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ldo

ldo即lowdropoutregulator,是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7v,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况,芯片制造商们才研发出了ldo类的电压转换芯片。
  • ldo线性稳压器动态频率补偿电路设计

    摘要:对ldo线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了ldo稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词:ldo;稳定性;ESR;动态频率补偿

    标签: ldo 线性稳压器 动态 电路设计

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:gtf1207

  • ldo基本原理与设计介绍

    ldo 基本原理与设计

    标签: ldo

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:silenthink

  • 一种无片外电容ldo的稳定性分析

    电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统ldo和无片电容ldo的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容ldo,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容ldo的片上补偿电容仅为3 pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz

    标签: ldo 无片外电容 稳定性分析

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:wangjin2945

  • 一种无片外电容ldo的瞬态增强电路设计

    利用RC高通电路的思想,针对ldo提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了ldo的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此ldo芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个ldo是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

    标签: ldo 无片外电容 瞬态 电路设计

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:niumeng16

  • ldo使用之热阻考虑

    ldo使用之热阻考虑

    标签: ldo 热阻

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:bs2005

  • 如何选择电源芯片,开关电源和ldo

    本文详细讲述了如何选择电源芯片,开关电源和ldo在选用时的注意事项

    标签: ldo 如何选择 电源芯片 开关电源

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:米卡

  • 德州仪器技术专家分享:ldo噪声详解

      随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加,人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件,而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时,时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声,便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 ldo 拓扑进行仔细研究,找出其主要噪声源,并给出最小化其输出噪声的一些方法。   表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出,它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性,线性电压稳压器(例如:低压降电压稳压器,ldo),始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。   基本 ldo 拓扑   一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路,其负反馈与内部参考比较,以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。    图 1 显示了一个 ldo 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压,以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较,提供栅极驱动电压 VGATE。最后,误差信号驱动输出晶体管 NFET,以对 VOUT 进行调节。    图 1 ldo 负反馈环路    简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集(电压跟随器或者功率缓冲器)。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号,其参考 VREF。在稳定状态下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:

    标签: ldo 德州仪器

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:jiwy

  • ldo PSRR测量简化说明-ldo电源芯片测试要点

    ldo电源芯片测试技术

    标签: ldo PSRR 测量 测试

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:hjshhyy

  • ldo和DCDC的比较

    ldo和DCDC应用的场合和区别

    标签: DCDC ldo 比较

    上传时间: 2013-11-25

    上传用户:黄华强

  • ldo稳压器高精度电压基准源的分析与设计

    超低漏失线性稳压器的技术关键,是基准源模块的设计,在对双极型ldo稳压器进行分析的基础上,提出了对其关键模块基准电压源进行高精度的设计的方案。

    标签: ldo 稳压器 电压基准源

    上传时间: 2013-12-07

    上传用户:guojin_0704