模拟电子Multisim仿真电路仿真实验150例Multisim工程源码RCL无源谐振滤波器.ms8RLC无源低通滤波器.ms8从零起调的稳压电源.ms8共发射极固定偏置电路1.ms8共发射极固定偏置电路2.ms8共发射极简单.ms8共发射极简单偏置电路1.ms8共发射极简单偏置电路2.ms8共基极固定.ms8共基极固定电路.ms8共基极简单电路.ms8共集电极固定电路.ms8共集电极射极跟随器.ms8减法器.ms8切比雪夫低通滤波器.ms8加法器.ms8单电源差放.ms8双电源差放.ms8反相放大器.ms8反相过零比较器.ms8同相放大器.ms8回差比较器.ms8微分器.ms8有源低通滤波器.ms8有源带通滤波器.ms8有源谐振滤波器.ms8有源陷波器.ms8有源高通滤波器.ms8标准三角波发生器.ms8积分器.ms8简易波形发生器.ms8跟随器.ms8过零比较器.ms8门限比较器.ms8非零起调稳压电源.ms8-------
上传时间： 2021-12-11
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常用电源类芯片Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 电源类芯片.csvLibrary Component Count : 70Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------78Lxx 线性稳压芯片78Mxx 线性稳压芯片78xx 线性稳压芯片79xx 线性稳压芯片AMC7135 大功率LED恒流芯片AMS1117 三端稳压芯片APW7075 电压转换器AS1015 可调升压芯片CN3703 三节锂电池充电芯片DW01 锂电池过流保护ICFP6716 可调升压芯片GS3525 开关电源管理ICHT71xx LDO线性稳压芯片HY2110 锂电池保护 ICHY2213 电池充电平衡 ICLM2576 DC降压芯片LM2577 DC升压芯片LM2596 DC降压芯片LM2940 5V稳压芯片LM2991S 可调稳压芯片LM317 可调线性稳压芯片LTC4054 锂电池充电芯片LTC4057 锂电池充电管理ICMC34063 DC升降压芯片ME2100 可调升压芯片ME2149-5pin DC升压芯片ME2149-8pin DC升压芯片ME3149 IN:36V,OUT:0.8-33/3A,150MHzME4057 锂电池充电管理ICME6203 低功耗LDOME6209 低功耗LDOME8323X 电源管理ICMP2303 IN:28V,OUT:0.8-25/3A,360MHzMP2359 DC降压芯片PN8370 电源管理ICREF196 3V3基准电压源REF5040 高精度电压基准SD4923E 以太网受电设备控制器SDB628 DC升压芯片SM7033 非隔离AD-DCSX1308 可调升压芯片TL431-ID 可调基准稳压芯片TL431_SMD 可调基准稳压芯片TL432_SMD 可调基准稳压芯片TL494 电源管理ICTP4056 锂电池充电管理TPS3305 DSP电源管理TPS62400 电压转换器TPS63000 电压转换器TPS6735 负电压转换芯片UC3843 电源控制芯片XC6206P332MR 低压差线性稳压芯片XL1410 DC降压芯片XL1507 DC降压芯片XL1509 DC降电压芯片XL1513 DC降压芯片XL1530 DC降压芯片XL1583 DC降压芯片XL4003 DC降压芯片XL4005 DC降压芯片XL4013 DC降压芯片XL4015 DC降压芯片XL4016 DC降压芯片XL6005 LED恒流驱动XL6007 DC升压芯片XL6008 DC升压芯片XL6012 DC升压芯片XL6013 DC升压芯片XL6019 DC升压芯片XL7015E1 DC降压芯片
标签： 电源 Altium Designer
上传时间： 2022-03-13
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本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础。两位作者Robert L．Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授，在电子电路学科领域出版了多部优秀教材，受到很高的评价。本书自1972年首次出版至今已经修订至第九版，涵盖了更广泛和新颖的内容，成为流行30多年的优秀经典教材。这本改编版在第九版原版内容的基础上，结合国内高等教育中模拟电子电路课程的特点，进行了部分内容的调整。 内容提要 本书是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth．Edition之英文改编版《模拟电子技术》的翻译版，内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。 本书与英文版教材配套使用，适合电子、计算机、通信等相关专业电子电路基础课程40学时到68学时的中文或双语教学要求，也可供相关专业工程技术人员的学习和参考。
标签： 模拟电子
上传时间： 2022-03-21
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大学生电子设计竞赛G题 手写绘图板 原理图+PCB+论文摘要： 本设计目的得到一个较为精确的手写绘图板，我们通过一个恒流源接入覆铜板并将八个精密电阻引入，当触摸笔接触到覆铜板任意一个位置时便会检测到一个小电压信号，通过这一原理我们在覆铜板上通过表笔的移动采集差分信号，差分信号有助于信号传输，我们将采集到得信号进行电压跟随以提高电路带负载的能力从而得到较为稳定的小电压信号，再进行前置高精度较高增益放大并通过低通滤波然电路后进入电压跟随电路从而得到更稳定的信号并提高信号准确度及性价比。被放大的电压信号被高精度的AD采集，经过51单片机的处理得到信号数据并将处理的信号显示到液晶上，从而实现实时显示表笔的位置坐标的要求及其他的显示要求。
标签： 大学生电子设计竞赛
上传时间： 2022-04-11
上传用户：jiabin
针对交流电路过零检测电路存在结构复杂、过零点检测不准确、编程繁琐等问题，设计了一种基于LM339的硬件结构简单的过零检测电路。通过仿真软件Mulisim对该设计电路进行了仿真，实验证明了该方案过零检测的可行性、稳定性和可靠性，可直接作为交流电路中CPU的过零信号。Aiming at the problems of AC cilsuit zero crossing detection circuit such as complex structure, zero crossing detection and cumbersome programming, a zero crossing detection circuit with simple hardware structure based on LM339 was designed. The design circuit was simulated by simulation software Mulisim, and the feasibility, stability and reliability of zero crossing detection were proved by experiments, which can be used as zero crossing signal of CPU in AC circuit directly.
上传时间： 2022-05-03
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当人体内胰岛素分泌不足或胰岛素作用缺失时会导致血糖浓度偏离正常水平从而引发糖尿病及其并发症。血糖浓度的检测是糖尿病科学诊断的前提。本文针对课题组研制的MEMS血糖传感器用于组织液超滤提取检测的功能需求，研究了三电极MEMS血糖检测传感器微电流检测技术并研制了传感器检测与控制电路。本文主要对检测原理、电路设计与分析、电路测试以及检控系统葡萄糖浓度测试等部分进行了详细研究。首先对MEMS血糖传感器的检测原理进行分析，对辅助传感器产生电流的电路（恒电位电路和信号发生电路）原理图进行设计，对传感器产生的微电流范围进行实验分析。对传感器工作过程中产生的电化学噪声进行研究，提出噪声消减方法，为后续微电流检测电路的设计奠定基础。然后结合检测微电流输出特点及血糖传感器超滤提取动作控制需求，设计了检控系统，由微电流检测系统、人机交互及无线通信、电源系统三大部分组成。为验证微电流检测系统电路设计的正确性，本文借助Multisim仿真软件重点对电路中的恒电位及1/V转换的性能进行分析。此外对电路中的噪声来源进行分析，计算相关噪声并分析对电流检测的影响。对元件布置与布线、接地、电路板漏电防护等方面进行了研究，从而提高电路的抗干扰能力在检控电路研制基础上，本文搭建测试系统，测试电路的静态和动态特性.静态特性准确度、重复性、灵敏度、分辨力、稳定性、零漂等：动态特性包括恒电位电路的电压跟随特性以及检测电路的阶跃响应和频率响应特性。测试结果表明，该检测系统满足设计指标。最后，为测试葡萄糖浓度，将微电流检控电路与MEMS血糖传感器集成，做葡萄糖浓度的响应实验和重复性实验。在测试结果数据处理基础上，建立了葡萄糖浓度预测模型。测试结果表明，通过预测模型得到的检测结果符合临床检测精度要求。
上传时间： 2022-06-18
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随着半导体技术的发展，模数转换器（Analog to Digital Converter，ADC）作为模拟与数字接口电路的关键模块，对性能的要求越来越高。为了满足这些要求，模数转换器正朝着低功耗、高分辨率和高速度方向快速发展。在磁盘驱动器读取通道、测试设备、纤维光接收器前端和日期通信链路等高性能系统中，高速模数转换器是最重要的结构单元。因此，对模数转换器的性能，尤其是速度的要求与日俱增，甚至是决定系统性能的关键因素。在分析各种结构的高速模数转换器的基础上，本文设计了一个分辨率为6位，采样时钟为1GS/s的超高速模数转换器。本设计采用的是最适合应用于超高速A/D转换器的全并行结构，整个结构是由分压电阻阶梯，电压比较器，数字编码电路三部分组成。在电路设计过程中，主要从以下几个方面进行分析和改进：采用了无采样/保持电路的全并行结构；在预放大电路中，使用交叉耦合对晶体管作为负载来降低输入电容和增加放大电路的带宽，从而提高比较器的比较速度和信噪比；在比较器的输出端采用时钟控制的自偏置差分放大器作为输出缓冲级，使得比较输出结果能快速转换为数字电平，以此来提高ADC的转换速度；在编码电路上，先将比较器输出的温度计码转换成格雷码，再把格雷码转换成二进制码，这样进一步提高ADC的转换速度和减少误码率。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：kingwide
本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目，在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下，论文采用了一种开关电源与低压降（LDO）线性电压调节器结合应用的集成方案，即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求，本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。设计采用0.6um 30V BCD工艺，实现LDO的输入电压范围为6-13V：满足在-25-85℃的工作温度范围内，输出电压为5V：在典型负载电流（12.5mA）下，LDO的压降电压为120mv.文章首先阐述了整个方案的工作原理，给出LDO设计的指标要求；其次，依据系统方案的指标要求和制造工艺约束，实现包含误差放大器、基准源和保护电路等子模块在内的电压调整器：此外，文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载”的问题：最后，给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分，文章基于对三种不同LDO拓扑的分析，选择并实现了含缓冲器级的LDO.设计中通过改进反馈网络，采用反馈电容，实现对LDO的环路补偿。同时，为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求，文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题。基于密勒定理和根轨迹原理，本文通过研究密勒电容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）结构，实践了两级放大器驱动大负载电容的方案，并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。
上传时间： 2022-06-22
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文章首先阐述了整个方案的工作原理，给出LDO设计的指标要求；其次，依据系统方案的指标要求和制造1艺约束，实现包含误差放大器、基准源和保护电路等了模块在内的电压调整器：此外，文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载"的问题；最后，给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分，文章基于对三种不同LDO拓扑的分析，选择并实现了含缓冲器级的LDO./设计中通过改进反馈网络，采用反馈电容，实现对LDO的环路补偿。同时，为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求，文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题，基于密勒定理和根轨迹原理，本文通过研究密勒电容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compersation）结构，实践了两级放大器驱动大负载电容的方案，并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。文章设计的CRF（CRF：Current Re ference controlled by Feedback）电流基准是基于对传统自启动基准电流源的改进实现的。CRF基准电流源架构中存在一条阻性的电流道路，确保其在加载电源电压的过程中能够实现快速启动，响应速度达到1ps：而传统自启动基准电流源在相同的设计参数下，响应速度长达120us.CRF基准电流源突破了响应速度对其应用的限制。
上传时间： 2022-06-23
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信立诚科技主推低成本高性价比HC32F030F8TA-LQFP32可替换STM32F030K6T6，HC32F030F8TA比STM32F030K6T6单片机多集成了硬件除法器、蜂鸣器、电压比较器和低电压检测，独立PWM比STM32F030C8T6更丰富，12 位 1Msps 采样的高速高精度 SARADC，内置运放，可比ST单片机能测量到外部更微弱信号。HC32F030F8TA防静电可达8KV，比ST的防静电能力更强。
标签： MCU
上传时间： 2022-07-01
上传用户：qingfengchizhu
