各项号二极管都有的贴片封装。
标签： 二极管型号
上传时间： 2013-11-13
上传用户：pioneer_lvbo
1,电路板插件，浸锡，切脚的方法 1.制板(往往找专门制板企业制作，图纸由自己提供)并清洁干净。 2.插横插、直插小件，如1/4W的电阻、电容、电感等等贴近电路板的小尺寸元器件。 3.插大、中等尺寸的元器件，如470μ电解电容和火牛。 4.插IC，如贴片IC可在第一步焊好。 原则上来说将元器件由低至高、由小至大地安排插件顺序，其中高低原则优先于水平尺寸原则。 若手工焊接，则插件时插一个焊一个。若过炉的话直接按锡炉操作指南操作即可。 切脚可选择手工剪切也可用专门的切脚机处理，基本工艺要求就是刚好将露出锡包部分切除即可。 若你是想开厂进行规模生产的话，那么还是建议先熟读掌握相关国家和行业标准为好，否则你辛苦做出的产品会无人问津的。而且掌握标准的过程也可以帮助你对制作电路板流程进行制订和排序。 最后强烈建议你先找个电子厂进去偷师一番，毕竟眼见为实嘛。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：lvchengogo
FPGA 设计不再像过去一样只是作为“胶连逻辑 (Gluelogic)”了，由于其复杂度逐年增加，通常还会集成极富挑战性的 IP 核，如 PCI Express® 核等。新型设计中的复杂模块即便不作任何改变也会在满足 QoR(qualityof-result) 要求方面遇到一些困难。保留这些模块的时序非常耗时，既让人感到头疼，往往还徒劳无功。设计保存流程可以帮助客户解决这一难题，既可以让他们满足设计中关键模块的时序要求，又能在今后重用实现的结果，从而显著减少时序收敛过程中的运行次数。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：invtnewer
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-21
上传用户：jjq719719
一．实验目的： 1．加深理解材料的弹塑性过程，材料进入塑性后的性态与卸载后的残余应力分布情况。 2．X射线法与电测法相结合。用电测法观察试件加、卸载时的应力、应变情况，用X射线法进行表面应力的测定。通过自行制定实验方案（贴片、布线、测试等），分析两种方法所测实验结果的全过程，对静态电测的基本测试技术、X射线表面应力测量方法进行一次综合训练，以进一步巩固理论知识，从一般材料力学处理的弹性问题扩展至塑性问题，特别是会涉及到一些目前尚未有完整理论解的问题，与工程实际相结合，培养独立分析问题、解决问题的能力，培养实验动手能力，培养科学工作作风。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：黑漆漆
在产业标准化已行之有年的SMT制程中,您需要100%符合标准SMT制程的经典精密取置设备,您更需要具高度生产及新进制程对应弹性的配套方案,满足您的SMT生产过程中的那么一点点与众不同的需要.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：momofiona
TLP265J，TLP266J是东芝新推出的2款4pin SO6封装的双向可控硅输出光耦，它们的耐压能力能达到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封装的TLP260J和TLP261J，因为MFSOP6封装的爬电距离较小，使其的隔离电压只能达到BVS=3000 Vrms ，这使得东芝的这系列产品在与竞争对手的产品对比中处于劣势，因为目前SOP封装的光耦隔离电压普遍能达到BVS=3750 Vrms 。而东芝新推出的TLP265J，TLP266J也能达到这个隔离能力。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：zhouli
DH249一款基于混合信号的全极性霍尔效应传感器。平均功耗45uA,它采用先进的斩波稳定技术，提供精确、稳定的磁性开关点。它由反向电压保护器、电压调整器，霍尔电压发生器、信号放大器，史密特触发器和集电及开路的输出级组成。它是一种双磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在：-40~85度， 电压电压工作范围：2.5~5.5V。 封装形式：SIP3L（TO92S）。 产品特点 灵敏度高 抗应力强 电压范围宽 可和各种逻辑电路直接接口典型应用 高灵敏的无触点开关 直流无刷电机 直流无刷风机
上传时间： 2013-10-12
上传用户：旭521
GDWI型绕线片式电感器 一 特征 绕线贴片结构，高Q值 大电流，低直流电阻，自谐频率较高 二 用途 适用于电子设备信息处理系统
上传时间： 2013-11-07
上传用户：lihairui42
DH45L是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，开漏极输出。与DH481周期性周期检测磁场不同，DH45L连续检测环境磁场强度，响应速度快，但功耗较大(2mA)。DH45L不区分N极和S极，对N极和S极都感应，因此便于较小磁钢的装配。电压是5-24V.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：zhaiyanzhong
