The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by a N-channel vertical power MOSfet with charge pump. The design is based on Smart SIPMOS chip on chip technology. The BTS5016SDA has a current controlled input and offers a diagnostic feedback with load current sense and a defined fault signal in case of overload operation, overtemperature shutdown and/or short circuit shutdown.
上传时间： 2019-03-27
上传用户：guaixiaolong
AEC-Q100 qualified • 12 V and 24 V battery systems compliance • 3.3 V and 5 V logic compatible I/O • 8-channel configurable MOSfet pre-driver – High-side (N-channel and P-channel MOS) – Low-side (N-channel MOS) – H-bridge (up to 2 H-bridge) – Peak & Hold (2 loads) • Operating battery supply voltage 3.8 V to 36 V • Operating VDD supply voltage 4.5 V to 5.5 V • All device pins, except the ground pins, withstand at least 40 V • Programmable gate charge/discharge currents for improving EMI behavior
标签： configurable Automotive pre-driver suitable channel systems MOSfet fully High side
上传时间： 2019-03-27
上传用户：guaixiaolong
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSfet和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSfet 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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基于TMS320F2812 光伏并网发电模拟装置PROTEL设计原理图+PCB+软件源码+WORD论文文档,硬件采用2层板设计，PROTEL99SE 设计的工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的学习设计参考。 摘要：本文实现了一个基于TMS320F2812 DSP芯片的光伏并网发电模拟装置，采用直流稳压源和滑动变阻器来模拟光伏电池。通过TMS320F2812 DSP芯片ADC模块实时采样模拟电网电压的正弦参考信号、光伏电池输出电压、负载电压电流反馈信号等。经过数据处理后，用PWM模块产生实时的SPWM 波，控制MOSfet逆变全桥输出正弦波。本文用PI控制算法实现了输出信号对给定模拟电网电压的正弦参考信号的频率和相位跟踪，用恒定电压法实现了光伏电池最大功率点跟踪（MPPT），从而达到模拟并网的效果。另外本装置还实现了光伏电池输出欠压、负载过流保护功能以及光伏电池输出欠压、过流保护自恢复功能、声光报警功能、孤岛效应的检测、保护与自恢复功能。系统测试结果表明本设计完全满定设计要求。关键词：光伏并网，MPPT，DSP Photovoltaic Grid-connected generation simulator Zhangyuxin，Tantiancheng，Xiewuyang(College of Electrical Engineering, Chongqing University)Abstract: This paper presents a photovoltaic grid-connected generation simulator which is based on TMS320F2812 DSP, with a DC voltage source and a variable resistor to simulate the characteristic of photovoltaic cells. We use the internal AD converter to real-time sampling the referenced grid voltage signal, outputting voltage of photovoltaic, feedback outputting voltage and current signal. The PWM module generates SVPWM according to the calculation of the real-time sampling data, to control the full MOSfet inverter bridge output sine wave. We realized that the output voltage of the simulator can track the frequency and phase of the referenced grid voltage with PI regulation, and the maximum photovoltaic power tracking with constant voltage regulation, thereby achieved the purpose of grid-connected simulation. Additionally, this device has the over-voltage and over-current protection, audible and visual alarm, islanding detecting and protection, and it can recover automatically. The testing shows that our design is feasible.Keywords: Photovoltaic Grid-connected，MPPT，DSP 目录引言 11. 方案论证 11.1. 总体介绍 11.2. 光伏电池模拟装置 11.3. DC-AC逆变桥 11.4. MOSfet驱动电路方案 21.5. 逆变电路的变频控制方案 22. 理论分析与计算 22.1. SPWM产生 22.1.1. 规则采样法 22.1.2. SPWM 脉冲的计算公式 32.1.3. SPWM 脉冲计算公式中的参数计算 32.1.4. TMS320F2812 DSP控制器的事件管理单元 42.1.5. 软件设计方法 62.2. MPPT的控制方法与参数计算 72.3. 同频、同相的控制方法和参数计算 8
标签： tms320f2812 光伏 并网发电 模拟 protel pcb
上传时间： 2021-11-02
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Wide 2.2V to 6V Input Voltage Range 0.20V FB adjustable LED drive current Directly drive 9 Series 1W LED at VIN>=6V Fixed 800KHz Switching Frequency Max. 3A Switching Current Capability Up to 92% efficiency Excellent line and load regulation EN PIN TTL shutdown capability Internal Optimize Power MOSfet
标签： sc3633
上传时间： 2021-11-05
上传用户：d1997wayne
本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSfet、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSfet、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
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AC220V转DC(12V15W )电源板AD设计硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为100*55mm, ALTIUM设计的原理图+PCB文件，可以做为你的学习设计参考。主要器件型号如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSfetPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上传时间： 2021-11-21
上传用户：kent
SH367309是5-16串锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。 SH367309工作在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。 SH367309工作在采集模式下，可配合MCU管理锂电池Pack，同时使能所有保护功能。 SH367309内置VADC，用于采集电芯电压、温度以及电流；内置CADC采集电流，用于统计Pack剩余容量；内置EEPROM，用于保存保护阈值及延时等可调参数；内置TWI通讯接口，用于操作相关寄存器及EEPROM。产品特性介绍■ 硬件保护功能 - 过充电保护功能 - 过放电保护功能 - 充放电高温保护功能 - 充放电低温保护功能 - 充放电过流保护功能 - 短路保护功能 - 二次过充电保护功能 - 断线保护功能■ 内置平衡开关■ 禁止低压电芯充电功能■ 小电流检测功能■ 支持乱序上下电■ 内置看门狗模块■ 模式设计 - 采集模式（SH367309配合MCU应用） - 保护模式（SH367309独立应用） - 仓运模式 - 烧写模式■ 13-bit VADC用于采集电压/温度/电流 - 转换频率：10Hz - 16路电压采集通道 - 1路电流采集通道 - 3路温度采集通道■ 16-bit Ʃ-∆CADC用于采集电流 - 转换频率：4Hz■ 内置EEPROM - 编程/擦除次数：≤ 100次■ 稳压电源 - 3.3V（25mA@MAX）■ MOSfet驱动：电池组负端NMOS驱动■ CTL管脚：优先控制充放电MOSfet关闭■ TWI通讯接口：支持CRC8校验■ 低功耗设计： - IDLE状态 - SLEEP状态 - Powerdown状态■ 封装 - TQFP48L
标签： sh367309
上传时间： 2021-11-22
上传用户：jason_vip1
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振(Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSfet 的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源的EMI 特性，允许设计人员减少使用滤波器的数目，因而降低成本。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实施，并说明这类反激式电源的使用价值。
标签： 电源
上传时间： 2021-11-23
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，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSfet和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件
标签： 开关电源
上传时间： 2021-11-24
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