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  • 电子元器件抗ESD技术讲义.rar

    电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式(MM) 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器(消电器、电中和器或离子平衡器) 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度(ESDS)检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容(以MIL-STD-883E 方法3015.7为例) 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I-V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具-TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理

    标签: ESD 电子元器件 讲义

    上传时间: 2013-07-13

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  • FEATURES • 16 bit PIPE Spec PCI Express Testbench • Link training • Initial Flo

    FEATURES • 16 bit PIPE Spec PCI Express Testbench • Link training • Initial Flow Control • Packet Classes for easy to build PHY,DLLP and TLP packets • DLLP 16 bit CRC and TLP LCRC generation • Sequence Number generation and checking • ACK TLP packets • Scrambling • MemRd MemWr CfgRd CfgWr TLPs

    标签: 8226 Testbench FEATURES training

    上传时间: 2014-01-18

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  • pcie处理层协议中文详解

    pcie处理层协议中文详解,主要包括TLP概况,寻址和路由,请求和响应处理机制

    标签: pcie 协议

    上传时间: 2016-05-22

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  • pcie处理层协议中文详解

    pcie(PCI-Express)处理层协议中文详解处理层协议(transaction Layer specification)◆TLP概况。◆寻址定位和路由导向。◆i/o,.memory,configuration,message request、completion 详解。◆请求和响应处理机制。◆virtual channel(ve)Mechanism虚拟通道机制。◆data integrity 数据完整性。一.TLP概况处理层(transaction Layer specification)是请求和响应信息形成的基础。包括四种地址空间,三种处理类型,从下图可以看出在transaction Layer中形成的包的基本概括。一类是对io口和memory的读写包(TLPS:transaction Layers packages),另一类是对配置寄存器的读写设置包,还有一类是信息包,描述通信状态,作为事件的信号告知用户。对memory的读写包分为读请求包和响应包、写请求包(不需要存储器的响应包)。而io类型的读写请求都需要返回I/O口的响应包,

    标签: pcie

    上传时间: 2022-06-30

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