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结型场效应管

结型场效应晶体管(JunctionField-EffectTransistor,JFET)JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极g,N型半导体两端分别引出两个电极,分别称为漏极d,源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N沟道或者P沟道两种。
  • 基于时空随机辐射场的微波凝视成像新方法及其辐射源特性研究

    在选用地球同步轨道卫星、浮空气球平台等相对地面静止的平台对某一区域进行长时间定点凝视高分辨遥感成像时,传统的微波凝视成像,由于横向分辨率受限于天线孔径,分辨率不高,SAR和ISAR能够获得横向上的高分辨但是二者横向分辨率的获得依赖于雷达与目标的相对运动,限制了其在上述场合的应用。因此探索一种能够实现凝视条件下的高分辨成像方法是十分必要的本文研究了一种全新的微波凝视成像方法—基于时空随机辐射场的微波凝视成像方法,进行了高分辨成像的初步探索,在理论上基于时空随机辐射场的微波凝视成像方法获得的空间分辨率可以突破天线孔径的限制,大大提高了分辨率首先论文研究了基于时空随机辐射场的微波凝视成像新方法的基本原理提出时空两维随机分布的辐射场是实现高分辨微波凝视成像的前提:分析了在时空随机辐射场作用下,目标信息提取与解耦的方法:将接收到的散射回波和与之相对应的时空随机辐射场进行强度关联处理其次论文详细讨论了基于时空随机辐射场的微波凝视成像的成像过程,建立了从信号产生,辐射,散射,接收到关联处理的成像模型。深入分析了成像过程中信号的相关变化:从两个过程步建立了时空随机辐射场与辐射源的关系的模型:(1)推导了辐射源与时空随机分布口面场的关系,(2)建立了口面场经空间传播后的时空随机辐射场的数学模型:推导了随机辐射场下的散射场表达式:提出了微波强度关联为基于时空随机辐射场下的目标信息提取以及解的方法最后论文研究了基于时空随机辐射场的微波凝视成像中随机辐射源的特性。详细讨论了辐射源分别辐射理想的随机信号,带限随机信号下时空随机特性:分析了辐射源的空间构型(辐射源的个数和辐射源的口径)对辐射场时空随机性的影响:从整个成像的角度,推导了随机辐射源的参数对基于时空随机辐射场的微波凝视成像的影响。

    标签: 辐射场

    上传时间: 2022-03-14

    上传用户:zinuoyu

  • MOS管的米勒效应-讲的很详细

    MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时Vds彻底降下来,开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)

    标签: MOS管

    上传时间: 2022-03-20

    上传用户:得之我幸78

  • MLX90393的霍尔效应空间角位移传感器设计

    基于 MLX90393芯片设计了一种新型的空间角位移传感器,详细阐述了该传感器的工作原理、设计方法和数学模型。该传感器基于霍尔效应可以测量空间 X、Y 和 Z三个方向的磁场分量,通过数学建模将这三个值转化成空间角位移分量α和β,从而确定一个物体在空间中的角位移。本实验基于一个空间角位移平台和 STM32硬件开发平台,捕获以及输出MLX90393测量数据,经过计算机处理、统计分析以及数学建模,最终得出物体在空间移动时的角位移数据。

    标签: mlx90393 霍尔效应 位移传感器

    上传时间: 2022-05-07

    上传用户:1208020161

  • 探讨逆变焊机IGBT炸管的原因及保护措施

    1电压型PWM控制器过流保护固有问题目前国内常见的IGBT逆变弧焊机PWM控制器通常采用TL494.SG3525等电压型集成芯片,电流反馈信号一般取自整流输出端,当输出电流信号由分流器检出电流与给定电流比较后,经比例积分放大器大,控制输出脉冲宽度IGBT导通后,即使产生过电流,PWM控制电路也不可能及时关断正在导通的过流脉冲由于系统存在延退环节,过流保护时间将延长.2电流型过流保护电流型PWM控制电路反馈电流信号由高频变压器初级端通过电流互感器取得,由于电流信号取自变压器初级,反应速度快,保护信号与正在流过IGBT的电流同步,一旦发生过流PWM立即关断输出脉冲,IGBT获得及时保护,电流型PwM控制器固有的逐个脉冲检测瞬时电流值的控制方式对输入电压和负载变化响应快,系统稳定性好同意老兄的观点,在实际应用中电压型PWM确实占了大多数,但过流保护取样也可以从变压器初级取,通过互感线圈或霍尔传感器取得过流信号,比如控制3525的8脚,这点深圳瑞凌的焊机做的不错,可以很好保护开关管过流.如何通过检测手段判断一种逆变电源的主电路是否可靠,我认为可以从开关器件和主变压器的空载和负载状态下的电流电压波形来分析,从而针对性的调整开关器件参数及过流过压缓冲元件参数以及高频变压器的参数,难点在于如何选择匹配.

    标签: 逆变焊机 igbt

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:fliang

  • 一种基于IGBT的双管正激软开关电源的研究与设计

    随着全控型器件(目前主要是功率MOSPET与IGBT)的广泛使用以及脉宽调制技术的成熟,高频软开关电源也获得了极快地发展。变换电能的电源是以满足人们使用电源的要求为出发点的,根据不同的使用要求和特点对发出电能的电源再进行一次变换。这种变换是把种形态的电能变换为另一种形态的电能,它可以是交流电和直流电之间的变换,也可以是电压或电流幅值的变换,或者是交流电的频率、相位等变换,软开关电源输入和输出都是电能,它属于变换电能的电源。本论文研究了一种新型双管正激软开关DC/DC变换器电路拓扑。主功率器件采用IGBT元件,由功率二极管、电感、电容组成的谐振网络改善IGBT的开关条件,克服了传统开关在开通和闭合过程中会产生功率损耗,并且降低开关灵敏性的弊端。该论文对IGBT的软开关电源进行了总体设计和仿真,最后设计出了一台输出电压为48V、输出功率为1.5kW、工作频率为80kHz、谐振频率为350kHz的开关电源理论模型。

    标签: igbt 开关电源

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:hbsun

  • 升压型电源管理电路的内部LDO设计

    本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目,在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下,论文采用了一种开关电源与低压降(LDO)线性电压调节器结合应用的集成方案,即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求,本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。设计采用0.6um 30V BCD工艺,实现LDO的输入电压范围为6-13V:满足在-25-85℃的工作温度范围内,输出电压为5V:在典型负载电流(12.5mA)下,LDO的压降电压为120mv.文章首先阐述了整个方案的工作原理,给出LDO设计的指标要求;其次,依据系统方案的指标要求和制造工艺约束,实现包含误差放大器、基准源和保护电路等子模块在内的电压调整器:此外,文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载”的问题:最后,给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分,文章基于对三种不同LDO拓扑的分析,选择并实现了含缓冲器级的LDO.设计中通过改进反馈网络,采用反馈电容,实现对LDO的环路补偿。同时,为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求,文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题。基于密勒定理和根轨迹原理,本文通过研究密勒电容的作用,采用MPC(Miller-Path-Compensation)结构,实践了两级放大器驱动大负载电容的方案,并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。

    标签: 电源管理 ldo

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:zinuoyu

  • 三极管8050NPN型晶体三极管

    三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。也可用作开关电路。类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;8050三极管(SOT-23封装)管脚图最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25; [1] 特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

    标签: 三极管 npn晶体三极管

    上传时间: 2022-07-18

    上传用户:jason_vip1

  • EMI滤波器设计原理.

    高频开关电源由于其在体积、重量、功率密度、效率等方面的诸多优点,已经被广泛地应用于工业、国防、家电产品等各个领域。在开关电源应用于交流电网的场合,整流电路往往导致输入电流的断续,这除了大大降低输入功率因数外,还增加了大量高次谐波。同时,开关电源中功率开关管的高速开关动作(从几十kHz到数MHz),形成了EMI(electromagnetic interference)骚扰源。从已发表的开关电源论文可知,在开关电源中主要存在的干扰形式是传导干扰和近场辐射干扰,传导干扰还会注入电网,干扰接入电网的其他设备。减少传导干扰的方法有很多,诸如合理铺设地线,采取星型铺地,避免环形地线,尽可能减少公共阻抗;设计合理的缓冲电路;减少电路杂散电容等。除此之外,可以利用EMI滤波器衰减电网与开关电源对彼此的噪声干扰。EMI骚扰通常难以精确描述,滤波器的设计通常是通过反复迭代,计算制作以求逐步逼近设计要求。本文从EMT滤波原理入手,分别通过对其共模和差模噪声模型的分析,给出实际工作中设计滤波器的方法,并分步骤给出设计实例。

    标签: emi滤波器

    上传时间: 2022-07-24

    上传用户:slq1234567890

  • EMI原理分析,开关电源 EMI 滤波器原理与设计研究

    高频开关电源由于其在体积、重量、功率密度、效率等方面的诸多优点,已经被广泛地应用于工业、国防、家电产品等各个领域。在开关电源应用于交流电网的场合,整流电路往往导致输入电流的断续, 这除了大大降低输入功率因数外,还增加了大量高次谐波。同时,开关电源中功率开关管的高速开关动作(从几十kHz 到数MHz),形成了EMI(electromagnetic interference )骚扰源。从已发表的开关电源论文可知, 在开关电源中主要存在的干扰形式是传导干扰和近场辐射干扰,传导干扰还会注入电网,干扰接入电网的其他设备。减少传导干扰的方法有很多, 诸如合理铺设地线, 采取星型铺地, 避免环形地线,尽可能减少公共阻抗;设计合理的缓冲电路;减少电路杂散电容等。除此之外,可以利用EMI滤波器衰减电网与开关电源对彼此的噪声干扰。EMI 骚扰通常难以精确描述,滤波器的设计通常是通过反复迭代,计算制作以求逐步逼近设计要求。本文从EMI滤波原理入手, 分别通过对其共模和差模噪声模型的分析,给出实际工作中设计滤波器的方法,并分步骤给出设计实例。

    标签: 开关电源 EMI 滤波器

    上传时间: 2022-07-24

    上传用户:trh505

  • Protool组态图型显示中文手册

    Protool组态图型显示中文手册

    标签: Protool 组态

    上传时间: 2013-06-10

    上传用户:eeworm