本规范规定了电子产品制造与应用系统防静电测试方法。本规范适用于电子产品制造应用系统防静电的检测，如：接地系统、地面地垫、墙体、工作台、台垫、工作。椅、工位器具、物流传递器具、包装用品、人体防静电防护用品
标签： 防静电检测
上传时间： 2022-07-08
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电能表专用6kvac高隔离防静电dc/dc电源模块的详细介绍 wrh 电力仪表专用6kvac高隔离防静电系列模块电源，具有输出稳压自恢复过载短路保护及8kv抗静电保护功能。 输入电压 5, 12, 15, 24 vdc 输出电压 3.3, 5, 9, 12, 15 ,18v, 24 vdc 如需其它规格,请咨询顺源科技公司 电气特性 以下数据除特殊说明外,均是在ta=25° c, 标称输入电压, 额定输出电流时测得. 输入特性 电压范围 +/- 5% 滤波 陶瓷电容 隔离特性 额定电压 6000 vac 泄漏电流 1 ma 电阻 109 ohm
上传时间： 2013-10-23
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手机的防静电设计，普通芯片的内部防静电只有2000V，如果得到更高的防静电效果，8000V，15000Ｖ等。
上传时间： 2017-02-24
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八月里市科技的负荷较大时士大夫和健康的身份空间黑色的符号绝对是客户附加费很大撒娇口号就是咖啡活动时看见爱好防静电释放空间黄寺大街
上传时间： 2013-12-20
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本指导性技术文件等效采用美国军用标准MIL-HDBK-263A（191）《电气和电子元件、组件与设备（电起爆装置除外）静电放电防护控制手册》。在保持标准的技术内容与MIL-HDBK-263A等效的前提下，对于标准中个别条款和所引用的标准，进行了必要的调整，以符合国情。本指导性技术文件的基本框架结构，保持了MIL-HDBK263A的格局，仅在章、条设置方面以国防科工委一九九○年三月颁发的《国家军用标准编写的暂行规定》为准做了适当的调整。1.1主题内容本手册为军用电子产品（电子元器件、组件和设备）按照国家军用标准GJB1649电子产品防静电放电控制大纲》的要求制定、实施和检查产品的静电放电防护控制计划提供了技术指南。1.2适用范围本手册适用于静电放电敏感电子产品的静电防护控制。本手册提供的技术原理和资料、数据也可供其他类别的静电放电敏感产品在静电防护控制过程中参考使用本手册不适用于电起爆装置。1.3应用指南1.3.1和GJB1649的关联性GJB1649各项要求的付诸实施将形成对静电放电敏感电子产品全寿命期连续的静电防护控制。因此GB1649的各项要求即适用于军用敏感电子产品的承制方，也适用于这些产品的使用方。本手册和GJB1649具有相同的适用范围。本手册提供的技术指南，通过包含在各项附录中的技术数据、资料做了补充。表1给出了GB1649的各项要求、本手册提供的技术指南和各项附录的补充技术资料三者之间的相互关联关系。
上传时间： 2022-04-05
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防静电-无铅标识 Altium封装 AD封装库 2D+3D PCB封装库Altium Designer设计的PCB封装库文件，集成2D和3D封装，可直接应用的到你的产品设计中。
标签： 封装库
上传时间： 2022-05-05
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说明：本档案相关要求来源《GJB3007A-2009防静电工作区技术要求）标准参考：1.GJB3007A-2009防静电工作区技术要求2.SJT10694-2006电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范3.B15463静电安全名词术语4.GJBZ25-1991电子设备和设施的接地·搭接和屏蔽设计指南5.GlB 2605-1996可热封柔韧性防简电阻隔材料规范6.GJB1649-1993电子产品防静电放电控制大纲7.GB12014-1989防前电工作服8.GB50174-93电子计算机机房设计规范9.GB4385-1995防静电鞋·导电鞋技术要求10.SJT10796-2001防静电活动地板通用规范11.GB50169-2006接地装置施工及验收规范
上传时间： 2022-07-11
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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论文反抄袭软件 用于检测论文是否抄袭
上传时间： 2013-04-24
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静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成电路可靠性的主要因素之一，存在于生产到使用的每一个环节，并成为开发新一代工艺技术的难点之一，近年来，对ESD的研究也因而越来越受到重视，仿真工具在ESD领域的应用使得ESD防护的研究变得更为便利，可大幅缩短研发周期然而，由于ESD现象复杂的物理机制，极端的电场及温度条件，以及ESD仿真中频繁的不收敛现象，都使得FSD的仿真变得极为困难本文详细阐述了ESD的来源、造成的危害以及如何测试集成电路的防静电冲击能力，并基于 Sentaurus软件，对ESD防护器件展开了的分析、研究，内容包括1）掌握ESD保护的基本理论、测试方法和防护机理2）研究了工艺仿真流程的步骤以及网格定义在工艺仿真中的重要性，并对网格定义的方法进行了探讨3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函数，并对描述同一物理机制的的各种不同模型展开对比分析.主要包括传输方程模型、能帶模型、各种迁移率退化模型、雪崩离化模型和复合模型4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理关键词：静电放电；网格；器件仿真；双极型晶体管；可控硅
上传时间： 2022-03-30
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