摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词：LDO；稳定性；ESR；动态频率补偿
标签： LDO 线性稳压器 动态 电路设计
上传时间： 2013-11-14
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LDO 基本原理与设计
标签： LDO
上传时间： 2013-10-30
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电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF，减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V，输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时，最小相位裕度为830，最小带宽为4.58 MHz
标签： LDO 无片外电容 稳定性分析
上传时间： 2014-12-24
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利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
标签： LDO 无片外电容 瞬态 电路设计
上传时间： 2013-12-20
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LDO使用之热阻考虑
标签： LDO 热阻
上传时间： 2013-10-12
上传用户：bs2005
本文详细讲述了如何选择电源芯片，开关电源和LDO在选用时的注意事项
标签： LDO 如何选择 电源芯片 开关电源
上传时间： 2013-10-11
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随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究，找出其主要噪声源，并给出最小化其输出噪声的一些方法。 表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出，它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性，线性电压稳压器（例如：低压降电压稳压器，LDO），始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。 基本 LDO 拓扑 一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路，其负反馈与内部参考比较，以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。 图 1 显示了一个 LDO 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压，以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较，提供栅极驱动电压 VGATE。最后，误差信号驱动输出晶体管 NFET，以对 VOUT 进行调节。 图 1 LDO 负反馈环路 简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集（电压跟随器或者功率缓冲器）。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号，其参考 VREF。在稳定状态下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
标签： LDO 德州仪器 家 分
上传时间： 2013-11-11
上传用户：jiwy
LDO电源芯片测试技术
标签： LDO PSRR 测量 测试
上传时间： 2013-11-22
上传用户：hjshhyy
LDO和DCDC应用的场合和区别
标签： DCDC LDO 比较
上传时间： 2013-11-25
上传用户：黄华强
超低漏失线性稳压器的技术关键，是基准源模块的设计，在对双极型LDO稳压器进行分析的基础上，提出了对其关键模块基准电压源进行高精度的设计的方案。
标签： LDO 稳压器 电压基准源 分
上传时间： 2013-12-07
上传用户：guojin_0704
