采用56F803型DSP作为控制器。目前DSP已非常普遍，采用56F803型DSP作为控制电路的核心处理器．它内置2 KB SRAM，31．5 KB FLASH，同时，其40 MHz的CPU时钟频率比其他单片机具有更强的处理能力。6路PWM信号可以实现高频逆变电路开关管MOSfet的移相控制。12位A／D转换器采集可以实现电压和电流采样并满足采样数据精度的要求。利用56F803型DSP中定时器的捕获功能可以精确计算相位差大小，实现系统的频率跟踪控制。串行外设接口SPI与MCl4489配合使用可以实现对5位半数码管的控制．从而实现系统频率和功率的显示。另外，56F803还支持C语言与汇编语言混合编程的 SDK软件开发包．可以实现在线调试。
上传时间： 2022-07-09
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摘要：本文介绍了一种基于单片机的太阳能控制器，系统使用STCl5F2K61S2单片机作为控制电路的核心器件。此设计使用PWM(脉宽调制)控制技术和控制MOSfet管开启和关闭来控制蓄电池充放电。实验结果表明，该控制器性能可靠，可以监视太阳能电池和蓄电池状态，实现控制蓄电池最优充放电，达到延长蓄电池的使用寿命的目的。
上传时间： 2022-07-10
上传用户：得之我幸78
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSfet、SiC MOSfet和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSfet(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSfet(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSfet）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSfet设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSfet。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSfet。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSfet时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
上传用户：zhaiyawei
电子水泵参考系统（EWP）内置用于无传感器BLDC的电机控制逻辑；内置用于驱动MOSfet的预驱。内置电机控制逻辑和预驱无传感器BLDC单片解决方案内置多重保护：过流、过温、高压、低压、堵转特性应用领域● 内置用于无传感器BLDC 的电机控制逻辑● 采用铜连接的低内阻的 MOSfet● 采用车载级主控MCU● PWM控制输入● 预留状态输出端口● 水泵、油泵、风机电子水泵参考系统（EWP）TB9061AFNG内置用于无传感器BLDC的电机控制逻辑；内置用于驱动MOSfet的预驱。
上传时间： 2022-07-22
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AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSfet，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。
上传时间： 2022-07-23
上传用户：trh505
DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSfet。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器的电源范围为6至60-V，4至60-V用于可选降压调节器。
标签： drv8320
上传时间： 2022-07-26
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鉴于超磁致伸缩材料作换能器的大功率超声波发生器需正弦激励方可达到最高效率，高频大功率超声正弦电源已构成超声波应用瓶颈。就国内而言，大功率正弦波电源局限于400Hz以下低频，高频逆变电源也仅为方波，无法满足超声波发生器的正弦激励需求。本课题针对电源逆变开关管工作频率高、开关损耗大、输出功率大等特点，从基本拓扑结构和工作原理入手，基于SPWM逆变技术，对硬件构成、控制方案、参数选择及软件实现等问题进行了分析和论证；运用了HPWM控制方式与ZVS谐振软开关技术；采用了MOSfet并联运行方式，解决了工作频率高与输出功率大的矛盾；采用80C196MC作主控芯片以软体生成SPWM波；以性能优异的LM5111芯片作驱动。实验表明，本课题提出的高频大功率正弦波电源性能优良、应用前景看好。
上传时间： 2022-07-26
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ST MOS管选型表内含产品型号规格目录、PN构成表、封装清单和ST公司联系购买二维码
标签： MOSfet
上传时间： 2022-07-28
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该变换器由开关电桥(半桥MOSfet)、LLC谐振电路、全桥整流器和输出滤波器(Co)组成。谐振电路由变压器的一次漏感(Llkp)、二次漏感(Llks)、磁化电感(Lm)和电容Cr组成
上传时间： 2022-07-28
上传用户：aben
