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贴片胶

  • 贴片电容容量与封装对照表

    贴片电容容量与封装对照表                      

    标签: 贴片电容

    上传时间: 2022-07-11

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  • 贴片电容封装与耐压值关系

    贴片电容封装与耐压值关系              

    标签: 贴片电容封装

    上传时间: 2022-07-12

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  • 贴片电容封装及其尺寸示意图大全

    贴片电容封装及其尺寸示意图大全             

    标签: 贴片电容封装

    上传时间: 2022-07-12

    上传用户:

  • 24G蓝牙微带贴片天线的设计分析

    24G蓝牙微带贴片天线的设计分析                 

    标签: 蓝牙 天线

    上传时间: 2022-07-12

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  • 贴片电阻电容的封装形式及尺寸

    贴片电阻电容的封装形式及尺寸             

    标签: 贴片电阻 电容 封装

    上传时间: 2022-07-20

    上传用户:20125101110

  • 火炬-高精度、低阻值、大功率、标准系列贴片

    火炬-高精度、低阻值、大功率、标准系列贴片电阻电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件,将电阻接在电路中后,电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚,它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的,即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。端电压与电流有确定函数关系,体现电能转化为其他形式能力的二端器件,用字母R来表示,单位为欧姆Ω。实际器件如灯泡,电热丝,电阻器等均可表示为电阻器元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度,材料,长度,还有横截面积有关,衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数,其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能,也可说它是一个耗能元件,电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说,交流与直流信号都可以通过电阻

    标签: 贴片电阻

    上传时间: 2022-07-22

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  • 常用贴片电阻标准阻值表,有0402/0603等贴片电阻

    常用的贴片电阻阻值表,有0402、0603等,96表示法。

    标签: 阻值表 贴片电阻

    上传时间: 2022-07-23

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  • 常用贴片LED封装带3D

    常见贴片LED带3D效果,按颜色,大小全部都有,非常合适

    标签: 贴片 led封装

    上传时间: 2022-07-28

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  • 有机电致发光显示器件新型封装技术及材料的研究.rar

    有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作为下一代显示器倍受关注,它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点,完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件,OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示,应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景,吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而,OLED也存在一些问题,特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标,除了器件的材料,结构设计外,封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料,从绿光OLED器件制作工艺、发光机理,结构和封装入手,首先,探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能;ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大,明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次,针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验,在光刻工艺中,光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素,其厚度在1.2μm左右时,光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺,摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺,实验一中,在封装玻璃的四周涂上UV胶,放入手套箱,在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶,真空下用紫外冷光源照射1min,固化进行二次封装。实验二中,在各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层,然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比,研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长,其中,Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍,Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多,Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍,研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后,分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。

    标签: 机电 发光 显示器件

    上传时间: 2013-07-11

    上传用户:liuwei6419

  • SMT元件识别.rar

    详细贴片元件知识介绍,包括常见规格及外形彩图

    标签: SMT 元件识别

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:zhuimenghuadie