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小电阻

  • 256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)

    采用单片机的8位输出口,每个输出口接入1只电阻,其阻值为2n次方,由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联),此电阻接入比较器并控制可控硅导通角,实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。

    标签: 256 DA驱动 调光计算 电阻

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:hjkhjk

  • 小信号高频晶体管放大器

    小信号高频晶体管放大器

    标签: 小信号 高频晶体管 放大器

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:wangfei22

  • 基于仿生小波变换和模糊推理的语音降噪算法研究

    提出了一种基于仿生小波变换和模糊推理的变步长自适应滤波语音降噪算法。该算法首先用仿生小波变换法对包含噪声的语音信号进行小波分解,以分离出来的噪声信号作为自适应滤波器的输入,选择基于模糊推理变步长自适应算法对带噪声语音信号进行降噪处理,最终实现语音信号的信噪分离,去除语音信号中的噪声。仿真结果表明,该方法对语音信号有较为明显的降噪效果。

    标签: 仿生 小波变换 模糊推理 语音降噪

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:恋天使569

  • 基于小波分析的脑电信号处理

    为去除脑电信号采集过程中存在的噪声信号,提出了基于小波阈值去噪的脑电信号去噪。以小波阈值降噪为基础,首先利用db4小波对脑电信号进行5尺度分解,然后采用软、硬阈值与小波重构的算法进行去噪。通过对MIT脑电数据库中的脑电信号进行仿真,结果表明,采用软阈值方法有效去除了噪声,提高了脑电信号的信噪比。

    标签: 小波分析 脑电信号

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:如果你也听说

  • mos管门级驱动电阻计算

    mos管门级驱动电阻计算

    标签: mos 门级 计算 驱动电阻

    上传时间: 2013-12-19

    上传用户:王楚楚

  • 形态梯度小波降噪与S变换的齿轮故障特征抽取算法

    针对齿轮故障特征信号具有强噪声背景、非线性、非平稳性特点,提出采用形态梯度小波对齿轮振动信号进行降噪。首先使用形态梯度小波把齿轮振动信号分解到多个尺度上,然后对各层的细节系数进行软阈值方法降噪处理,对经过处理后的小波系数进行重构。对降噪后的齿轮振动信号采用S变换多分辨率时频分析,能够从具有良好的时频分辨率的S变换谱图提取齿轮故障特征。通过仿真试验和故障轴承的信号分析证明,该方法具有短时傅里叶变换和小波变换的优点,不存在Wigner-Ville分布的交叉干扰和负频率,能有效地提取隐含在噪声中的齿轮故障特征,适合齿轮故障的在线监测和诊断。

    标签: 梯度 小波降噪 S变换 齿轮故障

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:AISINI005

  • 小波变换在图像边缘检测中的应用

    目前,被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子,Prewitt算子,Roberts算子,Log算子,Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而,当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感,使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰,不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点,设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子,对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。

    标签: 小波变换 图像边缘检测 中的应用

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:kqc13037348641

  • BJT与MOSFET的开关应用

      本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。   前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二十 mA,我又问他电阻多大,他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试,说用了个 1KΩ的电阻,就没有任何问题了。   我很失望他没有问我为什么要这么做,这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题,他们的动手能力很强,但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”,借用现成的电路使用,就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。

    标签: MOSFET BJT 开关应用

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:ZJX5201314

  • 上下拉电阻小结

    上下拉电阻的小结,希望对大家有用

    标签: 下拉电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:18165383642

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291