拉硅单晶与切磨抛工艺生产车间现场视频 全世界以集成电路为核心的电子元器件,95％以上是用硅材料制成的,而其中直拉硅单晶的用量超过85％
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芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集：300mm硅单晶及抛光片标准.pdf6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf666化学机械抛光技术的研究进展.pdf化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc半导体-第十四讲-CMP.ppt半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf半导体工艺.ppt半导体工艺化学.ppt抛光技术及抛光液.docx直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf
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一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅 ”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
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