N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
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利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
上传时间： 2013-12-20
上传用户：niumeng16
IGBT门极驱动设计规范，很详细的免费规范。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：zaizaibang
7805三端稳压器应用
上传时间： 2013-11-05
上传用户：dumplin9
4_10kV三相干式非晶合金变压器专用技术规范
上传时间： 2013-11-20
上传用户：JamesB
变压器与电感器设计手册-第三版(中文)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：raron1989
各种门控开关电路
上传时间： 2013-10-16
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利用正态频率调制技术从噪声产生源头上降低了开关变换器的电磁干扰。简单地分析了具有不变概率密度分布的离散随机信号频率调制降低开关变换器EMI噪声的原理，并试制了一台正态频率调制开关变换器电源样机。给出了开关管电流信号的频谱以及传导干扰测试的结果。实验结果表明该技术能有效降低开关谐波峰值，使开关变换器易于通过EMI测试，具有应用的前景。
上传时间： 2014-12-24
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提出了一种固定开关频率的三电平PWM整流器的直接功率控制方法。该方法基于空间电压矢量调制，实现了动态过程中有功功率和无功功率的解耦控制。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：lml1234lml
该文提出一种新颗的三电平LLc串联电流谐振型Dc，Dc变换器。每个主开关电压应力是输入电压的一半，并且全范围实现zvs而不用附加任何电路。整流二极管工作在zcs状态。该变换器通过_次谐振的手段使得以较小的频率变化范围就可以实现较大的输入输出调节范围。整个变换器只需一颗磁元件。
上传时间： 2013-10-16
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