因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ，占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%.
上传时间： 2013-10-31
上传用户：angle
CH451 使用一个系统时钟信号来同步芯片内部的各个功能部件，例如，当系统时钟信号的频率变高时，显示驱动刷新将变快、按键响应时间将变短、上电复位信号的宽度将变窄、看门狗周期也将变短。一般情况下，CH451 的系统时钟信号是由内置的阻容振荡提供的，这样就不再需要任何外围电路，但内置RC 振荡的频率受电源电压的影响较大，当电源电压降低时，系统时钟信号的频率也随之降低。在某些实际应用中，可能希望CH451 提供更长或者更短的显示刷新周期、按键响应时间等，这时就需要调节系统时钟信号的频率。CH451 提供了CLK 引脚，用于外接阻容振荡。当在CLK 引脚与地GND 之间跨接电容后，系统时钟信号的频率将变低；当在CLK 引脚与正电源VCC 之间跨接电阻后，系统时钟信号的频率将变高。因为CH451 的系统时钟信号被用于芯片内部的所有功能部件，所以其频率不宜进行大幅度的调节，一般情况下，跨接电容的容量在5pF 至100pF 之间，跨接电阻的阻值在20KΩ至500KΩ之间。跨接一个47pF 的电容则频率降低为一半，跨接一个47KΩ的电阻则频率升高为两倍。另外，CH451 的CLK 引脚可以直接输入外部的系统时钟信号，但外部电路的驱动能力不能小于±2mA。CH451 在CLKO 引脚提供了系统时钟信号的二分频输出，对于一些不要求精确定时的实际应用，可以由CLKO 引脚向单片机提供时钟信号，简化外围电路。 单片机接口程序下面提供了U1（MCS-51 单片机）与U2（CH451）的接口程序，供参考。;**********************;需要主程序定义的参数CH451_DCLK BIT P1.7 ;串行数据时钟,上升沿激活CH451_DIN BIT P1.6 ;串行数据输出,接CH451 的数据输入CH451_LOAD BIT P1.5 ;串行命令加载,上升沿激活CH451_DOUT BIT P3.2 ;INT0,键盘中断和键值数据输入,接CH451 的数据输出CH451_KEY DATA 7FH ;存放键盘中断中读取的键值
上传时间： 2013-11-22
上传用户：671145514
随着HDL Hardware Description Language 硬件描述语言语言综合工具及其它相关工具的推广使广大设计工程师从以往烦琐的画原理图连线等工作解脱开来能够将工作重心转移到功能实现上极大地提高了工作效率任何事务都是一分为二的有利就有弊我们发现现在越来越多的工程师不关心自己的电路实现形式以为我只要将功能描述正确其它事情交给工具就行了在这种思想影响下工程师在用HDL语言描述电路时脑袋里没有任何电路概念或者非常模糊也不清楚自己写的代码综合出来之后是什么样子映射到芯片中又会是什么样子有没有充分利用到FPGA的一些特殊资源遇到问题立刻想到的是换速度更快容量更大的FPGA器件导致物料成本上升更为要命的是由于不了解器件结构更不了解与器件结构紧密相关的设计技巧过分依赖综合等工具工具不行自己也就束手无策导致问题迟迟不能解决从而严重影响开发周期导致开发成本急剧上升 目前我们的设计规模越来越庞大动辄上百万门几百万门的电路屡见不鲜同时我们所采用的器件工艺越来越先进已经步入深亚微米时代而在对待深亚微米的器件上我们的设计方法将不可避免地发生变化要更多地关注以前很少关注的线延时我相信ASIC设计以后也会如此此时如果我们不在设计方法设计技巧上有所提高是无法面对这些庞大的基于深亚微米技术的电路设计而且现在的竞争越来越激励从节约公司成本角度出 也要求我们尽可能在比较小的器件里完成比较多的功能 本文从澄清一些错误认识开始从FPGA器件结构出发以速度路径延时大小和面积资源占用率为主题描述在FPGA设计过程中应当注意的问题和可以采用的设计技巧本文对读者的技能基本要求是熟悉数字电路基本知识如加法器计数器RAM等熟悉基本的同步电路设计方法熟悉HDL语言对FPGA的结构有所了解对FPGA设计流程比较了解
上传时间： 2015-01-02
上传用户：refent
我是专业做PCB的，在线路板灾个行业呆久了，看到了上百家公司设计的PCB板，各行各业的，如有空调的，液晶电视的，DVD的，数码相框的，安防的等等，因此我从我所站的角度来说，就觉得有些PCB文件设计得好，有些PCB文件设计则不是那么理想，标准就是怎能么样PCB厂的工程人员看得一目了然，而不产生误解，导致做错板子，下面我会从PCB的制作流程来说，说的不好，请各位多多包涵！1 制作要求对于板材 板厚 铜厚 工艺 阻焊/字符颜色等要求清晰。以上要求是制作一个板子的基础，因此R&D工程师必须写清晰，这个在我所接触的客户来看，格力是做得相对好的，每个文件的技术要求都写得很清晰，哪怕就是平时我们认为最正常的用绿色阻焊油墨白色字符都写在技术要求有体现，而有些客户则是能免则免，什么都不写，就发给厂家打样生产，特别是有些厂家有些特别的要求都没有写出来，导致厂家在收到邮件之后，第一件事情就是要咨询这方面的要求，或者有些厂家最后做出来的不符要求。2 钻孔方面的设计 最直接也是最大的问题，就是最小孔径的设计，一般板内的最小孔径都是过孔的孔径，这个是直接体现在成本上的，有些板的过孔明明可以设计为0.50MM的孔，即只放0.30MM，这样成本就直接大幅上升，厂家成本高了，就会提高报价；另外就是过孔太多，有些DVD以及数码相框上面的过孔真的是整板都放满了，动不动就1000多孔，做过太多这方面的板，认为正常应该在500-600孔，当然有人会说过孔多对板子的信号导通方面，以及散热方面有好处，我认为这就要取一个平衡，在控制这些方面的同时还要不会导致成本上升，我在这里可以说个例子：我们公司有个客户是深圳做DVD的，量很大，在最开始合作的时候也是以上这种情况，后来成本对双方来说，实在是个大问题，经过与 R&D沟通，将过孔的孔径尽量加大，删除大铜皮上的部分过孔，像主IC中间的散热孔用4个3.00MM的孔代替， 这样一来,钻孔的费用就降低了，一平方就可以降几十块钱的钻孔费，对于双方来说达到了双赢；另外就是一些槽孔，比如说1.00MM X 1.20MM的超短槽孔，对于厂家来说，真的是非常之难做，第一很难控制公差，第二钻也来的槽也不是直的，有些弯曲，以前我们也做过部分这样的板子，结果几毛钱人民币的板，由于槽孔不合格，扣款1美金/块，我们也与客户沟通过这方面的问题，后来就直接改用1.20MM的圆孔。
标签： PCB
上传时间： 2015-01-02
上传用户：zaizaibang
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：宋桃子
现代的电子设计和芯片制造技术正在飞速发展，电子产品的复杂度、时钟和总线频率等等都呈快速上升趋势，但系统的电压却不断在减小，所有的这一切加上产品投放市场的时间要求给设计师带来了前所未有的巨大压力。要想保证产品的一次性成功就必须能预见设计中可能出现的各种问题，并及时给出合理的解决方案，对于高速的数字电路来说，最令人头大的莫过于如何确保瞬时跳变的数字信号通过较长的一段传输线，还能完整地被接收，并保证良好的电磁兼容性，这就是目前颇受关注的信号完整性（SI）问题。本章就是围绕信号完整性的问题，让大家对高速电路有个基本的认识，并介绍一些相关的基本概念。 第一章 高速数字电路概述.....................................................................................51.1 何为高速电路...............................................................................................51.2 高速带来的问题及设计流程剖析...............................................................61.3 相关的一些基本概念...................................................................................8第二章 传输线理论...............................................................................................122.1 分布式系统和集总电路.............................................................................122.2 传输线的RLCG 模型和电报方程...............................................................132.3 传输线的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本质.................................................................................142.3.2 特征阻抗相关计算.............................................................................152.3.3 特性阻抗对信号完整性的影响.........................................................172.4 传输线电报方程及推导.............................................................................182.5 趋肤效应和集束效应.................................................................................232.6 信号的反射.................................................................................................252.6.1 反射机理和电报方程.........................................................................252.6.2 反射导致信号的失真问题.................................................................302.6.2.1 过冲和下冲.....................................................................................302.6.2.2 振荡：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分线的匹配.................................................................................392.6.3.4 多负载的匹配.................................................................................41第三章 串扰的分析...............................................................................................423.1 串扰的基本概念.........................................................................................423.2 前向串扰和后向串扰.................................................................................433.3 后向串扰的反射.........................................................................................463.4 后向串扰的饱和.........................................................................................463.5 共模和差模电流对串扰的影响.................................................................483.6 连接器的串扰问题.....................................................................................513.7 串扰的具体计算.........................................................................................543.8 避免串扰的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的产生..................................................................................................614.2.1 电压瞬变.............................................................................................614.2.2 信号的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 电场屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁场屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 电磁场屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 电磁屏蔽体和屏蔽效率.................................................................684.3.2 滤波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦电容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 设计中的EMI.......................................................................................754.4.1 传输线RLC 参数和EMI ........................................................................764.4.2 叠层设计抑制EMI ..............................................................................774.4.3 电容和接地过孔对回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走线规则.................................................................................79第五章 电源完整性理论基础...............................................................................825.1 电源噪声的起因及危害.............................................................................825.2 电源阻抗设计.............................................................................................855.3 同步开关噪声分析.....................................................................................875.3.1 芯片内部开关噪声.............................................................................885.3.2 芯片外部开关噪声.............................................................................895.3.3 等效电感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路电容的特性和应用.............................................................................925.4.1 电容的频率特性.................................................................................935.4.3 电容的介质和封装影响.....................................................................955.4.3 电容并联特性及反谐振.....................................................................955.4.4 如何选择电容.....................................................................................975.4.5 电容的摆放及Layout ........................................................................99第六章 系统时序.................................................................................................1006.1 普通时序系统...........................................................................................1006.1.1 时序参数的确定...............................................................................1016.1.2 时序约束条件...................................................................................1066.2 源同步时序系统.......................................................................................1086.2.1 源同步系统的基本结构...................................................................1096.2.2 源同步时序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由来...................................................................................... 1137.2 IBIS 与SPICE 的比较.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的构成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相关工具及链接..............................................................................120第八章 高速设计理论在实际中的运用.............................................................1228.1 叠层设计方案...........................................................................................1228.2 过孔对信号传输的影响...........................................................................1278.3 一般布局规则...........................................................................................1298.4 接地技术...................................................................................................1308.5 PCB 走线策略............................................................................................134
标签： 信号完整性
上传时间： 2013-11-01
上传用户：xitai
TI 满足不断增长的视频安全需求 智能视频系统行业市值预计到 2011 年将超过 90 亿美元，大幅增长主要归功于市场对安全需求不断上升，以及技术创新的不断发展，特别是我们将向数字化、全面网络化的视频系统过渡。 iSuppli 多媒体内容和服务部副总裁Mark Kirstein ：“TI 推出的高性能 DSP 可满足上述趋势的发展要求，这种 DSP 允许在整体网络视频监控系统中集成更高的灵活性、可升级性以及智能性。DSP 支持的 NVR 与DVR 等高级摄像头系统实现了视频内容分析等功能，将逐步代现有的 CCTV 摄像头，因为它们通过网络化技术将支持更大规模的安全系统。”
上传时间： 2013-11-05
上传用户：墙角有棵树
DH45L是一款基于混合信号的全极性霍尔效应传感器。工作频率30KHZ，无输出上升和下降时间，平均功耗为2MA。它采用先进的斩波稳定技术，提供精确、稳定的磁性开关点。它由反向电压保护器、电压调整器，霍尔电压发生器、信号放大器，史密特触发器和集电及开路的输出级组成。它是一种双磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在：-40~85度， 电压电压工作范围：2.5~24V。 封装形式：SIP3L（TO92S）。 产品特点 灵敏度高 抗应力去强 电压范围宽 可和各种逻辑电路直接接口 典型应用 高灵敏的无触点开关 直流无刷电机 直流无刷风机
上传时间： 2013-11-06
上传用户：ewtrwrtwe
PLL是数字锁相环设计源程序, 其中, Fi是输入频率(接收数据), 数字锁相技术在通信领域应用非常广泛，本例用VHDL描述了一个锁相环作为参考，源码已经调试过。编译器synplicty.Fo(Q5)是本地输出频率. 目的是从输入数据中提取时钟信号(Q5), 其频率与数据速率一致, 时钟上升沿锁定在数据的上升和下降沿上；顶层文件是PLL.GDF
上传时间： 2013-12-31
上传用户：hphh
《c与指针》书的代码 是我学习这本书时候敲出来的，学完对指针理解绝对上升若干等级
上传时间： 2013-12-18
上传用户：lgnf
