fpga+sdram+PHY 芯片设计原理图
上传时间: 2013-08-14
上传用户:chongcongying
原版的外文书,基于FPGA的SDRAM设计,相信大家都会感兴趣!
上传时间: 2013-08-19
上传用户:heart_2007
针对主控制板上存储器(SRAM) 存储的数据量小和最高频率低的情况,提出了基于SDR Sdram(同步动态RAM) 作为主存储器的LED 显示系统的研究。在实验中,使用了现场可编程门阵列( FPGA) 来实现各模块的逻辑功能。最终实现了对L ED 显示屏的控制,并且一块主控制板最大限度的控制了256 ×128 个像素点,基于相同条件,比静态内存控制的面积大了一倍,验证了动态内存核[7 ]的实用性。
上传时间: 2013-08-21
上传用户:sjw920325
SDRAM控制模块;图象采集系统说明性稳当;DSP图象采集系统。SDRAM作为存储器。
上传时间: 2013-08-23
上传用户:plsee
nois中基于c的ddr等存储器的checksum的实现.
上传时间: 2013-08-26
上传用户:1966640071
ALLEGRO 约束规则设置步骤(以DDR 为例),同样为pdf格式方便大家下载使用
上传时间: 2013-09-03
上传用户:jx_wwq
用allegro画的ddr存储器电路。六层板设计,很好的参考资料
上传时间: 2013-09-06
上传用户:ddddddos
DDR内存布线指导,DDR_Layout_Guide。
标签: DDR_Layout_Guide DDR 内存 布线
上传时间: 2013-10-18
上传用户:胡萝卜酱
DDR走线要点。
上传时间: 2013-11-25
上传用户:123456wh
第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲(Unbuffered)内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器(Registered)的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源,参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨,本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR,它们都被称为同步动态内存,其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进,所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate,也就是双倍的数据传输率,但是其时钟频率没有增加,只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间: 2014-01-13
上传用户:euroford