传统的数控系统采用的大多是专用的封闭式结构,它能提供给用户的选择有限,用户无法对现有数控设备的功能进行修改以满足自己的特殊要求;各种厂商提供给用户的操作方式各不相同,用户在培训人员、设备维护等方面要投入大量的时间和资金。这些问题严重阻碍了CNC制造商、系统集成者和用户采用快速而有创造性的方法解决当今制造环境中数控加工和系统集成中的问题。随着电子技术和计算机技术的高速发展,数控技术正朝向柔性化、智能化和网络化的方向发展。针对数控系统已存在的问题和未来发展的趋势,本文致力于建立一个适合现场加工特征的开放结构数控平台,使系统具备软硬件可重构的柔性特征,同时把监控诊断和网络模块融入数控系统的框架体系之内,满足智能化和网络化的要求。 本文在深入研究嵌入式系统技术的基础上,引入可重构的设计方法,选择具体的硬件平台和软件平台进行嵌入式可重构数控系统平台的研发。硬件结构以MOTOROLA的高性能32位嵌入式处理器MC68F375和ALTERA的现场可编程门阵列(FPGA)芯片为核心,配以系统所需的外围模块;软件系统以性能卓越的VxWorks嵌入式实时操作系统为核心,开发所需要的应用软件,将VxWorks嵌入式实时操作系统扩展为一个完整、实用的嵌入式数控系统。该系统不仅具有可靠性高、稳定性好、功能强的优点,而且具有良好的可移植性和软硬件可裁减性,便于根据实际需求进行功能的扩展和重构。 本论文的主要研究工作如下: (1)深入研究了以高性能微处理器MC68F375为核心的主控制板的硬件电路设计,以及存储、采集、通讯和网络等模块的设计。 (2)深入研究了基于FPGA的串行配置方法和可重构设计方法,设计出基于FPGA的电机运动控制、机床IO控制、键盘阵列和液晶显示控制等接口模块电路。 (3)深入研究了VxWorks嵌入式实时操作系统在硬件平台上的移植和任务调度原理,合理分配控制系统的管理任务,开发系统的底层驱动程序和应用程序。 最后,本文总结了系统的开发工作,并对嵌入式可重构数控系统的进一步研究提出了自己的一些想法,以指引后续研究工作。
上传时间: 2013-04-24
上传用户:gcs333
NS的模拟前端芯片LMP90100的中文DATASHEET
上传时间: 2013-06-17
上传用户:一诺88
大地数控车说明书 142页说明,对CNC的剖析
上传时间: 2013-06-07
上传用户:1417818867
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns,共模抑制比153 dB。
上传时间: 2014-12-23
上传用户:jiiszha
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为26.2 mW.运放在4 ns的时间内可以达到0.01%的建立精度,满足系统设计要求.
上传时间: 2013-10-16
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利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
上传时间: 2013-12-20
上传用户:niumeng16
为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲,开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流,反向关断时间进行了实验研究;采用脉冲形成线产生矩形脉冲,利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲,以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明:硅堆在500 ns脉宽条件下,其电流过载至少736倍,关断时间约200 ns,硅堆的绝缘恢复时间决定产生脉冲的最高重复频率。
上传时间: 2013-11-20
上传用户:稀世之宝039
本文主要介绍在GOLD4P上实现的独有的无间断双电源切换功能,现在为止,我们还没有发现有谁家的USB HUB在产品上实现了NS级的无缝双电源切换功能。要讲清这个问题,得先从这个问题的最基本说起。
上传时间: 2014-03-30
上传用户:gengxiaochao
研究领域:电源管理IC、功率IC 涉及厂商:Fairchild、ST、NS、Onsemiconductor、Linear和Maxim等 报告推荐 2009年,受国际金融危机和行业不景气的双重冲击,全球电源管理芯片市场规模出现超过10%的大幅下滑,中国电源管理芯片市场也首次出现负增长。虽然整体市场明显下滑,但分领域来看,汽车电子类电源管理芯片市场依然实现正增长,而计算机、网络通信和消费电子等领域则由于下游整机出口下滑的拖累导致相关领域的电源管理芯片市场出现大幅衰退。整体来看,2009年中国电源管理芯片市场虽然陷入了前所未有的负增长,但下半年以来市场的明显复苏以及人们对节能、绿色以及低碳需求的不断增加,未来电源管理芯片市场依然充满希望。 为了全面而准确的反映中国电源管理芯片市场地发展现状以及未来趋势,推出《2009-2010年中国电源管理芯片市场研究年度报告》,将帮助业界厂商、投资者和相关政府机构更准确地把握中国电源管理芯片市场的发展规律。 深入、翔实的市场研究数据。基于对行业产品的深度研究,提供对产品结构、应用结构等多个角度的市场数据,明晰市场发展方向。 全面、深刻的品牌竞争分析。从市场格局、竞争策略、SWOT分析等多个维度分析企业,评点市场领先要素。 科学、完整的未来发展预测。建立在各重点细分市场上的建模校验,并与相关产业环节进行关联分析,确保给出有价值的趋势分析与定量预测结果。 本报告全面总结了2009年中国电源管理芯片市场的发展状况,全面分析了其推进因素和市场特点,并对主要厂商进行了客观综合的评价,通过大量的调研访谈和详实准确的数据支撑,为客户提供完整的中国电源管理芯片市场信息,为企业提供有效的决策参考,报告主要为客户提供了以下方面的内容。 目前国内电源管理芯片市场规模及特点 按产品细分的电源管理芯片市场情况 按应用领域细分的电源管理芯片市场情况 主要厂商分析 未来各个细分市场的预测 报告框架
上传时间: 2013-11-17
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研究领域:电源管理芯片、功率IC、功率器件 涉及厂商:TI、NS、Fairchild、OnSemiconductor等 报告推荐 和往年一样,在下游产品产量的不断增加以及节能需求的不断提高等因素的刺激下,2006年中国电源管理芯片市场依然保持快速发展的势头。为了全面而准确的反映中国电源管理芯片市场的现状以及未来发展趋势,顾问特此推出了《2006-2007年中国电源管理芯片市场研究报告》。 本报告全面总结了2006年中国电源管理芯片市场的发展状况,全面分析了其推进因素和市场特点,并对主要厂商进行了客观综合的评价,通过大量的调研访谈和详实准确的数据,为客户提供完整的中国电源管理芯片市场信息,为企业提供有效的决策参考,报告主要为客户提供了以下方面的内容。 目前国内电源管理芯片市场规模及特点 按产品细分的电源管理芯片市场情况 按应用领域细分的电源管理芯片市场情况 主要厂商评价 未来各个细分市场的预测 报告框架 主要结论 重要发现架
上传时间: 2013-10-18
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