该文档为电力电子半导体器件(mosFET)(精)总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2022-02-06
上传用户：shjgzh
mosFET并联使用介绍了并联使用的注意事项，特别注意避开Vgsth zero thermal coefficient以下的正温特性设计
上传时间： 2022-03-01
上传用户：bluedrops
这个是安世半导体关于mosFET的详细应用手册，可以快速了解mosFET的内容。
标签： mosFET
上传时间： 2022-03-19
上传用户：canderile
mosFET，碳化硅的驱动电路PCB,最高驱动频率可达2Mhz，带过流保护功能，带隔离
上传时间： 2022-03-30
上传用户：trh505
深入理解mosFET中文手册怎么看，看哪里，哪里是重点，在我们选型的时候到底需要关注哪些点，本文很好的诠释了中文手册到底要看哪些东西对我们才有用，希望大家多多支持!!
标签： mosFET
上传时间： 2022-04-01
上传用户：d1997wayne
设计功率mosFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为mosFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了mosFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率mosFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power mosFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of mosFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of mosFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power mosFET.
标签： mosFET
上传时间： 2022-04-02
上传用户：默默
mosFET单相全桥无源逆变电路
上传时间： 2022-04-04
上传用户：1208020161
mosFET(MOS场效应管)工作原理，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-19
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mosFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于mosFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于mosFET的工作频率还是九牛一毛,mosFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:mosFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是mosFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 mosFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定mosFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率mosFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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mosFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率mosFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑mosFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中mosFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)mosFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 mosFET驱动器与mosFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解mosFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解mosFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率mosFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率mosFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联mosFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 mosFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 mosFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 mosFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)mosFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于mosFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率mosFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率mosFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定mosFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之mosFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 mosFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 mosFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率mosFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 mosFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
上传用户：eeworm
