本文档是HM8205塑料封装MOSFET的数据手册有需要的欢迎下载
上传时间： 2022-01-16
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封装作为微电子产业的三大支柱之一，在微电子产业中的地位越来越重要。随着微电子产业不断的发展，轻型化，薄型化，小型化的微小间距封装成为发展需要。而封装的相关失效成为制约封装向前发展的瓶颈。本文通过大量的调研文献，对封装失效分析的目的，内容和现状进行总结，并对封装失效分析的未来发展进行展望。本文的主题是对封装中最重要的两个方面引线键合和塑料封装材料产生的相关失效进行归纳总结。本文从封装在微电子产业中的作用出发，引出对封装的失效进行分析的重要性，并说明了国内外封装产业的差距。对失效的基础概念，失效的分类进行了阐述；总结了进行失效分析的相关流程和进行失效分析最基本的方法和仪器。对封装中最普遍的引线键合工艺和塑封工艺分别进行了分析。对比了传统的Au线，Al线与Cu线键合工艺，说明了Cu引线键合技术代替传统的键合技术成为主流键合工艺的必然性；对Cu引线键合技术中出现的相关失效问题和国内外的研究结果进行了分析归纳。对塑料封装材料的发展进行了说明，指出环氧树脂为主流塑料封装材料的原因；对环氧树脂的组成以及在使用环氧树脂过程中出现的相关失效进行了归纳，并总结了环氧树脂未来的发展方向。
上传时间： 2022-06-24
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LM324是四运放集成电路,它采用14脚双列直插塑料封装,外形如图所示。它的内部包含四组形式完全相同的运算放大器, 除电源共用外,四组运放相互独立。每一组运算放大器可用图1所示的符号来表示,它有5个引出脚,其中“+”、“-”为两个信号输入端,“V+”、“V-”为正、负电源端,“Vo”为输出端。两个信号输入端中,Vi-（-）为反相输入端,表示运放输出端Vo的信号与该输入端的位相反;Vi+（+）为同相输入端,表示运放输出端Vo的信号与该输入端的相位相同。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：eddy77
TDA2030是音频功放电路，采用V型5脚单列直插式塑料封装结构。如图1所示，按引脚的形状引可分为H型和V型。该集成电路广泛应用于汽车立体声收录音机、中功率音响设备，具有体积小、输出功率大、失真小等特点。并具有内部保护电路。
标签： 模拟功放
上传时间： 2017-11-27
上传用户：linxiaoyi
TDA2030是德律风根生产的音频功放电路，采用V型5 脚单列直插式塑料封装结构。如图所示，按引脚的形状引可分为H型和V型。该集成电路广泛应用于汽车立体声收录音机、中功率音响设备，具有体积小、输出功率大、谐波失真和交越失真小等特点。并设有短路和过热保护电路等，多用于高级收录机及高传真立体声扩音装置 。意大利SGS公司、美国RCA公司、日本日立公司、NEC公司等均有同类产品生产，虽然其内部电路略有差异，但引出脚位置及功能均相同,可以互换。
标签： TDA2030详解
上传时间： 2017-11-27
上传用户：linxiaoyi
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
塑料模具手册软件版
上传时间： 2013-07-23
上传用户：eeworm
最新塑料模具手册
上传时间： 2013-05-19
上传用户：eeworm
micro sd卡座的封装图
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
sd卡座的封装图
标签： 封装
上传时间： 2013-07-05
上传用户：eeworm
