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电力半导体器件

  • 电力电子电容

    直流支撑电容器,又称DC-Link电容器。直流支撑电容器,属于无源器件的一种。直流支撑电容器,现主要采用聚丙烯薄膜介质直流支撑电容器,其具有耐电压高、耐电流大、低阻抗、低电感、容量损耗小、漏电流小、温度性能好、充放电速度快、使用寿命长(约10万小时)、安全防爆稳定性好、无极性安装方便等优点。被广泛应用于电力电子行业  

    标签: 电力电子 电容

    上传时间: 2019-06-16

    上传用户:abcdyifei

  • CAD电气符号库(GB4728)全部打包下载

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    标签: cad 电气符号

    上传时间: 2021-12-02

    上传用户:trh505

  • 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战

    作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ,其 中 结 型 栅 结 构 (p 型 栅 )和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ,并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ,业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ,仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。

    标签: 第三代半导体 GaN 功率开关器件

    上传时间: 2021-12-08

    上传用户:XuVshu

  • 光时域反射仪的激光驱动电源设计与光电探测实现

    随着光通信的蓬勃发展,光纤通信技术广泛应用于电信、电力、广播等领域,对整个信息产业产生了深远影响,光纤已成为当前最有前景的传输媒介。与此同时,光纤測试技术在光纤生产、现场铺设与后期维护等工程领域中得到广泛应用。光时域反射仪(Optical Time Domain Reflectometer),又称背向散射仪,是一种用于表征光纤链路物理特性的精密光学测试仪器,主要用于测试光纤链路长度,精确定位断点事件,计算光纤损耗,并提供与长度有关的衰减细节。光纤链路中待测光纤的测量长度范围和测量精度,取决于OTDR的激光出纤功率和光脉宽。因此,需要设计合适的激光脉冲驱动电源及配套的控制和探测系统,研究激光出纤功率和脉宽对测量长度和测量精度的影响,从而获得能满足不同光纤链路测量需求的OTDR系统解决方案。文章在具体描述了光时域反射仪的工作机理以及影响其主要性能的关键参数的基础上,提出以设计能提供大功率、窄脉冲电流信号的激光驱动电源作为提高OTDR性能的主要手段。在掌握半导体激光驱动原理的基础上,经过细致地比较与方案论证提出以 MOSFET作为激光脉冲驱动电源的开关器件,以能量储存法作为窄脉冲产生机制的脉冲电源设计方案,设计实现基于FPGA的触发脉冲信号,并通过 Multisim对系统硬件电路仿真优化,实现激光脉冲驱动大功率、窄脉宽输出。以雪崩二极管作为光电探测系统关键响应转换器件验证驱动电源性能,并完成光纤测距。最终成功研制出一套基于纳秒脉冲激光和对应光电探测系统的OTDR系统,并进行了实际测试测试和研究结果显示:所研制的脉冲激光电源能输出的最小脉宽为33n,最小输出峰值电流为1A,且峰值电流及频率大小可调。大电流窄脉宽驱动电源信号输出可极大地增强光时域反射仪的动态范围以及分辨率,探测器分时调控测量技术可以极大地提高系统的测量精度和信噪比。

    标签: 激光 驱动 电源 光电探测

    上传时间: 2022-03-11

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  • 基于MATLAB的无桥PFC电路仿真

    摘要:文中分析了功率因数校正的必要性,对有源功率因数校正主电路拓扑做了对比分析,确定本文选用无桥拓扑。分析了无桥PFC电路的原理和优缺点,可以看到无桥电路具有开关器件少,功耗低,成本小,电路体积小的优点。在控制方案选择单周期控制,并采用Malab Simulink仿真平台建立仿真模型,通过仿真表明,单周期控制的无桥PFC达到功率因数提高的目的。关键词:功率因教校正;无桥;单周期;Matlab随着电力电子技术的发展,电网中整流器、开关电源等非线性负载不断增加。这些存在冲击性的用电设备,将引起网侧输人电流发生严重畸变,产生大量造波污染,导致电网功率因数过低,所以提高功率因数势在必行"早期功率因数校正采用在整流器后加滤波电感电容实现,功率因数一般只有0.6左右;在20世纪90年代,有源功率因数校正(APFC)产生,是在整流器和负载之间接入一个DC/DC开关变换器,应用电流反馈技术,使输入端电流波形跟踪交流输入正弦电压波形,可以使输入电流波形接近正弦,功率因数可提高到0.99以上。由于该方案采用了有源器件,故称为有源功率因数校正APFC1有源功率因数校正主电路拓扑1.1 传统Boost拓扑传统Boost PFC电路由整流桥和PFC组成,如图1所示。传统Boost PFC电路工作时通过控制开关管的动作,采用反馈来控制电流波形,这样可以使交流网侧输入电流跟踪输入交流电压而接近正弦波,来提高功率因数。但其流通路径有3个半导体工作,当变换器功率和开关频率提高时,系统的系统通态损耗明显增加,整体效率低29

    标签: matlab pfc

    上传时间: 2022-06-17

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  • 三相10KVA UPS电源初步设计

    为了满足一些重要用电设备的连续供电,对电网供电提出了更高的要求。为此,引入一种新型UPS是不间断电源(uninterruptible power system)的英文简称,是能够提供持续、稳定、不间断的电源供应的重要外部设备。UPS先将交流电直流成直流电,一路给蓄电池充电,一路经逆变器变成恒压恒频的交流电,不论是市电供电还是断电由电池供电,总是通过逆变系统提供电力,因而市电停电或来电时无任何转换间断,市电的干扰也完全不影响到UPS的输出端,另外,UPS提供的电力为纯净的正弦波交流电,适用的负载范围宽,可以为多种精密用电设备提供稳定的不间断电源,此外,UPS的优点还在于它的零转换时间以及高质量的输出电源品质,因此它更适合于一些关键性的应用场合.UPS由于其工作方式是先对电池充电,然后再由逆变器将电池的电能逆变成交流,因此在电能的转化过程中有一部分电能将被损失掉。电子技术是根据电子学的原理,运用电子器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学,包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括Analog(模拟)电子技术和Digital(数字)电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术,处理的方式主要有:信号的发生、放大、滤波、转换。现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件,其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。

    标签: UPS电源

    上传时间: 2022-06-19

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  • 三菱第五代IGBT应用手册

    三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术,并具有正温度系数特征,与传统的沟槽型构造IGBT相比,降低了集电极一发射极间饱和电压,从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术,大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版,旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理,更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点:1,采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构(CSTBT)改善了关断损耗(Eoff)和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞(PCM)的使用增强了短路承受能力(SCSOA)并降低了栅极电容,从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:shjgzh

  • LED与OLED显示技术发展综述

    LED(发光二极管)是一种电致发光的光电器件,是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式,用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。LED显示屏是20世纪90年代出现的新型平板显示器件,由于其亮度高、画面清晰、色彩鲜艳,使它在公众多媒体显示领域一枝独秀,LED显示器作为现代信息发布的重要媒体,在金融证券、体育、教育、交通、旅游、工业、商业、电力、电信、仓储、矿山、广告宣传和国防军事等许多领域得到了广泛的应用,因此市场空间巨大。相对于现在市面上主流的LCD显示技术,LED在亮度、功耗、可视角度和刷新速率等方面,都更具优势。LED与LCD的功耗比大约为10:1,而且更高的刷新速率使得LED在视频方面有更好的性能表现,能提供宽达160的视角可以显示各种文字、数字、彩色图像及动画信息,也可以播放电视、录像、VCD.DVD等彩色视频信号,多幅显示屏还可以进行联网播出。有机LED显示屏的单个元素反应速度是LCD液晶屏的1000倍,在强光下也可以照看不误,并且适应零下40度的低温。利用LED技术,可以制造出比LCD更薄、更亮、更清晰的显示器,拥有广泛的应用前景。

    标签: led oled

    上传时间: 2022-06-23

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  • 半导体芯片失效分析

    从典型的表面贴装工厂的实践来看,半导体失效原因主要分为与材料有关的失效、与工艺有关的失效,以及电学失效。通常与材料和工艺有关的失效发生的较为频繁,而且失效率很高,但是占有90%以上的失效并不是真正的失效,有经验的工艺工程师和失效分析工程师可以通过 射线焊点检测仪、扫描电子显微镜、能量分散谱、于同批产品交叉试验就可以确定失效与否,从而找到真正的原因。本文基于摩托罗拉汽车电子厂的实践简要介绍前两种失效形式,着重研究电学失效的特点和形式,前两种失效形式往往需要靠经验来判断,而电学失效更需要一定的理论知识给与指导分析。电学失效中,首先介绍芯片失效分析手段、分析程序,以及国内外失效分析实验室设备情况,在电学失效分析中所面临的最大挑战是失效点的定位和物理分析,在摩托罗拉汽车电子厂实践中发现,对产品质量影响最主要的是接孔(Via)失效,它是汽车整车装配厂客户的主要抱怨以及影响产品可靠性导致整车召回的主要原因之一。本文基于接孔失效实际案例中的统计数据,讨论了接孔失效的失效分布状态函数,回归了威布尔曲线,计算出分布参数m和c:在阿列里乌斯(Arhenius)失效模型的基础上建立了接孔失效模型,并计算模型参数温度寿命加速因子,从而估算出受器件影响的产品的寿命。本文目的旨在基于表面贴装工厂的具体芯片失效统计数据,进行实际工程的失效分析,探索企业建立失效分析以控制产品质量、提高产品可靠性的机制

    标签: 半导体芯片

    上传时间: 2022-06-26

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  • 有源电力滤波器(APF)基础知识介绍

    1谐波和谐波分析2谐波治理方式及APF工作原理3我司APF系统架构及操作说明4部分厂家APF产品介绍5APF选型及应用场合注意事项主要参数对控制系统的影响(1)Udc越大,ic变化越快,但是器件耐压要求越高;(2)当Udc一定时,电容值越小,则直流母线电压波动越大,影响有源电力滤波器的补偿效果;电容值越大,则直流母线电压波动越小,但是电容体积和造价都会增加;(3)电感值L越大,电流的纹波越小,但补偿电流变化率就越小,电流跟踪能力就越弱;电感值越小,电流变化率越大,有源电力滤波器的动态响应速度越快,但电流变化就越剧烈,电流的纹波就越大(4)开关频率f越高,ic纹波越小,可以补偿的谐波次数越高,但对器件的要求越高,开关损耗也增大;开关频率越低,ic纹波电流越大,补偿效果越差

    标签: 电力滤波器

    上传时间: 2022-07-05

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