为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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基于对信号的周期平稳统计量的分析，提出了一种高斯白噪声信道下的盲信噪比估计方法。对信号的调制方式没有要求，也不需要发送端发送己知数据。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：hakim
运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：dvfeng
PADS2007中盲埋孔的设计
上传时间： 2013-11-13
上传用户：yd19890720
关于PADS中多层板埋盲孔的设计！
上传时间： 2013-11-10
上传用户：y13567890
满足上海65 m射电望远镜噪声注入要求，设计了一种新型的同轴环激励圆波导耦合器，该耦合器有较低的同轴激励口驻波和平坦的耦合值，利用环天线和传输线概念分析了该耦合器的工作原理，作为实例，设计了一个S波段的耦合器，加工了耦合器实物样品，实验测量表明，测量结果和仿真结果吻合良好。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：小鹏
前言城市中低压配电网是电力系统的重要组成部分，是城市建设的重要基础设施。为满足城市建设、经济发展和人民生活用电的需要，指导全国城市中低压配电网改造工作，使之达到安全可靠、技术先进、经济合理的要求，根据原能源部司局电供［1991］131号文和原能源部电力司提出的《关于加强城市中低压配电网改造的若干意见》，由全国电力系统城市供电专业工作网负责，在广泛征求意见的基础上，总结了北京、上海、长沙、南京、沈阳、广州、武汉、福州、重庆、昆明、乌鲁木齐、辽阳、包头供电局(电业局)城市中低压配电网改造方面的经验，由北京供电局具体起草了本技术导则。本标准由电力工业部安全监察及生产协调司提出并归口。本标准由全国电力系统城市供电专业工作网、北京供电局起草。本标准主要起草人：宁岐、陈光华、关诚、伍秋熹、牛益民。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：水口鸿胜电器
C51单片机与智能机器人
上传时间： 2013-11-05
上传用户：woshini123456
智能机器人，可供娱乐，还可以安防！
上传时间： 2013-12-15
上传用户：yuzsu
c52单片机小车机器人前后左右运动程序
上传时间： 2013-11-07
上传用户：urgdil
