雪崩击穿与齐纳击穿的区别
上传时间： 2013-11-18
上传用户：linyao
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：603100257
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
简单的基于DES的加密算法及雪崩效应分析。请仔细阅读内附的说明文件。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：爺的气质
雪崩光电二极管APD的偏压产生电路。偏压调节范围30V~71V。
上传时间： 2015-12-10
上传用户：xuanchangri
DES加密的雪崩效应分析，按照作业要求做的。
上传时间： 2016-03-03
上传用户：a6697238
TVS的特性及主要参数 1、TVS的特性曲线TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS的电流，由原来的反向漏电流
上传时间： 2013-12-17
上传用户：teddysha
利用des算法实现BMP的加解密 ,并能够成功的对于图象使用CRC加密,并有雪崩和线形分析
上传时间： 2013-12-12
上传用户：ywqaxiwang
复杂网络已经成为物理学中一个富有挑战性的课题。网络灾变是传播过程中随处可见的,这种灾变效应 就像雪崩,迅速在网络中传播。探讨网络灾变的形成机理是十分必要的。本文就复杂网络上的雪崩动力学的研 究进展作一个概述
上传时间： 2014-01-11
上传用户：大三三
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉LC 振荡电路频率偏高，从而引起功率管IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF 和5uF 电容一起更换。二：IGBT 管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT 管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT 管的G 极，导致IGBT 管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。三：同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G 极上的开关脉冲前沿与IGBT 管上VCE 脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时， 导致IGBT管瞬间击穿损坏。
上传时间： 2022-06-22
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