摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
上传时间： 2013-11-14
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电压源电流源名字上仅差一个字…HE HE.有一些朋友对此不太明白.所以特此说明下…并以软件仿真…详细介绍工作原理…以及注意事项….下面就是电压源和电流的符号…左边是电流源,右边是电压源. 电压源…电压源其实就是我们普通经常用的一种电源.比如说电池呀电瓶或自己做的稳压电路.一般属于电压源… 电压源的特性是: 输出端,可以开路,但不能短路…总而言之电压源的输出电压是恒定的…比如5V 电压源输出的电压就是5V.随不同的负载会改变电流…比如在5V 的电压源上加一个1 欧的负载… 流过的电流就是5/1=5A 电流… 如果接的电阻为2 欧.流过电流就等于5/2=2.5A….这个简单的计算相信谁都会…电流源电流源和电压源区别比较大…电流源输出端不能开路,但可以短路…为什么不能开路呢…HE HE…是因为开路了…电流源输出的电压就为无限高了…(实际上电压也是有一定值的)总而言之电流源的输出电流是恒定的.不管你负载的大小…就是你短路了.他的电流还是保持不变.改变的是电压…比如一个1A的恒流源…你接上一个1欧的负载…他输出的电压是.1x1=1V 电压…当你接上一个10 欧电阻的时候…他就是1x10=10V电压输出…
上传时间： 2013-10-08
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第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明，该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内，实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃，可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB，可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。
上传时间： 2014-01-09
上传用户：ecooo
为提高静变电源输出电压的质量，研究了一种自整定模糊PID控制方法。该方法将模糊控制优良的动态性能、灵活的控制特性和PID稳态控制性能的优势相结合，实时地对系统控制量进行调整。在Matlab/Simulink环境下，对于模糊PID和常规PID在静变电源控制中的应用分别进行了仿真。仿真结果表明，模糊PID控制器减少了超调量，抗干扰性和鲁棒性强，系统的动态、稳态性能得到了很大程度的提高。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：togetsomething
采用一种具有双参数控制的结构实现并网运行和负序电流的消除，直流侧的电压控制环作为并网的基础控制，同时提取电网电压和逆变器输出电压的负序分量并加以控制，当两者相等时就可以达到消除负序电流的目的，然后对负序电压的获取以及电流的跟踪控制作了分析。最后利用Matlab/Simulink对系统进行仿真，验证了系统的可行性。
上传时间： 2013-10-16
上传用户：h886166
为更好地研究风力发电机在一定的电网电压跌落故障下的动态响应，以单台1.5 MW 双馈风力发电机(DFIG)为研究对象，设计了Crowbar电路，通过构建电网电压跌落仿真模型，分别对机端电压、电流、转子电流、输出的有功功率和无功功率、直流侧电压、电磁转矩在故障期间的动态响应进行了仿真。探讨了相应的控制策略，为进一步研究低电压穿越标准下的控制策略提供了依据，同时也为研制兆瓦级变频器打下基础。测量结果表明这种控制方式能使DFIG在电压跌落故障下实现不间断运行，有效提高了DFIG风电机组运行的可靠性。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：jasonheung
针对通用锁相环频率特性中高频部分线性不足的问题，对锁相环进行了改进。通过对MM74HC4046锁相环内部结构的分析，提出了一种锁相环频率特性的优化，设计出扩展压控振荡器的频率范围和改善其控制电压的电路。通过实验验证，优化后的锁相环频率特性线性度和稳定性都有了很大的改善，使得锁相环电路有更广泛的应用和很强的实用性。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：huxiao341000
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
基于HHNEC 0.35um BCD工艺设计了一种应用于峰值电流模升压转换器的动态斜坡补偿电路。该电路能够跟随输入输出信号变化，相应给出适当的补偿量，从而避免了常规斜坡补偿所带来的系统带载能力低及瞬态响应慢等问题。经Cadence Spectre验证，该电路能够达到设计要求。
上传时间： 2013-10-11
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