缓冲电路（Snubber Circuit）又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流di/dt,减小器件的开关损耗。缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
上传时间： 2016-05-01
上传用户：cx111111
国标类相关专辑 313册 701MGB-T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法.pdf
标签：
上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
器件数据手册专辑 120册 2.15G国内外半导体光电器件实用手册 1160页 21.1M.pdf
标签：
上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
杂志及论文专辑 19册 720M美国半导体分立器件型号命名方法 1页 0.1M pdf版.pdf
标签：
上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：
该文档为半导体功率器件的背面结构的制作技术总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 半导体功率器件
上传时间： 2021-11-30
上传用户：
该文档为新型亚纳秒高功率半导体开关器件讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率半导体
上传时间： 2021-12-04
上传用户：
该文档为碳化硅功率器件的发展现状及其在电力系统中的应用展望总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2021-12-12
上传用户：
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
上传时间： 2022-01-03
上传用户：
该文档为意法半导体24V功率器件电流值总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2022-02-13
上传用户：
