现代电子工艺技术指南
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 现代电子工艺技术指南-540页-13.2M.pdf
上传时间： 2013-07-28
上传用户：cxl274287265
电子焊接工艺技术
上传时间： 2013-06-15
上传用户：iswlkje
由于电子技术的飞速发展，促使了印制电路技术的不断发展。PCB板经由单面-双面一多层发展，并且多层板的比重在逐年增加。多层板表现在向高*精*密*细*大和小二个极端发展。而多层板制造的一个重要工序就是层压，层压品质的控制在多层板制造中显得愈来愈重要。因此要保证多层板层压品质，需要对多层板层压工艺有一个比较好的了解．为此本人就多年的层压实践，对如何提高多层板层压品质在工艺技术上作如下总结：
上传时间： 2013-10-19
上传用户：wincoder
由于电子技术的飞速发展，促使了印制电路技术的不断发展。PCB板经由单面-双面一多层发展，并且多层板的比重在逐年增加。多层板表现在向高*精*密*细*大和小二个极端发展。而多层板制造的一个重要工序就是层压，层压品质的控制在多层板制造中显得愈来愈重要。因此要保证多层板层压品质，需要对多层板层压工艺有一个比较好的了解．为此本人就多年的层压实践，对如何提高多层板层压品质在工艺技术上作如下总结：
上传时间： 2013-10-19
上传用户：Jesse_嘉伟
随着工艺技术到达深亚微米领域，互连线的耦合电容、电感对电路的影响越来越大。为 了有效地捕捉互连线的影响，需要进行精确地电路级模拟，但是从版图自动提取出来的互连 线通常是一个大的线性电路。利用spice 模拟器来模拟，通常效率比较低下。针对线性电路 的特点，人们通常采用降阶模型来建模，提出了许多降阶模型方法。本文将介绍各类降阶模 型方法，分析它们的原理，比较它们的优缺点。
上传时间： 2014-01-10
上传用户：hakim
电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M现代电子工艺技术指南 540页 13.2M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
本书是为理工科院校学生参加电子工艺实习而编写的教材，也可作为其它学校或有关部门技术培训参考。创新精神和实践能力是对新时期高素质人才的基木要求。清华大学自1987年在全校大多数理工科学生中开设电子工艺实习以来，十几年中不断发展完善，这门课程深受学生的欢迎。许多院校也先后以不同形式开设了这门课并使用过本教材，收到良好效益。随着知识经济的深入和信息技术的飞速发展，实践环节的重要性与日俱增，编写高质量教材是保证教学稳定发展的基本建设，也是我们多年来努力的方向。电子工艺实习是以学生自己动手，掌握一定操作技能和制作一两种实际产品为特色的，它既不同于培养劳动观念的公益劳动，又不同于让学生自由发挥的科技创新活动。它既是基本技能和工艺知识的入门向导，又是创新实践的开始和创新精神的启蒙。要构筑这样一个基础扎实、充满活力的实践平台，仅靠课堂讲授和动手训练是不够的，需要有一本既能指导学生实习，又能开阔眼界；既是教学的参考书，又是指导实践的实用资料。本教材就是立足于这个目标，并做了切实的努力。本书在内容编排上打破传统学科体系，主要考虑教学实践的要求，例如：不在电子工艺内容之列的“安全用电”被安排在第1章，其重要性不言而喻。对工艺技术中很重要的质量控制及经济成本内容，则根据教学实践的经验没有单列，而是融合贯穿到具体工艺知识和过程中。实践证明是可行的、有效的。
标签： 电子工艺
上传时间： 2022-07-05
上传用户：zhaiyawei
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。
标签： FlatP_Cell ROM 分
上传时间： 2013-11-14
上传用户：84425894
