7段数码是纯组合电路，通常的小规模专用IC，如74或4000系列的器件只能作十进制BCD码译码，然而数字系统中的数据处理和运算都是2进制的，所以输出表达都是16进制的，为了满足16进制数的译码显示，最方便的方法就是利用VHDL译码程序在FPGA或CPLD中实现。本项实验很容易实现这一目的。例6-1作为7段BCD码译码器的设计，输出信号LED7S的7位分别接如图6-1数码管的7个段，高位在左，低位在右。例如当LED7S输出为 "1101101" 时，数码管的7个段：g、f、e、d、c、b、a分别接1、1、0、1、1、0、1，接有高电平的段发亮，于是数码管显示“5”。
上传时间： 2014-01-08
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7段数码显示译码器设计7段数码是纯组合电路，通常的小规模专用IC，如74或4000系列的器件只能作十进制BCD码译码，然而数字系统中的数据处理和运算都是二进制的，所以输出表达都是十六进制的，为了满足十六进制数的译码显示，最方便的方法就是利用译码程序在FPGA/CPLD中来实现。例子作为七段译码器，输出信号LED7S的7位分别接数码管的7个段，高位在左，低位在右。例如当LED7S输出为“1101101”时，数码管的7个段g、f、e、d、c、b、a分别接1、1、0、1、1、0、1；接有高电平的段发亮，于是数码管显示“5”。
上传时间： 2014-01-26
上传用户：1427796291
半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料，中文，第1章 仿真准备，第2章 二维工艺仿真，第3章 二维器件仿真，第4章 高级的特性，附录A 材料系统，附录B 物理
标签： 器件仿真
上传时间： 2016-03-24
上传用户：虫虫网....
是否要先打开ALLEGRO? 不需要(当然你的机器须有CADENCE系统)。生成完封装后在你的输出目录下就会有几千个器件（全部生成的话）,默认输出目录为c:\MySym\. Level里面的Minimum, Nominal, Maximum 是什么意思？ 对应ipc7351A的ABC封装吗？ 是的 能否将MOST, NOMINAL, LEAST三种有差别的封装在命名上也体现出差别？ NOMINAL 的名称最后没有后缀，MOST的后缀自动添加“Ｍ”，LEAST的后缀自动添加“L”，你看看生成的库名称就知道了。（直插件以及特别的器件，如BGA等是没有MOST和LEAST级别的，对这类器件只有NOMINAL） IC焊盘用长方形好像比用椭圆形的好，能不能生成长方形的？ 嗯。。。。基本上应该是非直角的焊盘比矩形的焊盘好，我记不得是AMD还是NS还是AD公司专门有篇文档讨论了这个问题，如果没有记错的话至少有以下好处：信号质量好、更省空间（特别是紧密设计中）、更省锡量。我过去有一篇帖子有一个倒角焊盘的SKILL，用于晶振电路和高速器件（如DDR的滤波电容)，原因是对宽度比较大的矩形用椭圆焊盘也不合适，这种情况下用自定义的矩形倒角焊盘就比较好了－－－你可以从网上另外一个DDR设计的例子中看到。 当然，我已经在程序中添加了一选择项，对一些矩形焊盘可以选择倒角方式. 刚才试了一下，感觉器件的命名的规范性不是太好，另好像不能生成器件的DEVICE文件，我没RUN完。。。 这个程序的命名方法基本参照IPC-7351，每个人都有自己的命名嗜好，仍是不好统一的；我是比较懒的啦，所以就尽量靠近IPC-7351了。 至于DEVICE，的选项已经添加 (这就是批量程序的好处，代码中加一行，重新生产的上千上万个封装就都有新东西了)。 你的库都是"-"的,请问用过ALLEGRO的兄弟,你们的FOOTPRINT认"-"吗?反正我的ALLEGRO只认"_"(下划线) 用“－”应该没有问题的，焊盘的命名我用的是"_"（这个一直没改动过）。 部分丝印画在焊盘上了。 丝印的问题我早已知道，只是尽量避免开（我有个可配置的SilkGap变量）,不过工作量比较大，有些已经改过，有些还没有；另外我没有特别费功夫在丝印上的另一个原因是，我通常最后用AUTO-SILK的来合并相关的层，这样既方便快捷也统一各个器件的丝印间距，用AUTO-SILK的话丝印线会自动避开SOLDER-MASK的。 点击allegro后命令行出现E- Can't change to directory: Files\FPM，什么原因？ 我想你一定是将FPM安装在一个含空格的目录里面了，比如C:\Program Files\等等之类，在自定义安装目录的时候该目录名不能含有空格，且存放生成的封装的目录名也不能含有空格。你如果用默认安装的话应该是不会有问题的, 默认FPM安装在C:\FPM，默认存放封装的目录为C:\MYSYM 0.04版用spb15.51生成时.allegro会死机.以前版本的Allegro封装生成器用spb15.51生成时没有死机现象 我在生成MELF类封装的时候有过一次死机现象，估计是文件操作错误导致ALLEGRO死机，原因是我没有找到在ｓｋｉｌｌ里面直接生成SHAPE焊盘的方法（FLASH和常规焊盘没问题）, 查了下资料也没有找到解决方法，所以只得在外部调用SCRIPT来将就一下了。（下次我再查查看），用SCRIPT的话文件访问比较频繁（幸好目前MELF类的器件不多）. 解决办法： １、对MELF类器件单独选择生成，其它的应该可以一次生成。 ２、试试最新的版本(当前0.05) 请说明运行在哪类器件的时候ALLEGRO出错，如果不是在MELF附近的话，请告知，谢谢。 用FPM0.04生成的封装好像文件都比较大，比如CAPC、RES等器件，都是300多K，而自己建的或采用PCB Libraries Eval生成的封装一般才几十K到100K左右，不知封装是不是包含了更多的信息？ 我的每个封装文件包含了几个文字层（REF,VAL,TOL,DEV,PARTNUMBER等),SILK和ASSEM也是分开的，BOND层和高度信息，还有些定位线(在DISP层）,可能这些越来越丰富的信息加大了生成文件的尺寸.你如果想看有什么内容的话，打开所有层就看见了（或REPORT） 非常感谢 LiWenHui 发现的BUG, 已经找到原因，是下面这行： axlDBChangeDesignExtents( '((-1000 -1000) (1000 1000))) 有尺寸空间开得太大，后又没有压缩的原因，现在生成的封装也只有几十K了，0.05版已经修复这个BUG了。 Allegro封装生成器0.04生成do-27封装不正确,生成封装的焊盘的位号为a,c.应该是A,B或者1,2才对. 呵呵，DIODE通常管脚名为AC(A = anode, C = cathode) 也有用AK 或 12的， 极少见AB。 除了DIODE和极个别插件以及BGA外，焊盘名字以数字为主, 下次我给DIODE一个选择项，可以选择AC 或 12 或 AK, 至于TRANSISTER我就不去区分BCE/CBE/ECB/EBC/GDS/GSD/DSG/DGS/SGD/SDG等了，这样会没完没了的，我将对TRANSISTER强制统一以数字编号了，如果用家非要改变，只得在生成库后手工修改。
标签： Footprint Maker 0.08 FPM skill
上传时间： 2018-01-10
上传用户：digitzing
为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方 法，计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能 量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有 间接带隙的半导体材料，带隙宽为1.126 eV；价带和导带的形成是由Mo和S 的价电子起作用产生的。通过分析 其光学性质，发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区，当光子能量的升高，介电函数值会缓 慢降低；材料MoS2对可见紫外区域的光子具有很强的吸收，最大吸收系数为3.17×105cm-1；MoS2在能量为18.33eV 位置出现了共振现象，其它区域内能量的损失值都趋于为0，说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了 该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用，尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景，为未来对 MoS2材料的进一步研究提供理论参考。
上传时间： 2020-11-08
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本设计方案中我采用多路复用器，2-4译码器，LED灯和或门等器件来完成设计。用2个74x151多路复用器扩展为16-2多路复用器,题目中的地址代码A、B、C、D4个输入端作为扩展的多路复用器的地址端，DO-D8作为数据端。开箱钥匙孔信号E作为2-4decoder的使能端。设计开锁的正确代码为0101，当用钥匙开锁(即2-4decoder的使能端有效〉时，如果正确输入开锁密码:0101，则输出Y为逻辑高电平，Y’为逻辑低电平，锁被打开，而LED灯不会亮（即不会报警);如果输入的密码错误或者钥匙孔信号无效，则输出Y为逻辑低电平，Y’为逻辑高电平，锁无法打开，逻辑高电平Y’驱动LED灯亮，产生报警效果。2.设计原理图:(以下电路图为用QuartusI踪合后截屏所得) 本设计方案中我采用多路复用器，2-4译码器，LED灯和或门等器件来完成设计。用2个74x151多路复用器扩展为16-2多路复用器,题目中的地址代码A、B、C、D4个输入端作为扩展的多路复用器的地址端，DO-D8作为数据端。开箱钥匙孔信号E作为2-4decoder的使能端。设计开锁的正确代码为0101，当用钥匙开锁(即2-4decoder的使能端有效〉时，如果正确输入开锁密码:0101，则输出Y为逻辑高电平，Y’为逻辑低电平，锁被打开，而LED灯不会亮（即不会报警);如果输入的密码错误或者钥匙孔信号无效，则输出Y为逻辑低电平，Y’为逻辑高电平，锁无法打开，逻辑高电平Y’驱动LED灯亮，产生报警效果。2.设计原理图:(以下电路图为用QuartusI踪合后截屏所得)
标签： 密码锁
上传时间： 2021-04-26
上传用户：情可倾想
AC220V转DC(12V15W )电源板AD设计硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为100*55mm, ALTIUM设计的原理图+PCB文件，可以做为你的学习设计参考。主要器件型号如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上传时间： 2021-11-21
上传用户：kent
基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模电感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工业B/消费C/瓷片电容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引脚间距7.5mmR26020054 R26020054/工业A/消费C/快恢复二极管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工业A/消费B/肖特基二极管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工业B/肖特基二极管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫铜镀锡RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
标签： tms320f28035 dsp 全桥变换器
上传时间： 2021-12-22
上传用户：aben
PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
上传用户：lijumiao
该问题由某客户提出，发生在STM32F103VDT6 器件上。据其工程师讲述：在其产品中，需要使用STM32 的 ADC 对多路模拟信号进行同步采样。在具体的实现上，采用了 ADC 常规通道的扫描模式来完成这一功能。然而，在调试中过程中发现一个奇怪的现象：当将各路模拟信号的电平设置成相同时，ADC 对各路模拟信号的转换结果相同，用 A 来表示。改变其中一路模拟信号的电平，并保持其各路模拟信号的电平不变，则 ADC 对该路信号的转换结果变为 B。然而，此时与其在扫描次序上相邻的下一路模拟信号的转换结果也发生
标签： adc
上传时间： 2022-02-21
上传用户：zhengtiantong
