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  • 基于IEC61850的变电站网络通信及装置的研究.rar

    随着变电站自动化、通信和微电子等技术的快速发展,在变电站自动化系统领域出现了大量基于微处理器/控制器的智能电子设备,变电站自动化的水平在不断提高,系统集成成为趋势。在这一发展过程中,互操作性差已经开始成为“瓶颈”问题,即不同厂商或同一厂商在不同时期的智能电子设备采用的网络和通信协议可能不相同,使得智能电子设备之间需要协议转换才能集成到一个变电站系统,从而增加了系统的成本和复杂性,影响了系统的实时性和可靠性。为了解决这个问题并适应将来快速更新的计算机和通信技术,国际电工委员会于2005年正式颁布了关于变电站自动化网络通信的国际标准IEC61850。本文围绕基于IEC61850的变电站网络通信和符合该标准的智能电子设备网络通信装置的实现展开研究,分为IEC61850标准的体系分析和具体模型的构建、基于IEC61850的通信网络的特征及规划、变电站通信网络数据流建模及网络通信性能仿真、符合该标准的智能电子设备网络通信装置的设计几部分。 IEC61850是一套完备的、面向未来的变电站通信网络与系统标准,本文首先介绍了其制定背景、结构体系和主要内容,分析了信息模型的内涵、技术特征和建模方法,并针对变电站中最为重要的两类模型--采样值报文传输模型和通用变电站事件传输模型进行了具体的模型构建和通信映射。 实现IEC61850通信的物理承载是以太网,本文首先通过对以太网的技术特征进行分析,得出其通信特性,然后研究和分析了变电站通信网络对环境、规模、安全性、可靠性和实时性等要求,其中对网络传输延时的特性进行了深入研究。在上述分析的基础上,对变电站通信网络进行了规划和构建,提出了使用适用的网络拓扑、报文加入优先级标签、采用基于多VLAN的节点分布规划和网络冗余等提高实时性和可靠性的改进措施。 区别于传统的以太网通信,变电站通信网络中存在多种数据流,是要进行特殊处理的。本文首先对基于IEC61850的变电站通信网络的数据流进行分析并划分类别,根据其特性建立了数学模型。然后归纳了网络模拟的一些技术和方法,并通过基于Ns-2的网络模拟技术对变电站通信网络的性能进行了动态模拟,得出了相关的网络性能指标。模拟结果证明了使用交换式以太网、报文引入优先级标签和采用基于多VLAN的节点分布规划等提高实时性措施的正确性,有利于变电站的网络规划和建设以及智能电子设备通信装置的设计。 从现代电力系统的信号源开始,首先分析了电子式互感器数字接口的要求并建立数学模型,然后采用模块化的思想设计出相应的具体软/硬件,实现了基于IEC61850的电子式互感器数字接口的通信装置样机。在此基础上将此装置经过扩展和修改用于其他的智能电子设备的网络通信,使其具有广泛使用性和兼容性。最后设计了试验环境,通过测试验证了该样机的通信性能满足要求并具有较高的可靠性。

    标签: 61850 IEC 变电站

    上传时间: 2013-07-08

    上传用户:daguda

  • 高速低压低功耗CMOSBiCMOS运算放大器设计.rar

    近年来,以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用,因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中,运算放大器是最基本的电路,所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中,必须考虑电路的主要性能指标。由于电源电压的降低会影响电路的性能,所以只实现低压、低功耗的目标而不实现优良的性能(如高速)是不大妥当的。 论文对国内外的低电压、低功耗模拟电路的设计方法做了广泛的调查研究,分析了这些方法的工作原理和各自的优缺点,在吸收这些成果的基础上设计了一个3.3 V低功耗、高速、轨对轨的CMOS/BiCMOS运算放大器。在设计输入级时,选择了两级直接共源一共栅输入级结构;为稳定运放输出共模电压,设计了共模负反馈电路,并进行了共模回路补偿;在偏置电路设计中,电流镜负载并不采用传统的标准共源-共栅结构,而是采用适合在低压工况下的低压、宽摆幅共源-共栅结构;为了提高效率,在设计时采用了推挽共源极放大器作为输出级,输出电压摆幅基本上达到了轨对轨;并采用带有调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。 采用标准的上华科技CSMC 0.6μpm CMOS工艺参数,对整个运放电路进行了设计,并通过了HSPICE软件进行了仿真。结果表明,当接有5 pF负载电容和20 kΩ负载电阻时,所设计的CMOS运放的静态功耗只有9.6 mW,时延为16.8Ns,开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所设计的BiCMOS运放的静态功耗达到10.2 mW,时延为12.7 Ns,开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别为83.3 dB、75 MHz以及63°,各项技术指标都达到了设计要求。

    标签: CMOSBiCMOS 低压 低功耗

    上传时间: 2013-06-29

    上传用户:saharawalker

  • Ns产品的资料

    美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出一款全新的线性均方根(RMS)射频功率(RF)检波器,它不但具有业界最高的精确度,而且动态范围可高达40dB。这款型号为 PowerWise® LMH2120 的芯片扩大了无线网络的覆盖范围,并延长了第三代(3G)及第四代(4G)移动电话的电池寿命。

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    上传时间: 2013-05-20

    上传用户:wmwai1314

  • 基于ARM的电力线巡检机器人运动控制器的研究

    输电线路巡检机器人是一种用于巡查输电线路故障的自动装置,巡线中采用机器人技术可以减轻作业强度、降低费用、提高巡检质量。 本文采用PHILIPS公司的32位ARM处理器LPC2210为核心设计了巡线机器人运动控制器;采用Ns公司的专用电机驱动芯片LMD18245设计了电机驱动部分;应用ProtelDXP设计了控制器及电机驱动电路的原理图及PCB布线;针对机器人工作在架空输电线路上,存在电磁干扰及雨雪天气的影响,设计了控制器的屏蔽封装,保证了控制器的稳定性;控制器电路结构采用了模块化设计,从而使硬件系统具有良好的扩展性。

    标签: ARM 电力线 巡检 机器人

    上传时间: 2013-06-30

    上传用户:远远ssad

  • TOSSIM:无线传感器网络仿真环境

    无线传感器网络仿真受到学术界和工业界越来越广泛的重视。分析了基于无线传感器网络嵌入式操作系统的仿真环境TOSSIM 的系统结构;并与基于通用网络仿真环境Ns-2 的无线传感器网络仿真方法进行了对比;指

    标签: TOSSIM 无线传感器网络 仿真环境

    上传时间: 2013-05-29

    上传用户:jichenxi0730

  • lmp90100中文手册

    Ns的模拟前端芯片LMP90100的中文DATASHEET

    标签: 90100 lmp

    上传时间: 2013-06-17

    上传用户:一诺88

  • 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

    设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 Ns,共模抑制比153 dB。

    标签: CMOS 增益提高 运算 放大器设计

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:jiiszha

  • 一种增益增强型套筒式运算放大器的设计

    设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为26.2 mW.运放在4 Ns的时间内可以达到0.01%的建立精度,满足系统设计要求.

    标签: 增益 增强型 运算放大器

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:563686540

  • 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

    利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 Ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 Ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

    标签: LDO 无片外电容 瞬态 电路设计

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:niumeng16

  • 基于硅堆的猝发高压脉冲源初步实验研究

    为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲,开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流,反向关断时间进行了实验研究;采用脉冲形成线产生矩形脉冲,利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲,以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明:硅堆在500 Ns脉宽条件下,其电流过载至少736倍,关断时间约200 Ns,硅堆的绝缘恢复时间决定产生脉冲的最高重复频率。

    标签: 实验 高压脉冲源

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:稀世之宝039