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瞬态

  • 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

    利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

    标签: LDO 无片外电容 瞬态 电路设计

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:niumeng16

  • 改善基于微控制器的应用的瞬态免疫性能

    家电制造业的竞争日益激烈,市场调整压力越来越大,原始设备制造商们(OEM)为了面对这一挑战,必须在满足电磁兼容性的条件下,不断降低产品的成本。由于强调成本控制,为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护,对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰(EMI)控制措施为节约成本让路,家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容(EMC)需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器(MCU)的影响,并提供了切实可行的硬件和软件设计技术,这些技术可以为电快速瞬变(EFT)、静电放电(ESD)以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商,但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。 低成本的基于MCU 的嵌入式应用特别容易受到ESD 和EFT 影响降低性能。即使是运行在较低时钟频率下的微控制器,通常对快速上升时间瞬变也很敏感。这种敏感性归咎于所使用的工艺技术。如今针对低成本8/16位的MCU的半导体工艺技术所实现的晶体管栅极长度在0.65 μm~0.25 μm范围内。此范围内的栅极长度能产生和响应上升时间在次纳秒范围内(或超过300 MHz 的等同带宽)的信号。因此, MCU 能够响应进入其引脚的ESD 或EFT 信号。除上述工艺技术之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能还会受到IC 设计及其封装、印刷电路板(PCB)的设计、MCU 上运行的软件、系统设计以及ESD 或EFT 波形特征的影响。各因素的相对影响(强调对最大影响的贡献)如图1 所示。

    标签: 微控制器 瞬态免疫 性能

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:Jerry_Chow

  • 改善基于微控制器的应用的瞬态免疫性能

    家电制造业的竞争日益激烈,市场调整压力越来越大,原始设备制造商们(OEM)为了面对这一挑战,必须在满足电磁兼容性的条件下,不断降低产品的成本。由于强调成本控制,为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护,对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰(EMI)控制措施为节约成本让路,家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容(EMC)需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器(MCU)的影响,并提供了切实可行的硬件和软件设计技术,这些技术可以为电快速瞬变(EFT)、静电放电(ESD)以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商,但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。

    标签: 微控制器 瞬态免疫 性能

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:csgcd001

  • RS-485系统中处理瞬态威胁

    RS-485 是一种工业通信接口,其特点是在短距离传输时速度可以到35Mbps,长距离时速度可以到达 100 kbps. .由于外界环境或者大的感性负 载等原因,瞬态脉冲和浪涌也会在其数据线上产生尤是长距离传输中还很容易遇到线错接或者短路等突发问题,这些都会使其性能下降而影响到整个系统的数据传输。

    标签: 485 RS 瞬态

    上传时间: 2013-12-30

    上传用户:cjf0304

  • 电源的线负载瞬态响应测试

    有关线和负载瞬态响应的电源指标说明了电源对于突变的线电压和负载电流的响应情况。监视电源在这样的瞬态过程中试图维持稳定的行为,你会观察到输出发生过冲或振荡的趋势。   线和负载瞬态过程实际上是一个向电源注入扰动的阶跃函数。负载瞬态过程通过一个阶跃的负载电流向输出注放扰动,而线瞬态过程则是利用一阶跃的线电压达到这一目的,电源的输出响应展现了它对于线或负载阶跃中不同频率分量的扰动的抑制能力,下面的讨论描述了这些测试,以及它们所揭示有关电源的一些信息。

    标签: 电源 测试 负载 瞬态响应

    上传时间: 2014-01-12

    上传用户:wangzhen1990

  • TVS瞬态二极管和压敏电阻选型手册

    TVS瞬态二极管和压敏电阻选型手册

    标签: TVS 瞬态二极管 压敏电阻 选型手册

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:小码农lz

  • TVS瞬态抑制选型

    TVS瞬态抑制

    标签: TVS 瞬态抑制 选型

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:黄蛋的蛋黄

  • oracad的应用 1 原理图设计 要求原理图中有两个以上芯片或五个以上三极管 2 PCB设计 3 Pspice分析: 完成交流小信号分析和瞬态分析

    oracad的应用 1 原理图设计 要求原理图中有两个以上芯片或五个以上三极管 2 PCB设计 3 Pspice分析: 完成交流小信号分析和瞬态分析

    标签: oracad Pspice PCB

    上传时间: 2013-11-29

    上传用户:asasasas

  • 计算系统瞬态性能指标(稳态误差允许正负2%)

    计算系统瞬态性能指标(稳态误差允许正负2%)

    标签: 计算系统 瞬态 性能指标

    上传时间: 2015-11-06

    上传用户:黑漆漆

  • TVS的特性及主要参数 1、TVS的特性曲线TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下

    TVS的特性及主要参数 1、TVS的特性曲线TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS的电流,由原来的反向漏电流

    标签: TVS PN结 参数 二极管

    上传时间: 2013-12-17

    上传用户:teddysha