在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSfet、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSfet 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种MOSfet 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料，1200V/100A 的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率 MOSfet 的1/10，而开关时间是同规格 GTR的1/10。由于这些优点，IGBT广泛应用于不间断电源系统（UPS）的设计中。这种使用 IGBT的在线式UPS具有效率高，抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式 UPS以其可靠性高，输出电压稳定，无中断时间等显著优点，广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象，UPS中的1GBT的应用。
上传时间： 2022-06-22
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSfet高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：XuVshu
IGBT是MOSfet和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究，详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析，同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源，设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备，电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题，因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题，本文分析了出现各种状况的原因，并给出了各自的解决方案：采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护；采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现；通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度，从而使电路能够更好地可靠运行。同时，为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求，在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压，并联不均流的问题进行了阐述，并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形，采用PSpice对其进行仿真模拟，并通过加入均压、均流电路后的仿真结果，有效地说明了电路的可行性。
上传时间： 2022-06-22
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怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSfet ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSfet 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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进年来，脉冲功率装置的使用愈来愈广泛。由于高功率脉冲电变换器源能够为脉冲功率装置的负载提供能量，是构成脉冲功率装置的主体。本文采用LT3751为核心，采用电容、电感储能、并通过电力电子器件配合脉冲变压器设计了反激式功率变换器电路，并通过基于LTspice进行电路瞬态分析，以得到最佳的电路模型。LTspice IV是一款高性能Spice Il仿真器、电路图捕获和波形观测器，并为简化开关稳压器的仿真提供了改进和模型。凌力尔特（LINEAR）对Spice所做的改进使得开关稳压器的仿真速度极快，较之标准的Spice仿真器有了大幅度的提高，并且LTspice IV带有80%的凌力尔特开关稳压器的Spice和Macro Model（宏模型），200多种运算放大器模型以及电阻器、晶体管和MOSfet模型，使得我们在进行电路设计仿真，特别是开关电路的设计与仿真时更加轻松。
上传时间： 2022-06-22
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2009年上半年统计中，计算机类、消费类、网络通信类三大领域仍然占中国电源管理芯片市场近80%的市场份额，其中网络通信类市场最大，其市场份额都超过了30%。开关稳压器和低电压功率MOSfet将在未来五年内快速增长.ISuppli公司预测最强劲的增长将发生在数据处理领域，预计该领域的复合年增长率将达10%，未来五年将推动电源管理增长的市场将包括笔记本电脑（复合年增长18.7%）液晶显示器/等离子（PDP）电视（复合年增长19.8%）、汽车安全与控制（复合年增长13.3%）和移动基础设施设备与家用电器（增长9.5%）对于产品类型的发展，未来电源管理芯片PMU（复合产品）的市场份额将会有所提高，尤其在便携设备中，PMU的发展将会更加快速.PMU与LDO和DC/DC这些单一功能产品不同，它可能同时集成多个LDO，DCIDC和充电管理等功能，在应用中往往相当于一个ASSP（专用标准产品），虽然不能完全解决某类设备的电源管理需求，但是能够满足一些相对通用的电源转换需求，例如手机应用的PMU可能同时处理手机平台下的LCD供电、存储器供电、摄像头供电、基带处理器供电、USB接口以及电池充电管理等问题，这样只需要再加上其它少量电源管理器件就可以解决整个手机的供电问题.LDO和DC/DC产品无疑是应用最大的两类产品，不过对于多数LDO和中低端DCIDC产品来说，由于进入门槛相对较低以及参与竞争厂商众多，未来价格还可能进一步下降".
上传时间： 2022-06-23
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1.1特点·可以驱动12V~36V电机相连，电机额定电流不超过4A。·可以与有位置传感器和无位置传感器的无刷电机相连。·对于有位置传感器的无刷电机，可以根据霍尔传感器进行换相；对于无位置传感器的无刷电机，可以根据感应电动势进行换相。·可以与编码器相连进行准确位置控制。·可以进行正反转控制。·驱动电路和控制电路完全隔离，避免驱动部分给控制部分带来干扰。·可以与YXDSP-F28335A，YXDSP-F28335B相连。1.3概述YX-BLDC系统主要包含两部分，分别为YX-BLDC的硬件系统与相应的测试软件。YX-BLDC采用驱动芯片+MOSfet的形式，可以将直流母线电压逆变成交流电压来达到对直流无刷电机的控制；YX-BLDC可与YX-28335相连，DSP输出的PWM经过隔离送入驱动芯片，后经MOSfet来达到对电机的变频调速。相应的测试软件包括以下几个部分：·有位置传感器无刷电机的开环控制·有位置传感器无刷电机的闭环控制，采用PID控制·无位置传感器无刷电机的开环控制·若与实验箱连，与上位机相连的有位置传感器的无刷电机的闭环PID控制
标签： blcd
上传时间： 2022-06-24
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关键字：12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时，电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时，负载调整率Si=5%~7%。为简化电路，这里采用了基本反馈方式。接通电源后，220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波，得到约+300V的直流高压，再通过高频变压器的初级线圈 N1，给WS157提供所需的工作电压。从次级线圈 N2上输出的脉宽调制功率信号，经 VD7，C4，L和C5进行高频整流滤波，获得 +12V，0.5A的稳压输出。反馈线圈 N3上的电压则通过 VD6，R2、C3整流滤波后，将控制电流加至控制端 C上。由VD5，R1，和C2构成的吸收回路，能有效抑制漏极上的反向峰值电压。该电路的稳压原理分析如下：当由于某种原因致使Uo4时，反馈线圈电压及控制端电流也随之降低，而芯片内部产生的误差电压 Urt时，PWM比较器输出的脉冲占空比 Dt，经过MOSfet和降压式输出电路使得 Uot，最终能维持输出电压不变。反之亦然。如图所示12v开关电源电路图
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-26
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<h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）两种nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示衬底（B）和源极（S）相连。mos和mos4能调整的属性不同，如图：本例中要设置mos管的W-0.18u，L=0.18u，选用nmos4和pmos4.<h3>布线<h3>如图1，其中，mos管Gate靠近的那一极好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加电路名称，功能（如果需要），参数设定。<h2>封装<h2>电路设计采用层次化的方式，为了上层电路的调用，往往把底层的电路做好后进行封装，其实进行封装不仅有利于上层电路调用，还有利于测试。建一个New Symbol，该Symbol里的pin的名称必须和封装电路中的一样。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type选Block，其他都保持不填。与.asc文件放入同一文件夹。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一个文件夹下即可，不需特别关联。
上传时间： 2022-06-27
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无刷直流电机广泛应用于电动摩托车上，它的控制器直接影响电动摩托车的质量和运行效率。但目前市场上控制器的控制芯片大多不具备专业无刷直流电机控制模块，在外围电路的设计中需要搭建很多的逻辑门电路来实现控制器MOSfet电桥的逻辑驱动控制，在MOSfet上下桥臂的互锁功能和死区时间的设置等都靠模拟电路去实现，可靠性及维修性较差，本文利用具有ARM Cortex-M3内核的STM32芯片的高性能和灵活的配置，研制了一种应用于电动摩托车上的低压大功率低成本的无刷直流电机控制器，很好地解决了这一问题。论文的主要研究内容如下：（1）做了大量调研工作对现有的控制器进行分析比较，从中筛选出最佳的开发方案。（2）建立了无刷直流电机的控制仿真模型，用Proteus软件对无刷直流电机的驱动方式以及调速原理进行了仿真，通过仿真结果的分析对所设计的实际电路进行了改进。（3）建立了MOSfet的驱动电路的仿真模型，对驱动电路中的电子元件的作用进行了全面的分析，结合芯片内部特征通过仿真软件LTspice IV对实际驱动电路进行了验证。（4）建立了STM32开发以及仿真调试环境，完成了全部程序的设计。（5）搭建了一个小型的开发系统，对控制器的硬件和软件进行了调试，研制出电动摩托车无刷直流电机控制器的样机。
上传时间： 2022-06-29
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