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内存模型

  • DDR内存布线指导,DDR_Layout_Guide_[1]..

    DDR内存布线指导,DDR_Layout_Guide。

    标签: DDR_Layout_Guide DDR 内存 布线

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:liglechongchong

  • 静态时序分析基本原理和时序分析模型

    01_静态时序分析基本原理和时序分析模型

    标签: 静态时序分析 时序分析 模型

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:lvchengogo

  • 高速PCB基础理论及内存仿真技术

    高速PCB基础理论及内存仿真技术

    标签: PCB 内存 仿真技术

    上传时间: 2013-11-07

    上传用户:jrsoft

  • 浩辰CAD 2012专业版下载

    附件附带破解补丁 浩辰CAD 2012专业版破解方法: 按正常安装浩辰CAD 2012专业版,点击安装KeyGen.exe。 浩辰CAD2012,以增强软件实用性、易用性为主要目标,新增了大量实用功能,改进了着色、消隐的正确性,提升了大幅面光栅图像处理的性能,同时改进了LISP\VBA二次开发接口的正确性和兼容性。 浩辰CAD 2012根据国内外用户的需求,增加了大量实用功能,例如动态块、DWF文件插入、隔离隐藏对象、转换EXCEL表格、块属性管理器、放样、超级填充等。 浩辰cad2012新增功能: 1、动态块(bedit)      动态块具有灵活性和智能性。 用户在操作时可以轻松地更改图形中的动态块参照。 可以通过自定义夹点或自定义特性来操作动态块参照中的几何图形。   a)通过设置图块中元素的可见性,一个图块中可以包含一种图形的多种形态,如下图的汽车模块就包含跑车、轿车和卡车的各向视图,只需在可见性列表中选择一个选项,就可以显示相应的图形。   还可对图块中的图形设置参数和动作,可对图块的整体或部分图形进行移动、旋转、翻转、缩放、阵列等;并可建立查询列表,对图块进行参数化控制。通过图块的动作设置,一个图块可以派生出数个图块,如下图所示:   2、DWF参考底图(dwfattach)      可以将dwf文件插入到当前图中作为参考底图,并可以捕捉到底图的端点、中点,如下图所示:   3、对象隔离、对象隐藏、取消对象隔离      可将选择的对象暂时隐藏,也可将选择对象以外的其他所有对象隐藏。当图中对象较多,利用此命令可以简化图纸,方便后续操作,操作起来比图层隔离更加简便、直观。   4、冻结其它图层和锁定其它图层      浩辰CAD 之前版本提供了图层隔离的功能,冻结其他图层和锁定其它图层与图层隔离功能类似,可以通过选择需要显示或可编辑对象,将其他图层进行冻结和锁定。      5、CAD表格转EXCEL表格      可以直接选择CAD中由直线、多段线和单行文字、多行文字组成的表格输出为EXCEL表格。   6、文字递增      可以对序号、编号、数值进行递增复制,间距、数量和增量均可随心所欲地控制。   7、多段线布尔运算      可直接对封闭的多段线进行差并交计算,无需转换面域,有时比修剪更简便。   8、拼写检查(spell)      此功能实现对用户输入的单词或文章进行单词校验,提示匹配的单词列表,方便用户进行正确的单词填写工作。可以实现不同语言的单词校验工作,包括英文,德文,等8种语言。      可以对全部实体(包括布局,模型中的所有实体)进行校验。      可以分别对布局或模型中的实体进行校验。      可以单独对一个实体或一个选择集进行校验。      方便用户自定义词典。      兼容的自定义词典。      支持文字,块内文字,块属性,属性,标注的校验。      9、放样(Loft)      通过对包含两条或者两条以上的横截面曲线的一组曲线进行放样(绘制实体或曲面)来创建三维实体或曲面。   10、块属性管理器(battman)      创建带属性的块后,执行 battman 对块中属性定义进行查询和修改,如果将修改应用到所有块参照,则对应块的块参照中属性实体也会做对应修改。   11、超级填充(superhatch)      超级填充命令有点像hatch命令,不同的是,可以使用该命令将光栅图像、块、外部参照和擦除这些实体作为填充实体对闭合区域进行填充。   12、线上写字      可以在选择线上书写文字,线会被自动打断,文字会放到线中间。 ◆ 重要功能改进      1、超链接      浩辰CAD 2012版的超链接不仅修改了以前存在的一些错误,而且提供了更为丰富的功能。   a)支持web链接的浏览和连接的设置。      b)支持打开操作系统可打开的所有文件。      c)支持dwg图纸的视图定位。      d)支持超链接的复制粘贴。      e)可以通过鼠标光标状态来判断是否存在链接,方便用户判断是否存在链接。      f)可以通过ctrl+鼠标点击打开设置的文件,方便用户的操作。      g)可以通过右键打开块内实体的链接。      2、光栅图像      浩辰CAD 2012版不仅增加了图像格式的支持,同时提升了大分辨率光栅图像的插入、显示和打印的效果和速度。   a) 增加了对多种图像格式的支持,诸如:CALS-1(*.cal,*.mil,*.rst,*.cg4)、RLC、GEOSPORT(.bil)、PICT(.pct/.pict)、IG4、Autodesk Animator(.fil/.flc)。      b) 内存使用问题,可以插入多张图片,内存不会增加。      c) 光栅图像打印问题(不清晰)。      d) 插入大图像时,预览速度大幅提升。      3、二次开发改进      浩辰CAD 2012版针对二次开发商和用户提出的一些LISP及VBA与AutoCAD存在的兼容性问题进行了系统梳理,兼容性有明显提升,此外还针对国外二次开发商的需求开发了Lisp调试器。      a) Lisp改进      处理了线程问题、命令范围值问题、VLX解析问题,对Lisp程序执行速度进行了优化。      b) VBA改进      处理了VBA的文档管理、接口不全、接口错误、类派生关系错误问题。      c) Lisp调试器      用户在使用浩辰CAD时,由于LISP与AutoCAD不完全兼容,用户需要一个工具进行调试,以协助用户解决及分析报告LISP问题。此系统以完成调试功能为主,不处理词法分析前的映射。适用于中级以上开发用户。

    标签: 2012 CAD 浩辰

    上传时间: 2013-11-24

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  • 中望cad 2010简体中文版下载

    中望CAD2010体验版正式发布。作为中望公司的最新年度力作,在继承以往版本优势的基础上,中望CAD2010融入了以“安全漏洞抓取、内存池优化、位图和矢量图混合处理”等多项可以极大提高软件稳定性和效率的中望正在申请全球专利的独创技术,新增了众多实用的新功能,在整体性能上实现了巨大的飞跃,主要体现在以下几方面: 大图纸处理能力的提升 文字所见即所得、消隐打印等新功能 二次开发接口更加成熟 一、大图纸处理能力的提升 中望CAD2010版采用了更先进的内存管理以及压缩技术,采用了一些新的优化算法,使得中望CAD常用命令执行效率和资源占用情况得到进一步的提高,特别是在低内存配置下大图纸的处理能力,大大减少了图纸内存资源占用量,提升了大图纸处理速度。主要体现在: 大图纸内存占用量显著下降,平均下降约30%,地形图类图纸则平均下降50%; 实体缩放和平移,zoom\pan\redraw更加顺畅; 保存速度更快、数据更安全,保存速度平均有40%的提升。 二、新增功能 1、文字所见即所得 文字编辑器有多处改进,文字编辑时显示的样式为最后在图面上的样式,达到了所见即所得的效果。文字编辑器新加入段落设置,可进行制表位、缩进、段落对齐方式、段落间距和段落行距等项目的调整。另外,在文字编辑器内可直接改变文字倾斜、高度、宽度等特征。 2、消隐打印 中望CAD2010版本支持二维和三维对象的消隐打印,在打印对象时消除隐藏线,不考虑其在屏幕上的显示方式。此次消隐打印功能主要体现在以下两个方面: (一)、平台相关命令和功能的调整 视口的“属性”:增加“着色打印”选项(“线框”和“消隐”两种着色打印项) 选择视口后,右键菜单支持“着色打印”项( “线框”和“隐藏”两种模式) 命令mview增加了“着色打印”功能项,可以方便用户设置视口的“着色打印属性”(线框和消隐两种模式) 打印”对话框调整:在布局空间,激活“打印”对话框,以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象”。 页面设置管理器启动的“打印设置”对话框调整:图纸空间中,通过页面设置管理器激活的“打印设置”对话框,以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象” (二)、消隐打印使用方法的调整 模型空间: 可通过“打印”或“页面设置管理器”打开的“打印设置”对话框中的“消隐打印”选项来控制模型空间的对象是否消隐打印,同时包含消隐打印预览,若勾选“消隐打印”按钮,模型空间的对象将被消隐打印出来。 布局空间: 若要在布局空间消隐打印对象,分为两种情况:     1) 布局空间视口外的对象是否消隐,直接取决于“打印设置”对话框中“隐藏图纸空间对象”按钮是否被勾选;     2)布局空间视口中的对象是否消隐,取决于视口本身的属性,即“着色打印”特性选项,必须确保该选项为“消隐”才可消隐打印或预览 3、图层状态管理器 可以创建多个命名图层状态,以保存图层的状态列表,用户可以通过选择图层状态来表现图纸的不同显示效果。这种图层状态可以输出供其它图纸使用,也可以输入其它保存的图层状态设置。 4、文字定点缩放 能够依据文字位置的特征点,如中心,左下等,作为基准点,对多行文字或单行文字进行缩放,同时不改变基准点位置。 5、Splinedit新功能 全面支持样条曲线的编辑,主要体现在SPLINEDIT命令行提示中,如下: 拟合数据(F)/闭合样条(C)/移动(M) 顶点(V)/精度(R)/反向(E)/撤消(U)/<退出(X)>: 拟合数据: 增加(A)/闭合(C)/删除数据(D)/移动(M)/清理(P)/切线(T)/<退出(X)>: 增加、删除数据:通过增加、删除样条曲线的拟合点来控制样条曲线的拟合程度。 移动:通过移动指定的拟合点控制样条曲线的拟合数据 闭合/打开:控制样条曲线是否闭合。 清理:清除样条曲线的拟合数据,从而使命令提示信息变为不包含拟合数据的情形。 切线:修改样条曲线的起点和端点切向。 闭合样条:将打开的样条曲线闭合。若选择的样条曲线为闭合的,该选项为“打开”,将闭合的样条曲线打开。 移动:可用来移动样条曲线的控制点到新的位置。 精度:可通过添加控制点、提高阶数或权值的方式更为精密的控制样条曲线的定义。 反向:调整样条曲线的方向为反向。 6、捕捉和栅格功能增强 7、支持文件搜索路径 关于激活注册:打开CAD界面,找到左上面的“帮助”,激活产品-复制申请码-再打开你解压到CAD包找到keygen.exe(也就是注册机,有的在是“Key”文件里,如果没有可以到网上下载),输入申请码--点击确定,就中间那个键--得到数据 应该是五组-复制再回到上面激活码页面,粘贴激活码确定就ok !复制(粘贴)的时候用 ctrl +c(v),用鼠标右键没用! 如果打开安装CAD就得注册才能运行的,那方法也跟上边的差不多! 其实你在网上一般是找不到激活码的,因为各个申请码不一样,所以别人的激活码到你那基本上没用,只能用相应的方法得到激活码,这方法也就要你自己去试了,我原来也不会装CAD,但现在一般3分钟就装好了,只要知道怎么说了就快了,一般软件都是一样的装法,不会装可以到网上找资料!有时求人不如求已,自己算比在网上等着别人给你算快多了

    标签: 2010 cad 简体中文

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:tedo811

  • [高速PCB基础理论及内存仿真技术].佚名.文字版

    高速PCB基础理论及内存仿真技术

    标签: PCB 内存 仿真技术

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:life840315

  • DRAM内存模块的设计技术

    第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲(Unbuffered)内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器(Registered)的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源,参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨,本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR,它们都被称为同步动态内存,其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进,所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate,也就是双倍的数据传输率,但是其时钟频率没有增加,只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    标签: DRAM 内存模块 设计技术

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:宋桃子

  • 高速PCB基础理论及内存仿真技术(经典推荐)

    第一部分 信号完整性知识基础.................................................................................5第一章 高速数字电路概述.....................................................................................51.1 何为高速电路...............................................................................................51.2 高速带来的问题及设计流程剖析...............................................................61.3 相关的一些基本概念...................................................................................8第二章 传输线理论...............................................................................................122.1 分布式系统和集总电路.............................................................................122.2 传输线的RLCG 模型和电报方程...............................................................132.3 传输线的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本质.................................................................................142.3.2 特征阻抗相关计算.............................................................................152.3.3 特性阻抗对信号完整性的影响.........................................................172.4 传输线电报方程及推导.............................................................................182.5 趋肤效应和集束效应.................................................................................232.6 信号的反射.................................................................................................252.6.1 反射机理和电报方程.........................................................................252.6.2 反射导致信号的失真问题.................................................................302.6.2.1 过冲和下冲.....................................................................................302.6.2.2 振荡:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分线的匹配.................................................................................392.6.3.4 多负载的匹配.................................................................................41第三章 串扰的分析...............................................................................................423.1 串扰的基本概念.........................................................................................423.2 前向串扰和后向串扰.................................................................................433.3 后向串扰的反射.........................................................................................463.4 后向串扰的饱和.........................................................................................463.5 共模和差模电流对串扰的影响.................................................................483.6 连接器的串扰问题.....................................................................................513.7 串扰的具体计算.........................................................................................543.8 避免串扰的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的产生..................................................................................................614.2.1 电压瞬变.............................................................................................614.2.2 信号的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 电场屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁场屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 电磁场屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 电磁屏蔽体和屏蔽效率.................................................................684.3.2 滤波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦电容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 设计中的EMI.......................................................................................754.4.1 传输线RLC 参数和EMI ........................................................................764.4.2 叠层设计抑制EMI ..............................................................................774.4.3 电容和接地过孔对回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走线规则.................................................................................79第五章 电源完整性理论基础...............................................................................825.1 电源噪声的起因及危害.............................................................................825.2 电源阻抗设计.............................................................................................855.3 同步开关噪声分析.....................................................................................875.3.1 芯片内部开关噪声.............................................................................885.3.2 芯片外部开关噪声.............................................................................895.3.3 等效电感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路电容的特性和应用.............................................................................925.4.1 电容的频率特性.................................................................................935.4.3 电容的介质和封装影响.....................................................................955.4.3 电容并联特性及反谐振.....................................................................955.4.4 如何选择电容.....................................................................................975.4.5 电容的摆放及Layout ........................................................................99第六章 系统时序.................................................................................................1006.1 普通时序系统...........................................................................................1006.1.1 时序参数的确定...............................................................................1016.1.2 时序约束条件...................................................................................1063.2 高速设计的问题.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的组件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系统......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自动布线器.......................................................2303.4 高速设计的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓扑结构的探索...............................................................................2313.4.2 空间解决方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓扑模板驱动设计...................................................................2313.4.4 时序驱动布局...................................................................................2323.4.5 以约束条件驱动设计.......................................................................2323.4.6 设计后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的进阶运用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括:................................2344.2 图形化的拓扑结构探索...........................................................................2344.3 全面的信号完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 设计前和设计的拓扑结构提取.......................................................2354.6 仿真设置顾问...........................................................................................2354.7 改变设计的管理.......................................................................................2354.8 关键技术特点...........................................................................................2364.8.1 拓扑结构探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形显示器........................................................................2364.8.3 集成化的在线分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章 部分特殊的运用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信号的仿真.......................................................................................2435.3 眼图模式的使用.......................................................................................249第四部分:HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 进行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 进行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 处理信号完整性原理图的具体问题.......................................................2591.3 在LineSim 中如何对传输线进行设置...................................................2601.4 在LineSim 中模拟IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中进行串扰仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 进行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 进行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的进一步介绍..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串扰仿真..........................................................................309

    标签: PCB 内存 仿真技术

    上传时间: 2013-11-07

    上传用户:aa7821634

  • orcad全能混合电路仿真

    0RCAD全能混合电路仿真:第一部分 0rCAD环境与Capture第l章 OrCAD PSpice简介1—1 SPICE的起源1—2 OrCAD PSpice的特点1—3 评估版光盘的安装1—4 评估版的限制1—4—1 Capture CIS 9.0评估版的限制1—4—2 PSpiceA/D9.0评估版限制1—5 系统需求1—6 PSpice可执行的仿真分析1—6—1 基本分析1—6—2 高级分析1—7 Capture与PSpice名词解释1—7—1 文件与文件编辑程序1—7—2 对象、电气对象与属性1—7—3 元件、元件库与模型1—7—4 绘图页、标题区与边框1—7—5 绘图页文件夹、设计、设计快取内存1—7—6 项目与项目管理程序

    标签: orcad 混合电路 仿真

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:wincoder

  • 基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟

    基于量子流体动力学模型,自主编制程序开发了半导体器件仿真软件。其中包括快速、准确数值离散方法和准确的物理模型。基于对同一个si双极晶体管的模拟,与商用软件有近似的仿真结果。表明量子流体动力学模型具有可行性,同时也表明数值算法和物理模型的正确性。

    标签: 量子 流体 动力学模型 半导体器件

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:fanxiaoqie