磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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随着对低能耗、高安全性、高可靠性连接和精确控制的需求不断提升，工厂自动化的工业驱动日趋复杂，需要尖端技术的支持。德州仪器 (TI) 拥有广泛系列的模拟产品、数字控制器和软件，能够精确地控制机械驱动的位置、速度以及扭矩。高度稳健的工艺技术和超长的产品生命周期策略使 TI 能够充分满足客户对可靠性和持续供应的严格要求。
上传时间： 2013-11-10
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音量控制TDA7313是三对输入四声道输出数字控制音频处理芯片。该芯片采用深亚微米CMOS工艺技术制造，芯片内部包含音量、低音、高音、通道均衡、前/后级衰减、响度处理；在一个芯片集合多个可选择的增益输入端，外围电路元件少，具有较好的性能和可靠性。
标签： 2313 PT tda 7313
上传时间： 2018-08-09
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温度传感器的市场规模、相关代表公司、以及对应的工艺技术制程
标签： 温度传感器
上传时间： 2020-09-19
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静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成电路可靠性的主要因素之一，存在于生产到使用的每一个环节，并成为开发新一代工艺技术的难点之一，近年来，对ESD的研究也因而越来越受到重视，仿真工具在ESD领域的应用使得ESD防护的研究变得更为便利，可大幅缩短研发周期然而，由于ESD现象复杂的物理机制，极端的电场及温度条件，以及ESD仿真中频繁的不收敛现象，都使得FSD的仿真变得极为困难本文详细阐述了ESD的来源、造成的危害以及如何测试集成电路的防静电冲击能力，并基于 Sentaurus软件，对ESD防护器件展开了的分析、研究，内容包括1）掌握ESD保护的基本理论、测试方法和防护机理2）研究了工艺仿真流程的步骤以及网格定义在工艺仿真中的重要性，并对网格定义的方法进行了探讨3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函数，并对描述同一物理机制的的各种不同模型展开对比分析.主要包括传输方程模型、能帶模型、各种迁移率退化模型、雪崩离化模型和复合模型4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理关键词：静电放电；网格；器件仿真；双极型晶体管；可控硅
上传时间： 2022-03-30
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有源相控阵雷达技术在世界各国的国防与经济建设中发挥着重要的作用。为了全面展现有源相控阵雷达天线结构的研制，本书较详尽地阐述了有源相控阵雷达天线结构在总体技术、工业造型技术、热控技术、仿真与试验技术、有源模块结构技术、新材料与工艺技术等方面的研究，并介绍了许多国内外雷达领域的设计实例，本书的内容具有较强的实用性。
标签： 雷达
上传时间： 2022-04-07
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尽量全面地叙述CMOS图像传感器集成电路芯片的原理、结构、应用、设计方法和流程。第1章讲述有关技术背景和发展历程、CMOS图像传感器的特点和应用。第2章讲述CMOS图像传感器集成电路的基本结构和主要技术指标，简述CMOS工艺技术和VLSI设计方法和流程。面向从事CMOS图像传感器集成电路芯片设计的工程师和图像应用系统的项目设计规划者，以及电子电路与系统专业的学生、模数混合CMOS VLSI设计人员和关心现代电子科技发展的人士。
上传时间： 2022-04-20
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本设计针对目前市场上传统充电控制器对蓄电池的充放电控制不合理，同时保护也不够充分，使得蓄电池的寿命缩短这种情况，研究确定了一种基于单片机的太阳能充电控制器的方案。在太阳能对蓄电池的充放电方式、控制器的功能要求和实际应用方面做了一定分析，完成了硬件电路设计和软件编制，实现了对蓄电池的高效率管理。设计一种太阳能LED照明系统充电控制器，既能实现太阳能电池的最大功率点跟踪（MPPT）又能满足蓄电池电压限制条件和浮充特性。构建实验系统，测试表明，控制器可以根据蓄电池状态准确地在MPPT、恒压、浮充算法之间切换，MPPT充电效率较恒压充电提高约16%，该充电控制器既实现了太阳能的有效利用，又延长了蓄电池的使用寿命。在总体方案的指导下，本设计使用STMSS系列8位微控制器是STM8系列的主流微控制器产品，采用意法半导体的130纳米工艺技术和先进的内核架构，主频达到16MHz（105系列），处理能力高达20MTPS。内置EEPROM、阻容（RC）振荡器以及完整的标准外设，性价比高，STMSS指令格式和意法半导体早期的ST7系列基本类似，甚至兼容，内嵌单线仿真接口模块，支持STWM仿真，降低了开发成本；拥有多种外设，而且外设的内部结构、配置方式与意法半导体的同样是Cortex-M3内核的32位嵌入式微处理器STM32系列的MCU基本相同或者相似。另外系列芯片功耗低、功能完善、性价比高，可广泛应用在家用电器、电源控制和管理、电机控制等领域，是8位机为控制器控制系统较为理想的升级替代控制芯片"261，软件部分依据PWM（Pulse Wiath Modulation）脉宽调制控制策略，编制程序使单片机输出PMM控制信号，通过控制光电耦合器通断进而控制MOSFET管开启和关闭，达到控制蓄电池充放电的目的，同时按照功能要求实现了对蓄电池过充、过放保护和短路保护。实验表明，该控制器性能优良，可靠性高，可以时刻监视太阳能电池板和蓄电池状态，实现控制蓄电池最优充放电，达到延长蓄电池的使用寿命。
上传时间： 2022-06-19
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VIP专区-PCB源码精选合集系列（23）资源包含以下内容：1. PCB线路板还原电路原理图.2. PCB布线知识面试题_PCB工程师必备.3. 新设计的电路板调试方法.4. PCB布局布线技巧100问.5. 高速PCB设计误区与对策.6. 如何做好pcb板详谈.7. PCB工序解析.8. 抑制△I噪声的PCB设计方法.9. PCB封装手册详解.10. PCB纯手工设计.11. 印刷电路板的电磁兼容设计—论文.12. PCB抗干扰技术实现方案.13. 焊接制造中的智能技术.14. 射频电路PCB设计中注意问题.15. 差分信号PCB布局布线误区.16. PCB覆铜高级连接方式.17. 高速PCB中微带线的串扰分析.18. 如何做一块好的PCB板.19. 高速PCB设计中的反射研究.20. CADENCE PCB设计：布局与布线.21. PCB设计的经验心得.22. PCB设计者必看经典教材.23. 印制板可制造性设计.24. 基于知识的印刷电路板组装工艺决策系统.25. 综合布线系统施工要点.26. PCB板设计中的接地方法与技巧.27. 《新编印制电路板（PCB）故障排除手册》.28. PCB走线的比例关系.29. PCB LAYOUT设计规范手册.30. PCB技朮大全.31. CTP知识全解.32. pcb高级讲座.33. PCB布线设计-模拟和数字布线的异同.34. protel 99se进行射频电路PCB设计的流程.35. PCB抄板密技.36. 提高多层板层压品质工艺技术总结.37. 充分利用IP以及拓扑规划提高PCB设计效率.38. 电路板噪声原理和噪声抑制.39. 电源完整性分析应对高端PCB系统设计挑战.40. 板载故障记录OBFL.
上传时间： 2013-07-20
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半导体切片 保存到我的百度网盘 下载 芯片封装详细图解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片机张刀对切片质量的影响-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 内圆切片机设计.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生产工艺介绍.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半导体集成电路(最终版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半导体晶体的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半导体材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰冻切片的制备.docx 23KB2019-10-08 11:29 半导体芯片制造技术4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半导体全制程介绍.doc 728KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半导体工艺技术.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半导体工业简介-简体中文...ppt 半导体清洗 新型半导体清洗剂的清洗工艺.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工艺提升中的半导体清洗技术.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超声波清洗技术的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半导体制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半导体制造工艺第3章-清-洗-工-艺.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半导体制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半导体清洗技术面临变革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆自动清洗设备.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆的污染杂质及清洗技术.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半导体工艺-晶圆清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半导体第五讲硅片清洗(4课时).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.doc 半导体抛光 直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 抛光技术及抛光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半导体工艺化学.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半导体工艺.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半导体-第十四讲-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化学机械抛光技术的研究进展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 半导体研磨 半导体制造工艺第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半导体晶圆的生产工艺流程介绍.docx 18KB2019-10-08 11:29 半导体硅材料研磨液研究进展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半导体封装制程及其设备介绍.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半导体IC工艺流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半导体CMP工艺介绍.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半导体-第十六讲-新型封装.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半导体基础知识.pdf
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