假如有人将 24V 电源连接到您的 12V 电路上,将发生什么? 倘若电源线和接地线因疏忽而反接,电路还能安然无恙吗? 您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?即使此类事件的发生概率很低,但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。
上传时间: 2013-12-29
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针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题,提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动MOSFET开关管,并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构,输入电流与基准电流比较后的误差电流经过放大,再与PWM波比较,得到开关管驱动信号,快速而精确地使输入电流平均值与输入整流电压同相位,接近正弦波。结果表明,该电路方案能大大减小输入电流的谐波分量,在AC176V-264V的宽电压输入范围内得到稳定的DC380V输出,功率因素高达0.98。
上传时间: 2014-01-25
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电路功能:单锂3WLED恒流驱动,3.0V-4.2V全程恒流,最大可输出700mA(实际可达1000mA); 四种档位模式:1.三档调光+暴闪+慢闪+SOS+信标; 2.三档调光+暴闪+SOS; 3.二档调光; 4.六档调光+暴闪+慢闪+SOS+信标; 有记忆功能; 只有一个电源开关控制,关机关电源,完全不耗电; 电池过放保护,电压低于3V进入应急模式自动切换到30mA,电压低于2.7V进入休眠模式。
上传时间: 2014-01-19
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给出了数字直流电压表设计的具体电路,该电路采用纯硬件实现,覆盖内容广泛、涉及知识点较多、难易适中,将其列入自主实验内容,充分调动了学生学习的积极性,对提高学生工程设计能力、综合运用各种知识分析问题、解决实际问题的能力等方面效果显著。
上传时间: 2013-10-12
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利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
上传时间: 2013-12-20
上传用户:niumeng16
摘要:本装置主要以AVR单片机为核心,通过SG3 5 25芯片完成DC-DC稳压电路,有单片机产生的SPWM波形完成DC-AC逆变并网。SPWM波形,经光耦将主电路与控制电路隔离后将信号由一个非门变为两路互~bSPWM波形作为IR2110驱动芯片的输入,两个IR2110输出控制逆变环节的MOS管导通。使整个系统能够稳定的工作规定范围内,通过采样环节,可以做到实时的调整。也可以通过采样电流的信号对系统的过电流进行保护,设置了欠电压工作点,通过这些环节,使系统在出现故障后能够有良好的保护。
上传时间: 2013-11-07
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为了提高现有路灯的供电效率,开发设计了单灯恒流的供电模式,在每个路灯上安装一个体积很小的的恒流源,以保障给LED灯提供稳定、高效的恒流供电。在恒流源模块中,恒流源芯片HV9910B可以实现了高于70 V的电压的输入,在不同的输入电压下,恒流源芯片工作在恒定关断模式下,控制输出BUCK电路中的开关MOSE的占空比,以输出恒定2.2 A的电流,LED灯串联起来作为负载,效率达到了91%以上。
上传时间: 2013-11-08
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本文主要研究了一种比较简单的正弦输出的逆变器的设计。本设计采用全桥逆变电路和用推挽升压的方式获得逆变器的直流输入电压的设计方法来获得较大的输出功率和较高的功率因数.在直流升压过程中用PWM集成控制器输出相位相反具有一定占空比的两高频脉冲电压来控制开关管的导通与关断,进而控制推挽升压变压器的输出直流电压,再利用SPWM调制信号控制逆变器开关管的导通与关断,再用LC滤波滤掉逆变器输出高频部分,得到正弦波形,最后利用保护控制电路使逆变输出一个稳定的满足要求的交流波形。
上传时间: 2013-10-20
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为了提高电压表的测量精度和性价比,提出了一种以AT89C51单片机为控制核心的,基于Proteus仿真技术的数字电压表设计方案。详细介绍了数字电压表的硬件电路设计和软件编程方法,并利用Proteus 软件进行了仿真调试。结果表明,所设计的数字电压表结构简单,性价比高,并具有较高的测量精度;同时,也证明了Proteus仿真软件的运用,可以有效地缩短单片机系统的开发周期,降低开发成本。
上传时间: 2013-11-10
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间: 2014-12-03
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