1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SdRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SdRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SdRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SdRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SdRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SdRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SdRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SdRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
标签： DDR4
上传时间： 2022-01-09
上传用户：13692533910
JESD DDR SpecDDR5 SdRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电压降至1.1 V，允许的波动范围为3%（即±0.033V）。每个模块使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）总线），更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能
上传时间： 2022-02-02
上传用户：qdxqdxqdxqdx
一博科技PCB设计指导书VER1.0. 66页常见信号介绍 1.1 数字信号 1.1.1 CPU 常称处理器，系统通过数据总线、地址总线、控制总线实现处理器、控制芯片、存 储器之间的数据交换。 地址总线：ADD* （如：ADDR1） 数据总线：D* （如：SDDATA0） 控制总线：读写信号（如：WE_N），片选信号（如：SDCS0_N），地址行列选择信 号（如：SDRAS_N），时钟信号（如：CLK），时钟使能信号（如：SDCKE）等。 与CPU对应的存储器是SdRAM，以及速率较高的DDR存储器： SdRAM：是目前主推的PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位， 支持3.3V电压的LVTTL，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频 率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。 SdRAM与时钟完全同步。 DDR：速率比SdRAM高的内存器，可达到800M，它在时钟触发沿的上、下沿都能进行 数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。它的地址 与其它控制界面与SdRAM相同，支持2.5V/1.8V的SSTL2标准. 阻抗控制在50Ω±10 ％. 利用时钟的边缘进行数据传送的，速率是SdRAM的两倍. 其时钟是采用差分方 式。 1.1.2 PCI PCI总线：PCI总线是一种高速的、32/64位的多地址/数据线，用于控制器件、外围 接口、处理器/存储系统之间进行互联。PCI 的信号定义包括两部份(如下图)：必 须的(左半部份)与可选的（右半部份）。其中“# ”代表低电平有效。
标签： pcb设计
上传时间： 2022-02-06
上传用户：得之我幸78
感谢您使用 Altera DE教学开发板。这块板子的着眼于为在数字逻辑，计算机组织和FPGA方面的学习提供一个理想的工具。它在硬件和CAD工具上应用先进的技术为学生和专业人员展示了一个宽广的主题。该板具有多种特点，非常适合各大学课程在实验室环境下的一系列设计项目和非常复杂尖端的数字系统的开发和应用。Altera公司为DE2板提供了套支持文件，例如学习指导，现成的教学实验练习和丰富的插图说明DE2的特点DE2板是以 Cyclonell2C35FPGA为特点的672针引脚的包装。板上所有重要的部件都与板上的芯片相连，使用户能够控制板上各种的操作DE2板包括了很多开关（兼有拨动开关和按键），发光二极管和七段数码管。在更多进一步的实验中还用到了SRAM，SdRAM Fash以及16×驸字符液晶。需要进行处理器和O接口试验时，可以简单的用 Altera Niosll处理器和象RS-232和PS/2标准接口。进行涉及音频和视频的实验时，也有标准MC、line-in video-in（TV Decoder）和VGA（10-bit dac），这些特点都能够被用来制作CD质量的音频应用程序和专业的视频图象。为了能够设计更强大的项目，DE2还提供了USB20接口（包括主、从USB），10/100M自适应以太网，红外（lRDA）接口，以及SD卡接口。最后，可以通过两排扩展O口与其它用户自定义的板子相连。
标签： altera
上传时间： 2022-04-01
上传用户：bluedrops
Altera(Intel)_Cyclone_IV_EP4CE15_开发板资料硬件参考设计+逻辑例程Cyclone IV EP4CE15核心板主要特征参数如下所示：➢ 主控FPGA：EP4CE15F23C8N；➢ 主控FPGA外部时钟源频率：50MHz；➢ EP4CE15F23C8N芯片内部自带丰富的Block RAM资源；➢ EP4CE15F23C8N芯片逻辑单元数为15K LE；➢ Cyclone IV EP4CE15板载W25Q064 SPI Flash芯片，8MB字节的存储容量；➢ Cyclone IV EP4CE15板载Winbond 32MB的SdRAM，型号为W9825G6KH-6；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板板载MP2315高效率DC/DC芯片提供FPGA芯片工作的3.3V电源；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了两排64p、2.54mm间距的排座，可以用于外接24Bit的TFT液晶屏、CY7C68013 USB模块、高速ADC采集模块或者CMOS摄像头模块等；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的3路按键用于测试；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的2路LED用于测试；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的JTAG调试端口，采用双排10p、2.54mm的排针；
上传时间： 2022-05-11
上传用户：zhanglei193
有助于提高对DDR原理的理解，希望对大家有所帮助
上传时间： 2022-05-18
上传用户：yb9018
笔者详细的谈论许多在整合里会出现的微妙思路，如：如何把计数器/定时器整合在某个步骤里，从何提升模块解读性和扩展性。此外，在整合篇还有一个重要的讨论，那就是 for，while 和 do ... while 等循环。这些都是一些顺序语言的佼佼者，可是在 Verilog HDL 语言里它们就黯然失色。整合篇所讨论的内容不单是循环而已，整合篇的第二个重点是理想时序和物理时序的整合。说实话，笔者自身也认为要结合“两个时序”是一件苦差事，理想时序是 Verilog的行为，物理时序则是硬件的行为。不过在它们两者之间又有微妙的 “黏糊点”，只要稍微利用一下这个“黏糊点”我们就可以非常轻松的写出符合“两个时序”的模块，但是前提条件是充足了解“理想时序”。整合篇里还有一个重点，那就是“精密控时”。实现“精密控时”最笨的方法是被动式的设计方法，亦即一边仿真，一边估算时钟的控制精度。这显然是非常“传统”而且“古老”的方法，虽然有效但往往就是最费精神和时间的。相反的，主动式是一种讲求在代码上和想象上实现“精密控时”的设计方法。主动式的设计方法是基于“理想时序”“建模技巧”和“仿顺序操作”作为后盾的整合技巧。不说笔者吹牛，如果采用主动式的设计方法驱动 IIC 和 SdRAM 硬件，任何一段代码都是如此合情合理。
标签： verilogl
上传时间： 2022-06-13
上传用户：hao123
Chapter 1：Introduction and Overview Chapter 2：Switches，Buttons，and Knob 开关按钮Chapter 3：Clock Sources 时钟脉冲源Chapter 4：FPGA Configuration Options 配置Chapter 5：Character LCD Screen LCD显示屏特性Chapter 6：VGA Display Port VGA接口——接到显示器上Chapter 7：RS-232 Serial Ports RS-232接口——接器件Chapter 8：PS/2 Mouse/Keyboard Port PS/2鼠标键盘接口Chapter 9：Digital to Analog Converter（DAC）D/A接口Chapter 10：Analog Capture Circuit 模拟捕获电路Chapter 11：Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM Chapter 12：SPI Serial Flash 串行外围接口系列闪存Chapter 13：DDR SdRAM 内存Chapter 14：10/100 Ethernet Physical Layer Interface以太网物理层接口Chapter 15：Expansion Connectors 扩展接口Chapter 16：XC2C64A CoolRunner-II CPLDChapter 17：DS2432 1-Wire SHA-1 EEPROMSpartan-3E入门实验板使设计人员能够即时利用Spartan-3E系列的完整平台性能。设备支持：Spartan-3E、CoolRunner-ll关键特性：Xilinx器件：Spartan-3E（50万门，XC3S500E-4FG320C），CoolRunnerTM-lI与Platform Flash时钟：50MHz晶体时钟振荡器存储器：128Mbit 并行Flash，16 Mbit SPI Flash，64MByte DDR SdRAM连接器与接口：以太网10/100Phy，JTAG USB下载，两个9管脚RS-232串行端口，PS/2类型鼠标/键盘端口，带按钮的旋转编码器，四个滑动开关，八个单独的LED输出
标签： Spartan-3E
上传时间： 2022-06-19
上传用户：kingwide
广东工业大学硕士学位论文 (工学硕士) 基于FPGA的PCIE数据采集卡设计数据采集处理技术与传感器技术、信号处理技术和PC机技术共同构成检测 技术的基础，其中数据采集处理技术作为实现自动化检测的前提，在整个数字化 系统中处于尤为重要的地位。对于核磁共振这样复杂的系统设备，实现自动化测 试显得尤为必要，又因为核磁共振成像系统的特殊性，对数据的采集有特殊要求， 需要根据各种脉冲序列的不同要求设置采样点数和采样间隔，根据待采信号的不 同带宽来设置采样率，将系统成像的数据采集下来进行处理，最后重建图像和显 示。因此本文基于现有的采集技术开发专门应用于核磁共振成像的数据采集卡。 该采集卡从软件与硬件两个方面对基于FPGA的PCIE数据采集卡进行了研 究，并完成了实物设计。软件方面以FPGA为核心芯片完成数据采集卡的接口控 制以及数据处理。通过Altera的GXB IP核对数据进行捕捉，同时根据实际需要 设计了传输协议，由数据处理模块将捕捉到的数据通过CIC滤波器进行抽取滤 波，然后将信号存入DDR2 SdRAM存储芯片中。在传输接口设计上采用PCIE 总线接口的数据传输模式，并利用FPGA的IP核资源完成接口的逻辑控制。 硬件部分分为FPGA外围配置电路、DDR2接口电路、PCIE接口电路等模 块。该采集卡硬件系统由Flash对FPGA进行初始化，通过FPGA配置PCIE总 线，根据FPGA中PCIE通道引脚的要求进行布局布线。DDR2接口电路模块依 据DDR2芯片驱动和接收端的电平标准、端接方式确定DDR2与FPGA之间通 信的各信号走线。针对各个模块接口电路的特点分别进行眼图测试，分析了板卡 的通信质量，对整个原理图布局进行了设计优化。 通过测试，该数据采集卡实现了通过CPLD对FPGA进行加载，并在FPGA 内部实现了抽取滤波等高速数字信号处理，各种接IsI和控制逻辑以及通过大容量 的DDR2 SdRAM缓存各种数据处理结果正确。经系统成像，该采集卡采集下来 的数字信息可通过图像重建准确成像，为核磁共振成像系统的工程实现打下了良 好的成像基础。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：fliang
1. 本核心板经过验证稳定可靠。2. 资源丰富 可以携带 : SdRAM、SRAM、NAND FLASH、NOR FALSH、SPI NAND FLASH
标签： stm32
上传时间： 2022-07-01
上传用户：ooaaooxx
