經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整mosFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側mosFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
标签: mosFET EMI 电压电流 控制
上传时间: 2014-09-08
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在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 mosFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
标签: mosFET 独立元件
上传时间: 2013-11-19
上传用户:阿谭电器工作室
IGBT和mosFET功率模块应用手册
标签: mosFET IGBT 功率模块 应用手册
上传用户:JasonC
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了mosFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了mosFET驱动器的功耗及mosFET驱动器与mosFET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的mosFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
标签: mosFET 驱动保护电路
上传时间: 2013-12-18
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Vishay新型功率mosFET采用反向导引TO-252DPAK封装
标签: Vishay mosFET 252 DP
上传时间: 2013-11-09
上传用户:immanuel2006
以C8051F330为核心,开发单端正激型开关电源充电器,C8051F330负责电流环及电压环采样及对应脉宽PWM输出,控制主电路mosFET管,构成负反馈.
标签: C8051F330 mosFET 8051 330
上传时间: 2013-12-25
上传用户:xz85592677
mosFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真mosFET的模型程序。
标签: Zero-Current-Quasi-Resonant Converter simulink mosFET
上传时间: 2016-01-18
上传用户:cjl42111
双极性晶体管VS mosFET 非常的具有实用价值
标签: mosFET 双极性晶体管 价值
上传时间: 2014-01-25
上传用户:wang0123456789
介绍mosFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了mosFET的驱动电路及其发展动态。
标签: mosFET 工作原理 动态特性
上传时间: 2016-08-31
上传用户:it男一枚
功率mosFET知识介绍.pdf 功率mosFET知识介绍.pdf
标签: mosFET 功率
上传时间: 2014-01-13
上传用户:manking0408