松下2015年最新研究的适用于siC，GaN等大功率器件的封装材料介绍
上传时间： 2016-04-20
上传用户：吉林辉仔
The recent developments in full duplex (FD) commu- nication promise doubling the capacity of cellular networks using self interference cancellation (siC) techniques. FD small cells with device-to-device (D2D) communication links could achieve the expected capacity of the future cellular networks (5G). In this work, we consider joint scheduling and dynamic power algorithm (DPA) for a single cell FD small cell network with D2D links (D2DLs). We formulate the optimal user selection and power control as a non-linear programming (NLP) optimization problem to get the optimal user scheduling and transmission power in a given TTI. Our numerical results show that using DPA gives better overall throughput performance than full power transmission algorithm (FPA). Also, simultaneous transmissions (combination of uplink (UL), downlink (DL), and D2D occur 80% of the time thereby increasing the spectral efficiency and network capacity
标签： Full-Duplex Cells Small
上传时间： 2020-05-27
上传用户：shancjb
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field has open the door to the power switching capability in the lower frequency range and thus to the power electronic applications. Compared to Silicon, GaN exhibits largely better figures for most of the key specifications: Electric field, energy gap, electron mobility and melting point. IntrinsiCally, GaN could offer better performance than Silicon in terms of: breakdown voltage, switching frequency and Overall systems efficiency.
标签： GaN-on-Si Displace and siC Si
上传时间： 2020-06-07
上传用户：shancjb
电动汽车、siC功率管发展趋势
标签： 智能电动汽车
上传时间： 2021-10-26
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基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为29x30mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。主要器件型号列表如下：Library Component Count : 8Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose AmplifierCap CapacitorComponent_1_1 Header 3H Header, 3-Pin, Right AngleLED3 Typical BLUE siC LEDMKF 麦克风Res 电阻Res2 Resistor
上传时间： 2021-11-17
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BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计，大小为66*76mm, 包括完整的原理图和PCB工程文件，可以做为你的设计参考。主要器件如下：Library Component Count : 13Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------CPDR 瓷片电容Component_1_1 DG 电感DJDR 电解电容Header 2 Header, 2-PinLED 发光二极管LED3 Typical BLUE siC LEDLM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorPZ_2 排针——2RES2 Res 电阻TLP521-1WY2JG 稳压二级管
上传时间： 2021-11-21
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、siC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolsiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（siC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为siC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的siC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V siC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩsiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
上传用户：zhaiyawei
