为了推进光伏发电技术应用到居民家居生活中，提出了一套适用于家用小功率电器工作的光伏逆变系统。系统采用意法半导体公司的STM32F103VC作为控制系统的核心，运用软件方式产生SPWM波。逆变主拓扑回路采用两级全桥变换器，中间环节配合高频变压器升压。与传统的逆变器设计思路不同，前级全桥变换器采用SPWM波控制实现逆变取代以往恒定脉宽PWM控制，后级变换器作为频率50 Hz翻转开关来重构正弦波。该系统可将太阳能电池板输出的12 V电压转换为适用于家用电器工作的220 V/50 Hz交流电。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：lingfei
电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF，减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V，输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时，最小相位裕度为830，最小带宽为4.58 MHz
上传时间： 2014-12-24
上传用户：wangjin2945
IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只需要提供3.3 V，12 V的基准电压即可工作，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。
上传时间： 2014-01-05
上传用户：tom_man2008
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：thesk123
为降低大功率开关电源设计时功率器件的选择、开关频率和功率密度的提高所面临的困难，改善单电源供电的可靠性，设计并制作程控开关电源并联供电系统。系统由2个额定输出功率为16 W的8 V DC/DC模块构成的程控开关电源并联供电系统。以STM32F103微控制器为核心芯片，通过程序控制内部DAC调节PWM主控芯片UC3845的反馈端电压，使DC/DC模块输出电压产生微小变动，进而可调整DC/DC模块的输出电流并实时分配各DC/DC模块的输出电流，软件采用PI算法。试验表明，系统满载效率高于80.23%，电流分配误差最大为1.54%；电源输出在1 s内快速达到稳态；系统以4.5 A为阈值实现过流保护和自恢复功能。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：王庆才
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
上传时间： 2013-12-20
上传用户：niumeng16
为了提高现有路灯的供电效率，开发设计了单灯恒流的供电模式，在每个路灯上安装一个体积很小的的恒流源，以保障给LED灯提供稳定、高效的恒流供电。在恒流源模块中，恒流源芯片HV9910B可以实现了高于70 V的电压的输入，在不同的输入电压下，恒流源芯片工作在恒定关断模式下，控制输出BUCK电路中的开关MOSE的占空比，以输出恒定2.2 A的电流，LED灯串联起来作为负载，效率达到了91%以上。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：yczrl
AD7280A菊花链从它监控的电池单元获得电源。ADuM5401集成一个DC/DC转换器，用于向ADuM1201的高压端供电，向AD7280A SPI接口提供VDRIVE电源，以及向AD7280A菊花链电路提供关断信号。如果BMS低压端的+5 V电源被拉低，则隔离器和AD7280A菊花链关断。同样，如果来自BMC的PD信号变为低电平，通过ADG849开关路由的ADuM5401低压电源将被拉低，这也会使隔离器和AD7280A菊花链发生硬件关断。
上传时间： 2013-12-14
上传用户：D&L37
基于1 μm 40V BCD 工艺，使用Cadence软件对原边反馈AC/DC控制器进行仿真和分析。线补偿技术可以使原边反馈AC/DC电路获得很好的负载调整率，抵消电感上所消耗的电压和整流二极管上的压降，使输出达到的最佳值。在输入加220 V交流电压时，输出结果最大值为5.09 V，最小值为5 V，最大负载调整率为9.609%。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：sglccwk
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
