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电力半导体器件

  • Silvaco电子书

    Silvaco电子书中文版,现代电子工业飞速发展,极大地改善了人们的生产和生活。半导体器件的持续改进、完 善以及不断涌现的新器件促使电子工业加速发展。但激烈的竞争也让半导体行业倍感压力。 由于技术更新快,设备和原材料的投入相当巨大,现在建立一条生产线动辄要数亿美元。对 高技术人才的要求也是前所未有的。 

    标签: Silvaco 电子书

    上传时间: 2020-04-20

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  • L6599AD-应用电路.pdf

    随着开关电源的发展,软开关技术得到了广泛的发展和应用,已研究出了不少高效率的电路拓扑,主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来,随着半导体器件制造技术的发展,开关管的导通电阻,寄生电容和反向恢复时间越来越小了,这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。对于谐振变换器来说,如果设计得当,能实现软开关变换,从而使得开关电源具有较高的效率。LLC谐振变换器实际上来源于不对称半桥电路,后者用调宽型(PWM)控制,而LLC谐振是调频型(PFM)。

    标签: l6599

    上传时间: 2021-11-25

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  • 功率半导体器件芯片背面多层金属层技术讲解

    该文档为功放电源线功放延时器知识的简介讲解文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………

    标签: 功率半导体器件

    上传时间: 2021-12-01

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  • 美国模拟电子技术教材 博伊尔斯塔德

    本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础。两位作者Robert L.Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授,在电子电路学科领域出版了多部优秀教材,受到很高的评价。本书自1972年首次出版至今已经修订至第九版,涵盖了更广泛和新颖的内容,成为流行30多年的优秀经典教材。这本改编版在第九版原版内容的基础上,结合国内高等教育中模拟电子电路课程的特点,进行了部分内容的调整。 内容提要 本书是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth.Edition之英文改编版《模拟电子技术》的翻译版,内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编,精简了内容,突出了重点,补充了必要知识点,内容更加新颖和系统化,反映了器件和应用的发展趋势,强调了系统工程的概念。 本书与英文版教材配套使用,适合电子、计算机、通信等相关专业电子电路基础课程40学时到68学时的中文或双语教学要求,也可供相关专业工程技术人员的学习和参考。 

    标签: 模拟电子

    上传时间: 2022-03-21

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  • IC芯片的常用贴片3D封装形式lukougao

    本封装库包括大多数IC和半导体器件常用的贴片封装形式,并且绝大多数都含有3D模型。ESOP:2种LQFP:72种,几乎包含了所有尺寸;MSOP:3种QFN:40种SOIC:13种,SOIC4~SOIC30,两种不同宽度都有SOJ:6种SOP:SOP4~SOP3030,SOT:54种,绝对有你想要的。SSOP:20种。

    标签: ESOP LQFP MSOP QFN SOIC SOJ SOP SOT SSOP 3Dlukougao

    上传时间: 2022-04-25

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  • AEC-Q100G 中文资料

    本文件包括了一系列应力测试失效机理、 最低应力测试认证要求的定义及集成电路认证的参考测试条件。 这些测试能够模拟跌落半导体器件和封装失效, 目的是能够相对于一般条件加速跌落失效。 这组测试应该是有区别的使用,每个认证方案应检查以下: a、任何潜在新的和独特的失效机理;b、任何应用中无显现但测试或条件可能会导致失效的情况;c、任何相反地会降低加速失效的极端条件和应用 。使用本文件并不是要解除 IC 供应商对自己内部认证项目的责任性, 其中的使用者被定义为所有按照规格书使用其认证器件的客户, 客户有责任去证实确认所有的认证数据与本文件相一致。 供应商对由其规格书里所陈述的器件温度等级的使用是非常值得提倡的。 此规格的目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。 如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果, 那么将允许供应商声称他们的零件通过了 AEC Q100认证。供应商可以与客户协商,可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些, 但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了 AEC Q100认证。

    标签: AEC-Q100G 应力测试

    上传时间: 2022-05-08

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  • 模拟电子技术基础PDF文件

    《模拟电子技术基础(第3版)》第一、第二版曾分别获国家教委优秀教材一等奖和国家级优秀教材奖。根据十年来电子技术的新发展和丰富的教学实践,新版对第二版进行了全面修订。在基本保留第二版理论体系的基础上,精炼了基础部分,适当拓宽了知识面,新增了自测题,并力图在文字叙述方面更具启发性,有利于学生创新意识的培养。《模拟电子技术基础(第3版)》主要内容包括:常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的变换、功率放大电路、直流电源和模拟电子电路读图。《模拟电子技术基础(第3版)》适于作为高等院校电气信息类各专业的教科书,也可供其它相关专业选用和社会读者阅读。

    标签: 模拟电子技术

    上传时间: 2022-05-25

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  • JEDEC JESD22-B116 键合剪切试验

    半导体器件 引线键合试验方法。

    标签: jedec标准

    上传时间: 2022-06-03

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  • CCD相机电子快门控制技术的研究

    CCD(Charge Coupled Device)是电荷耦合器件的缩写,它是一种特殊的半导体器件,是一种新型的固体成像器件。它既具有光电转换的功能,又具有信号电荷的存储、转移和读出的功能。CCD应用技术是光、机、电和计算机相结合的高新技术。目前,CCD技术广泛应用于视频处理的前端,它通过光电转换将光信号转化为电信号,以便于后续电路的处理。本文从CCD出发,系统地介绍了CCD的发展、结构、特点和分类,并以CV-A50/CV-A60相机为例,阐述CCD相机的控制时序,并介绍了调光的种类及各自的优缺点。本文以AT mega16单片机为例,详细地介绍了用AVR单片机控制调光的硬件和软件的实现,为调光系统的设计提供了一种新的思路。目前,视频技术已经广泛应用于监控和测量领域,并在宁航、遥感、军用设备、自动控制等方面有很多应用。民用的CCD相机,广泛应用在各种需要监视和图像采集的环境中。例如:银行监视器的镜头,数码相机镜头,数码摄像机镜头,手机镜头等中都得到了广泛的使用。视频技术通常由采集,处理和分析三部分组成。作为图像采集前端的CCD,承担着将光信号转变成电信号的任务,直接影响着后续的计算机图像处理的效果,对整个系统的性能起着重要作用。快门时间是CCD的重要指标,影响着CCD的图像质量和速度。因此,合理的选择快门时间是非常重要的。有些相机具有自动快门,能够较好的控制曝光时间,有些可以通过跳线设置快门,根据观察的结果进行设置。先进的快门控制是通过调光板实现的,通过对背景环境的预测,结合一定的算法,来合理的设置快门时间。一般来说,CCD相机可以内部产生各种同步信号和控制时序,也可以通过外部控制来调节CCD的快门时间和相机的进光量,以达到帧速度和视频质量的较好匹配。目前,对CCD相机调光的控制可分为机械调光,液品调光和电子调光等方式 其中,电子调光是常用的方式。本设计基于AT megal6单片机控制,通过C语言编程,达到调光的目的。

    标签: ccd 电子快门控制技术

    上传时间: 2022-06-18

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  • MOSFET和IGBT区别

    MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素, 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外, IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路(见图1)可看出,完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾( voltage tail )出现。

    标签: mosfet igbt

    上传时间: 2022-06-21

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