进行放大。下变须器是接收机的重要组成部分，它将低噪声放大器的输出射频信号与本振信号进行混频，产生中频信号。论文对射频前端集成电路的原理进行了分析，比较了不同电路结构的性能，给出了射频前端集成电路的电路设计、版图设计、仿真结果和测试方案，仿真结果表明，此次设计的射频前端集成电路具有低噪声、低功耗的特点，其它性能也完全满足设计指标要求
上传时间： 2022-06-20
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Behzad Razavi 所著的《射频微电子学》（RF Microelectronics）的翻译稿，清华大学微电子学研究所参与翻译。主要内容有：射频电子学常见的概念和术语，以及评价射频电路性能的主要指标；模拟和数字信号的调制、解调；常见的无线通信标准；无线前端收发器的结构和集成电路的实现；低噪声放大器和混频器、振荡器、频率综合 器和功率放大器的电路原理和分析方法，等等。
标签： BehzadRazavi 射频 微电子学
上传时间： 2013-06-23
上传用户：huql11633
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
内容简介 本书是美国加州大学m.m.拉德马内斯博士撰写的radio frequency and microwave electronics illustrated一书的中译本。本书内容丰富，编排合理，叙述清楚。本书的英文版在美国用作大学微波电子工程专业高年级和研究生的教材，授课两学期。. 本书主要内容分五部分共21章。第一部分基础知识，包括科学和工程学的基本概念，电学和电子工程学中的基本概念，电路学数学基础，直流和低频电路的概念；第二部分波在网络中的传输，包括射频和微波的基本概念与应用，射频电子学的概念，波传播中的基本概念，二端口射频/微波网络的电路表示；第三部分无源电路的设计，包括smith圆图，smith圆图的应用，匹配网络的设计；第四部分有源网络中的基本考虑，包括有源网络的稳定性，放大器的增益，有源网络的噪声；第五部分有源网络：线性与非线性设计，包括射频/微波放大器ⅰ：小信号设计，射频/微波放大器ⅱ：大信号设计，射频/微波振荡器的设计，射频/微波频率转换器ⅰ：整流器和检波器设计，射频/微波频率转换器ⅱ：混频器设计，射频/微波控制电路的设计，射频/微波集成电路设计。
上传时间： 2022-07-04
上传用户：zhanglei193
实用射频技术
标签： 射频技术
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
