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LDMOS

LDMOS(laterally-diffusedmetal-oxidesemiconductor)是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。
  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:603100257

  • 基于ADS高效率微波功率放大器设计

    基于ADS软件,选取合适的静态直流工作点,采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性,并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络,设计出高效率功率放大器。ADS设计仿真表明该功率放大器在中心频率2 160 MHz处的效率达到70%,稳定性好、增益平坦度小等优点。

    标签: ADS 高效率 微波功率 放大器设计

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:王庆才

  • 飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案

    过去,RF功率的性能完全取决于线性效率。如今,开发者遇到更加复杂的挑战:需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题,飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶体管Airfast RF功率解决方案,将性能和能效提升至新的高度。飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题,该产品系列基于一种更加全面、完整的系统级RF功率技术方法。

    标签: Airfast 飞思卡尔 功率 方案

    上传时间: 2013-11-25

    上传用户:drink!

  • 高效率E类射频功率振荡器的设计

    主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法,通过电路等效变换,E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构,MOS管工作在软开关状态,漏极高电压、大电流不会同时交叠,大大降低了功率损耗,在同等工作条件下,能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件,结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用,给出了的设计实例。ADS仿真结果表明,在13.56MHz的工作频率下,振荡器输出功率46W,效率为92%,符合设计预期。

    标签: 高效率 E类射频 功率振荡器

    上传时间: 2014-02-10

    上传用户:yczrl

  • 射频与微波晶体管功率放大器工程_张玉兴教授

         成电张玉兴教授的专门阐述射频功率放大器的书籍,结合工程实践较为多些,阐述了LDMOS线性功放设计,及传统功率合成的方法以及比较流行的Doherty功放的设计都有所涉及,在国内射频类书籍里算是结合工程实践较为多的一本书。

    标签: 射频 微波晶体管 功率放大器

    上传时间: 2022-04-21

    上传用户:XuVshu