DETSC/0.4系列可控硅无功补偿装置是一种动态跟踪补偿的新型电子式无触点可控硅电容投切装置，利用大功率晶闸管组成低压双向可控硅交流无触点开关，可实现对多级电容器组的快速过零投切。在TSC装置电容器支路中串联适当的电感，可有效防止谐波放大、吸收部分谐波电流，起到谐波抑制的作用。同时该系列装置采用三相独立的控制技术有效解决了三相不平衡冲击负荷补偿的技术难题 ，装置响应时间小于20 ms，实现功率因数补偿至0.9以上的目的。是无功补偿领域中的升级换代产品。主要适用于工矿企业、石油、汽车、造船、发电厂、变电站、钢铁、冶金、化工、建筑、通信医院机场等负荷频繁变化的场所。
上传时间： 2013-10-18
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GPS-3303C直流稳压电源具有3组独立直流电源输出，3位数字显示器，可同时显示两组电压及电流，具有过载及反向极性保护，可选择连续/动态负载，输出 具有Enable/Disable 控制，具有自动串联及自动并联同步操作，定电压及定电流操作，并具有低涟波及杂讯的特点。
上传时间： 2014-12-24
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文中提出了一种应用于印刷电路板的新颖二维电磁带隙（MS-EBG）结构,其单位晶格由折线缝隙组合与正方形贴片桥接构成,以抑制同步开关噪声。结果表明,抑制深度为-30 dB时,与传统L-bridged EBG结构比较,新EBG结构的阻带宽度增加1.3 GHz,相对带宽提高了约10%,能够有效抑制0.6～5.9 GHz的同步开关噪声。
上传时间： 2013-11-07
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气体开关在脉冲功率技术中有着广泛的应用，并有着特殊重要的地位，而开关也是制约脉冲功率技术的关键因素之一。开关的特性决定了脉冲功率信号的上升时间、幅值、脉冲宽度等参数。开关导通过程中的电阻和电感决定了脉冲的参数，所以研究开关的动态特性是很重要的。在脉冲功率中，脉冲上升时间要求在纳秒级，开关的电感和电阻对脉冲上升时间有很大的影响，因此确定开关的电阻和电感是非常必要的，本文设计了通过测量开关短路状态下的电流曲线得出开关电感电阻的方法。一般脉冲功率技术对波形的前沿要求较为苛刻，本文着重研究了开关动态参数及回路参数对脉冲前沿的影响。同时本文还分析了气体开关能耗与开关参数的关系。本文还利用国际通用的电磁暂态仿真软件PSCAD/EMTDC对开关回路及动态过程进行了仿真。本文对开关进行了实际实验，测量了开关的自击穿电压及其电流和电压波形。在测量脉冲电流时使用了罗戈夫斯基线圈，本文介绍了罗戈夫斯基线圈的原理及结构。
上传时间： 2013-11-15
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目前的有源电力滤波器通常是采用基于瞬时无功功率理论的谐波电流检测方法。其中的ip-iq算法需要用到与电网电压同步的正余弦信号，即与电网电压同频同相的标准正余弦信号。该信号的获取可以采用锁相环加正余弦函数发生器的方法，也可采用软件查表的方法。本设计采用全硬件电路完成，即通过锁相环加正弦函数发生器的方法，可自动实时跟踪电网电压的频率和相位，不占用微处理器的软、硬件资源，大大降低了谐波检测算法编程的复杂度。
上传时间： 2013-10-22
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描述了三相电压源型PWM整流器的工作原理，基于整流器网侧电流矢量推导出同步旋转坐标系下系统的数学模型，给出了一种电流前馈解耦控制算法。同时详细介绍了基于电流前馈解耦的PWM整流器双环控制系统设计方法。并且应用TMS320LF2407A建立了PWM整流器的DSP数字化实验系统。实验结果表明，该整流器能获得单位功率因数的正弦输入电流、稳定的直流输出电压和快速的动态响应。
上传时间： 2013-10-11
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文章针对LDO稳定性的问题，提出了一种内部动态频率补偿电路，使LDO线性稳压器的稳定性不 受负载电容的等效串联电阻的影响，其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变，大大提高了瞬态响应特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工艺模型对电路进行仿真；此外，该电路在实现动态频率补偿的基础上又加人了 系统的过流保护功能，当负载电流大于限制电流时，LDO不能正常工作；当负载电流小于限制电流时，又自动 恢复到正常工作状态
上传时间： 2013-10-27
上传用户：黑漆漆
TSC系列可控硅动态无功功率补偿器采用大功率可控硅组成的无触点开关,对多级电容器组进 行快速无过渡投切,克服了传统无功功率补偿器因采用机械触点烧损,对电容冲击大等缺点。对各 种负荷均能起到良好的补偿效果。 TSC-W型补偿器采用的三相独立控制技术解决了三相不平衡冲 击负荷补偿的技术难题,属国内首创,填补了国内空白。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：199311
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
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上传时间： 2013-11-02
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