Study on LD Pumped Yb3+ -Doped Double-clad Fiber Lasers数值分析对线形腔LD泵浦掺镱的双包层光纤激光器进行研究，分析了单端泵浦和双端泵浦的泵浦光及激光输出功率和增益在光纤中的分布，结果表明，非均匀泵浦比较适合高功率光纤激光器。
标签： Double-clad Pumped Lasers Study
上传时间： 2013-12-25
上传用户：jichenxi0730
Study on LD Pumped Yb3+ -Doped Double-clad Fiber Lasers数值分析对线形腔LD泵浦掺镱的双包层光纤激光器进行研究，分析了单端泵浦和双端泵浦的泵浦光及激光输出功率和增益在光纤中的分布，结果表明，非均匀泵浦比较适合高功率光纤激光器。
标签： Double-clad Pumped Lasers Study
上传时间： 2014-01-12
上传用户：我们的船长
EDFA - Erbium Doped Fibre Amplifier
标签： Amplifier Erbium Doped Fibre
上传时间： 2014-11-06
上传用户：ayfeixiao
An optical fiber amplifier is a key component for enabling efficient transmission of wavelength-divisionmultiplexed(WDM)signalsoverlongdistances.Eventhough many alternative technologies were available, erbium-Doped fiber amplifiers won theraceduringtheearly1990sandbecameastandardcomponentforlong-haulopti- caltelecommunicationssystems.However,owingtotherecentsuccessinproducing low-cost, high-power, semiconductor lasers operating near 1450 nm, the Raman amplifiertechnologyhasalsogainedprominenceinthedeploymentofmodernlight- wavesystems.Moreover,becauseofthepushforintegratedoptoelectroniccircuits, semiconductor optical amplifiers, rare-earth-Doped planar waveguide amplifiers, and silicon optical amplifiers are also gaining much interest these days.
标签： Propagation Light Media Gain in
上传时间： 2020-05-27
上传用户：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
标签： Protection CMOS ESD ICs in
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
