PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
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电子书-单片机硬件电路设计238页第 章 智能化／网络化传感器及接口技术 现代信息技术的三大基础是信息采集（即传感器技术）、信息传输（通信技术）和信息处理 （计算机技术）。传感器属于信息技术的前沿尖端产品，被广泛用于工农业生产、国防、科研和 生活领域。本章专门介绍智能化温度传感器、转速传感器、加速度传感器、液位传感器以及网 络化智能精密压力传感器的工作原理、接口技术及典型应用。 智能化集成温度传感器的产品分类及发展趋势 近百年来，温度传感器的发展大致经历了以下三个阶段； 传统的分立式温度传感器（含 敏感元件） 模拟集成温度传感器 制器； 智能温度传感器。目前，国际上新型温度传 感器正从模拟式向数字式、由集成化向智能化、网络化的方向发展。 集成温度传感器的产品分类 模拟集成温度传感器 集成传感器是采用硅半导体集成工艺而制成的，因此亦称硅传感器或单片集成温度传感 器。模拟集成温度传感器是在 世纪 年代问世的，它是将温度传感器集成在一个芯片上、 可完成温度测量及模拟信号输出功能的专用 。模拟集成温度传感器的主要特点是功能单 一（仅测量温度）、测温误差小、价格低、响应速度快、传输距离远、体积小、微功耗，适合远距离 测温、控温，不需要进行非线性校准。外围电路简单，它是目前在国内外应用最为普遍的一种 集成传感器。典型产品有 等。
上传时间： 2022-03-23
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74HC4066是一款硅栅COMS四路模拟开关，被设计用于处理模拟和数字信号。74HC4066的各开关允许振幅高达6V（峰值）的信号进行双向传输。 74HC4066的各个开关单元拥有各自的使能输入控制（C）。在C端输入高电平将会导通其对应的开关单元。 74HC4066的应用包括信号选通、斩波、调制解调（modem）、以及用于模数转换/数模转换的信号复用系统。
上传时间： 2022-06-10
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1.1 什么是整流电路整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成，20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间，用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类，主要的分类方法有：按组成的期间可分为不可控，半控，全控三种；按电路的结构可分为桥式电路和零式电路：按交流输入相数分为单相电路和多相电路；按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向，又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用，因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的，1947年美国贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一次革命：1957年美国通用公司研制了第一个品闸管，标志着电力电子技术的诞生：70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展，把电力电子技术推上一个全新的阶段：80年代后期，以绝缘极双极型品体管（IGBT）为代表的复合型器件异军突起，成为了现代电力电子技术的主导器件。另外，采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式，后来，又把驱动，控制，保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC），随着全控型电力电子器件的发展，电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大，为了减小开关损耗，软开关技术便应运而生，零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。
标签： 整流电路
上传时间： 2022-06-18
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为了满足一些重要用电设备的连续供电，对电网供电提出了更高的要求。为此，引入一种新型UPS是不间断电源（uninterruptible power system）的英文简称，是能够提供持续、稳定、不间断的电源供应的重要外部设备。UPS先将交流电直流成直流电，一路给蓄电池充电，一路经逆变器变成恒压恒频的交流电，不论是市电供电还是断电由电池供电，总是通过逆变系统提供电力，因而市电停电或来电时无任何转换间断，市电的干扰也完全不影响到UPS的输出端，另外，UPS提供的电力为纯净的正弦波交流电，适用的负载范围宽，可以为多种精密用电设备提供稳定的不间断电源，此外，UPS的优点还在于它的零转换时间以及高质量的输出电源品质，因此它更适合于一些关键性的应用场合.UPS由于其工作方式是先对电池充电，然后再由逆变器将电池的电能逆变成交流，因此在电能的转化过程中有一部分电能将被损失掉。电子技术是根据电子学的原理，运用电子器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括Analog（模拟）电子技术和Digital（数字）电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术，处理的方式主要有：信号的发生、放大、滤波、转换。现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
标签： UPS电源
上传时间： 2022-06-19
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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本书简要介绍了现代传感技术及检测技术的概况，阐明了动态测量和其他检测理论及其应用，详细论述了各种传感器的结构、原理。其中第一章为传感技术概况。第二章论述了硅传感器与智能传感器；第三章论述了光与辐射传感器及应用；笫四章论述了各种光纤传感器的原理及其新成果；第五、第六章介绍了近年研究热点---气敏传感器和离子敏传感器。根据传感器在检测技术中的地位 在本书中用较大的篇幅来介绍传感新理论和新技术。内容上注意突出原理性、系统性、层次性和渐进性。
标签： 传感技术
上传时间： 2022-07-06
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日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能，这就需要其“大脑”（硅芯片）在面对现实环境中多种多样情况时，能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时，基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件，专门设计用来维持恒定的输出电压，即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况下也一样。基准电压源其精度之高，它能用于除数据转换器之外还能用于其他应用场合。你将在本文档中看到其应用的范围表明了，基准电压虽然不是一个新的概念，但它们是系统设计继续向前推进的一个组成部分。本文对基准电压源作了综合的概述，包括基础知识和设计应技巧。第一章重点介绍基准电压源的基本特征。作者探讨了在一定情况下，电源设计人员可能需要从一个拓扑结构中获得某些特性，同时利用另一个拓扑的优点。第二章研究了基准电压源性能和数据转换器的设计原则。第三章也是最后一章，讨论了基准电压源的灵活应用，如低漂移直流基准电压和电流源。
上传时间： 2022-07-11
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;8050三极管（SOT-23封装）管脚图最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25; [1] 特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
上传时间： 2022-07-18
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