步进电机佛三分走四方是你的福克斯金佛山激发剂送
标签： 步进电机
上传时间： 2018-04-23
上传用户：我来了哦哦哦
一种防高温高湿、防盐雾腐 蚀、防霉菌的石墨烯“三防”涂层 技术不久前在河北秦皇岛经济技术 开发区研制成功，该技术可应用于 舰船燃气轮机、航空航天发动机高 温部件保护以及舰船防盐雾及海生 物腐蚀等，填补了高温涂层技术应 用在重盐雾地区的市场空白。
标签： 石墨烯
上传时间： 2020-07-05
上传用户：
为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方 法，计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能 量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有 间接带隙的半导体材料，带隙宽为1.126 eV；价带和导带的形成是由Mo和S 的价电子起作用产生的。通过分析 其光学性质，发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区，当光子能量的升高，介电函数值会缓 慢降低；材料MoS2对可见紫外区域的光子具有很强的吸收，最大吸收系数为3.17×105cm-1；MoS2在能量为18.33eV 位置出现了共振现象，其它区域内能量的损失值都趋于为0，说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了 该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用，尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景，为未来对 MoS2材料的进一步研究提供理论参考。
上传时间： 2020-11-08
上传用户：
芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集：300mm硅单晶及抛光片标准.pdf6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf666化学机械抛光技术的研究进展.pdf化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc半导体-第十四讲-CMP.ppt半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf半导体工艺.ppt半导体工艺化学.ppt抛光技术及抛光液.docx直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf
上传时间： 2021-11-02
上传用户：wangshoupeng199
完整讲解芯片的制造过程：温洗、光刻、离子注入、干蚀刻、温蚀刻、等离子冲洗、热处理、化学气相淀积等
标签： 芯片设计
上传时间： 2021-11-15
上传用户：
概述CK3866S 是一款工业级 120 度电角度有感三相直流无刷电机驱动控制 IC ，集成限流控制， 过流保护，堵转保护，软换向，缓启动可调，其外围电路简单，低成本，应用方便；配合不同 的 MOSFET 和电源电路，可以适配各种电压及各种功率的电机；芯片集成过流保护，堵转保护， 限流驱动等多种保护控制机制。 特性 工作电压范围：2.5V～5.5V 适用于有霍尔电机 缓启动速度调节 转速信号输出 过载保护 限流驱动 堵载保护 工作温度范围：-40～85 度 正反转转向控制 转向软换向控制 缓启动功能 转速调节（0.03VDD～VDD 线性调节） SOP16 无铅封装
上传时间： 2022-06-15
上传用户：XuVshu
概述 是一款三相直流无刷无霍尔电机驱动控制 ，其外围电路简单，低成本，应用方 便；驱动方式具有效率高，噪音小等特点，芯片集成过载保护、堵转保护、低压保护等多种保 护机制，产品的安全可靠性高。特性工作电压范围： 3.8V～5.5V 工作温度范围：-40 ～85 度 适用于无霍尔电机 正反转转向控制 启动力矩调节 启动换向周期调节 软换向转向控制 转速信号输出 过载保护 恒流驱动 堵转保护 故障保护 缓启动功能 转速调节（ 0.2VDD～VDD 线性调节） 无铅封装 SOP16
上传时间： 2022-06-15
上传用户：ttalli
本书详细介绍了KeilCx5]V7.0版本单片机C语言编译器和全新Windows集成开发环境uVision2的强大功能和具体使用方法。全面介继了最新版本Cx51编译器新增加的控制命令，给出了全部Cx51运行库函数及其应用范例，对KeilCx5l软件包中各种应用工具，如BL51/Lx5]连接定位器、A51/Ax51宏剂编器、LIB51库管理程序以及OH51符号转换程序等都作了详细介绍，还介绍了单片机实时多任务操作系统RTX51及其了集RTX51TINY的具体功能与应用方法。uVision2已经将调试器功能集成于其中，用户可以在单一环境下完成从源程序编写、编译、链接定位一直到目标文件的仿真调试等全部工作，书中详细介绍了uVision2各种功能和应用，包括软件模拟调试和硬件目标板实时在线仿真。本书的特点是强调先进性和实用性，给出了大量程序实例，并带有一张由Keil公司提供的配套CD-ROM光盘，其中包括Keil Cx51V7.0版本全功能评估软件包，本书各章中列出的全部程序代码，以及Keil Cx51源程序仿真硬件目标板的照片和使用说明。本书适合于从事单片机应用系统开发研制的广大工程技术人员阅读，也可以作为高等院校相关专业大学生或研究牛的教学参考书。
上传时间： 2022-06-23
上传用户：xsr1983
本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
上传用户：1208020161
简要介绍本文件的目的是，针对潮湿、再流焊和工艺敏感器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行IPC/JEDEC J-STD-033D，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由IPC和JEDEC开发。一般的IC封装零件都需要根据MSL标准管控零件暴露於环境湿度的时间，以确保零件不会因为过度吸湿在过回焊炉时发生popcom(爆裂)或delamination(分层)的后果，不同的零件封装会产生不同的MSL等级，当湿气进入零件越多，零件因温度而膨胀剥离的风险就越高，基本上湿度敏感的零件在出厂前都会经过一定时间及温度的烘烤，然后连同乾燥剂(desiccant)一起加入真空包装中来达到最低的湿气入侵可能。本文件的目的是，针对潮湿/再流焊敏感表面贴装器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由IPC和JEDEC开发。
标签： ipc j-std-033d
上传时间： 2022-06-26
上传用户：
