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相频特性

  • 实现矩阵的Cholesky分解,用Cholesky分解求ARMA模型的参数并作谱估计,利用分裂基算法求复序列 的DFT.将得到的 解卷绕

    实现矩阵的Cholesky分解,用Cholesky分解求ARMA模型的参数并作谱估计,利用分裂基算法求复序列 的DFT.将得到的 解卷绕,得到无跳变的相频特性.计算七类窗函数并给出归一化对数幅频曲线

    标签: Cholesky ARMA DFT 分解

    上传时间: 2013-12-13

    上传用户:SimonQQ

  • 微波视距信道的仿真

    微波视距信道的仿真,程序给出信道模型的信道冲激响应和信道冲激响应的幅频特性和相频特性

    标签: 信道 仿真

    上传时间: 2013-12-09

    上传用户:shawvi

  • 离散系统Z域分析 实验步骤: 主界面下进入实验六的“离散系统Z域分析”

    离散系统Z域分析 实验步骤: 主界面下进入实验六的“离散系统Z域分析”,输入分子多项式的系数向量 按照 z 降幂的顺序输入,如:,输入为。 输入分母多项式的系数向量,按照 z 降幂的顺序输入。 鼠标单击确定按钮,显示系统函数的幅频特性曲线,相频特性曲线。

    标签: 离散系统 实验

    上传时间: 2013-12-22

    上传用户:teddysha

  • 单相光伏并网逆变器的研究.rar

    逆变器作为光伏阵列和电网接口的主要设备,它的性能决定着整个光伏发电系统的性能。为了将光伏阵列产生的电能最大限度地馈入电网,并提高其运行的稳定度、可靠性和精确度,必须对并网逆变器的主电路拓扑选择、滤波器参数设计及其控制策略选取等进行深入研究。 论文首先分析了光伏发电的国内外发展现状和应用前景,对光伏并网发电系统的种类、结构和并网标准进行了综述。针对众多适用于光伏并网的逆变器拓扑进行了详细的比较分析,最终确定了一台单相满载功率1kW、并网电压220V的逆变器拓扑及其主电路参数,对其输出滤波器参数进行设计,并对其进行了幅频特性分析。 其次,详细分析和研究逆变器的并网控制策略,确定了在独立工作模式下的瞬时电压控制策略和在并网工作模式下的瞬时电流控制策略。根据选定的控制策略分别对其控制系统进行了建模和闭环参数设计,并利用Sabet软件进行系统仿真,验证了系统建模和设计的正确性。 接着,在分析光伏阵列特性的基础上,总结和比较了常用的几种MPPT(Maximum Power Point Tracking)控制方法,通过扰动观测法对并网逆变器输出电流的控制,实现了光伏阵列的MPPT,并给出了设计方案和实验验证。 最后,根据以上分析结果,研制了一台基于DSP控制的光伏并网逆变器的试验样机,并详述了其软硬件的设计方案,给出了相关实验结果。

    标签: 单相 光伏并网 逆变器

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:天天天天

  • 典型窗函数的归一化幅频对数特性

    典型窗函数的归一化幅频对数特性,凯泽窗的时域波形,低通滤波器的增益特性比较,实际滤波器的幅频特性

    标签: 典型 窗函数 对数

    上传时间: 2016-11-29

    上传用户:ukuk

  • OFDM系统的扩频性能分析

    通过减少系统使用的子载波数,揭示了OFDM系统的扩频特性。使用扩频系统的理论分析方法,分析了OFDM系统的扩频性能。OFDM系统具有与传统扩频系统类似的扩频性能,因此可以采用OFDM系统构建扩频系统。

    标签: OFDM 扩频 性能分析

    上传时间: 2014-04-24

    上传用户:youth25

  • 计算离散时间信号的DTFT 计算离散时间系统的相延迟和群延迟 计算离散时间系统的频率响应

    计算离散时间信号的DTFT 计算离散时间系统的相延迟和群延迟 计算离散时间系统的频率响应,画幅频和相频图

    标签: DTFT 计算 离散时间 延迟

    上传时间: 2014-01-23

    上传用户:邶刖

  • 2017年全国大学生电子设计竞赛题目

    序号 题号 题目名称 组别1 A 微电网模拟系统 本科2 B 滚球控制系统 本科3 C 四旋翼自主飞行器探测跟踪系统 本科4 E 自适应滤波器 本科5 F 调幅信号处理实验电路 本科6 H 远程幅频特性测试装置 本科7 I 可见光室内定位装置 本科8 K 单相用电器分析监测装置 本科9 L 自动泊车系统 高职高专10 M 管道内钢珠运动测量装置 高职高专11 O 直流电动机测速装置 高职高专12 P 简易水情检测系统 高职高专

    标签: 全国大学生电子设计竞赛

    上传时间: 2021-12-11

    上传用户:wangshoupeng199

  • 基于SOC的智能射频网络分析仪的研制

    在无线电测量中",经常碰到的问题是对网络的阻抗和传输特性的测量。这里所说的传输特性,主要是指:增益和衰减、幅频特性、相位特性和时延特性。最初,这些网络参数的测量采用的是点频测量的方法,即在固定频率点上逐点进行测量,测量较为简单,因此对测量设备的性能要求不是很高。随着系统及元器件逐步向宽频带方向发展,常常需要在所要求的宽频带内多个频率点上进行测量才能了解被测器件的宽频带特性。早期的测量设备不仅只能做点频测量,而且每个频率点测量所消耗的时间也比较长,这样在测量宽频带器件时就显得非常繁琐,工作效率低,并且常常会因为测量频率点选取的疏密不同而影响测量结果,特别是对于某些特性曲线的锐变部分以及个别失常点,很可能会由于测量频率点选取不到而使得测量结果不能反映真实结果。基于上述原因,扫频测量技术得以出现并飞速发展。在扫频测量中,用扫频信号--个频率随时间按一定规律,在一定频率范围内扫动的信号代替以往使用的固定频率信号,可以对被测网络进行快速、定性或定量的动态测量,给出被测网络的阻抗特性和传输特性的实时测量结果。随着电子计算机技术和微电子学的发展,微处理器在扫频测量装置中逐渐被采用,使扫频测量可以达到更高的则量精确度

    标签: soc 智能射频网络分析仪

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:XuVshu

  • 射频功率放大器集成电路研究

    射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要,因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOS工艺的功率输出能力不大,很难应用于高输出功率的场合;而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间,价格相对低廉并和CMOS电路兼容,非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现,分别使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三种工艺.(1)由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz,采用了两级共源共栅电路结构,在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右,1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面积为1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz,分为前置推动级和末级功率级,电源电压为3.3V,仿真结果为小信号增益28dB左右,1dB压缩点处输出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大饱和输出功率为29.5dBm,芯片面积为1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz,使用了三级功率放大器结构,在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%,芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程,对三种工艺实现的功率放大器进行了对比,并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

    标签: 射频功率放大器 集成电路

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:shjgzh