软件 色环电阻计算
上传时间： 2014-11-23
上传用户：qlpqlq
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：PresidentHuang
利用Multisim 10仿真软件对共射极放大电路进行了计算机辅助设计和仿真。运用直流工作点对静态工作点进行了分析和设定；利用波特图示仪分析了电路的频率特性；对电压增益、输入电阻和输出电阻进行了仿真测试，测试结果和理论计算值基本一致。研究表明，Multisim 10仿真软件具有强大的设计和仿真分析功能，可以缩短设计周期，保障操作安全，方便调试、节省成本和提高设计质量等。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：dianxin61
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：DE2542
关于相位噪声专题的信息有很多，包括相位噪声特性1、相位噪声测量方法2以及它对系统性能的影响3。众所周知，振荡器和时钟的相位噪声已成为导致现代无线电系统性能降低的因素之一。然而，大多数传统相位噪声分析仅将重点放在单载波无线电系统中正弦波信号的降低，而相位噪声对多载波接收机、宽带系统或数字无线电的影响则很少涉及。本应用笔记将讨论一些与数据采样系统相位噪声有关的鲜为人知的问题，主要是多载波无线电、宽带信号和欠采样无线电架构等
上传时间： 2013-10-30
上传用户：asdkin
分析了调幅信号和载波信号之间的相位差与调制信号的极性的对应关系,得出了相敏检波电路输出电压的极性与调制信号的极性有对应关系的结论。为了验证相敏检波电路的这一特性,给出3 个电路方案,分别选用理想元件和实际元件,采用Multisim 对其进行仿真实验,直观形象地演示了相敏检波电路的鉴相特性,是传统的实际操作实验所不可比拟的。关键词:相敏检波;鉴相特性;Multisim;电路仿真 Abstract : The corresponding relation between modulation signal polarity and difference phases of amplitudemodulated signal and the carrier signal ,the polarity of phase2sensitive detecting circuit output voltage and the polarity of modulation signal are correspondent . In order to verify this characteristic ,three elect ric circuit s plans are produced ,idea element s and actual element s are selected respectively. Using Multisim to carry on a simulation experiment ,and then demonst rating the phase detecting characteristic of the phase sensitive circuit vividly and directly. Which is t raditional practical experience cannot be com pared.Keywords :phase sensitive detection ;phase2detecting characteristic ;Multisim;circuit simulation
上传时间： 2013-11-23
上传用户：guanhuihong
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MoSFET驱动电路具有指导意义．
上传时间： 2013-11-10
上传用户：wfeel
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lijinchuan
虚短和虚断的概念 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。 “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。 由于运放的差模输入电阻很大，一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA，远小于输入端外电路的电流。故 通常可把运放的两输入端视为开路，且输入电阻越大，两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，这一特性 称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。 在分析运放电路工作原理时，首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大，什么加法器、减法器，什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你，让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数，这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中，把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：181992417
电压源电流源名字上仅差一个字…HE HE.有一些朋友对此不太明白.所以特此说明下…并以软件仿真…详细介绍工作原理…以及注意事项….下面就是电压源和电流的符号…左边是电流源,右边是电压源. 电压源…电压源其实就是我们普通经常用的一种电源.比如说电池呀电瓶或自己做的稳压电路.一般属于电压源… 电压源的特性是: 输出端,可以开路,但不能短路…总而言之电压源的输出电压是恒定的…比如5V 电压源输出的电压就是5V.随不同的负载会改变电流…比如在5V 的电压源上加一个1 欧的负载… 流过的电流就是5/1=5A 电流… 如果接的电阻为2 欧.流过电流就等于5/2=2.5A….这个简单的计算相信谁都会…电流源电流源和电压源区别比较大…电流源输出端不能开路,但可以短路…为什么不能开路呢…HE HE…是因为开路了…电流源输出的电压就为无限高了…(实际上电压也是有一定值的)总而言之电流源的输出电流是恒定的.不管你负载的大小…就是你短路了.他的电流还是保持不变.改变的是电压…比如一个1A的恒流源…你接上一个1欧的负载…他输出的电压是.1x1=1V 电压…当你接上一个10 欧电阻的时候…他就是1x10=10V电压输出…
上传时间： 2013-10-08
上传用户：kaixinxin196
